芯片结合设备制造技术

一种芯片结合设备，其包括一腔室、一芯片移转装置、一加热装置以及一通气装置。芯片移转装置用以移转至少一芯片至于腔室内的一载板上。加热装置用以加热腔室内的至少一芯片及/或载板。通气装置使气体连通腔室，其中当芯片移转装置移转至少一芯片于腔室内的载板上时提供一负压环境，并于加热至少一芯片及/或载板时施加一正向压力于至少一芯片上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种芯片结合设备，且特别是有关于一种用以进行芯片对位、力口压及加热的芯片结合设备。
技术介绍
黏晶(chip bonding)是半导体制程中十分重要的步骤之一，其将晶圆切割后的芯片(chip)取出并黏着固定在载板上，以供后续打线接合及封装等步骤。又，芯片黏合程序完成后必须进行烘烤以固化黏胶，故必须将黏有芯片的载板送进烤箱中烘烤。另外一种共晶黏晶(eutectic chip bonding)方法,于载板端加热及/或芯片端加热的方式,使两金属层加热至共晶温度而黏合，藉以克服金属键合的能量障碍，促使芯片黏合于载板上。但若载板的加热区域大，易使未焊接区域因持续受热而累积过多热量，致使产生不良热效应。但若加热区域小，或称局部区域加热，芯片需进入焊接区域(bondingarea)后，方才受热，需费 时等候加热的时间，导致产能降低。此外，温度掌控亦为一个大课题。由于现今的共晶黏晶机为单颗芯片逐一黏合于载板上，除了生产效率低落之外，压焊头的力量与分布若控制不当，容易造成芯片损伤，影响芯片效能。除此之外，当单一芯片黏合时若需同时将焊接区的温度升高至特定温度以上，则需精确地掌控温度，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片结合设备，包括：一腔室；一芯片移转装置，用以移转至少一芯片至于该腔室内之一载板上；一加热装置，用以加热该腔室内的该至少一芯片及/或该载板；以及一通气装置，使气体连通该腔室，其中当该芯片移转装置移转该至少一芯片于该腔室内的该载板上时提供一负压环境，并于加热该至少一芯片及/或该载板时施加一正向压力于该至少一芯片上。

【技术特征摘要】
2011.06.20 TW 1001215081.一种芯片结合设备，包括 一腔室； 一芯片移转装置，用以移转至少一芯片至于该腔室内之一载板上； 一加热装置，用以加热该腔室内的该至少一芯片及/或该载板；以及 一通气装置，使气体连通该腔室，其中当该芯片移转装置移转该至少一芯片于该腔室内的该载板上时提供一负压环境，并于加热该至少一芯片及/或该载板时施加一正向压力于该至少一芯片上。2.根据权利要求I所述的芯片结合设备，其特征在于，该芯片移转装置包括多个吸取器可同时吸取多个芯片，并移转至该载板上。3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伟诚，陈明堂，周庭羽，吴荣昆，姜崇义，
申请(专利权)人：华新丽华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：