【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及热处理炉以及具有该热处理炉的热处理装置。
技术介绍
在半导体装置的制造过程中，为了对作为被处理体的半导体晶圆实施氧化、扩散、CVD (Chemical Vapor Deposition)等处理,使用各种热处理装置。而且,通常的热处理装置主要具有热处理炉，该热处理炉包括处理容器，其用于收容半导体晶圆并对半导体晶圆进行热处理；圆筒状的绝热部件，其覆盖该处理容器的周围；加热器，其设在绝热部件的内周面上并对处理容器内的晶圆进行加热。上述加热器由设在圆筒状的绝热部件的内周面上的加热元件构成。作为上述加热元件，例如在采用能够进行批量处理的热处理装置的情况下，使 用沿圆筒状的绝热部件的内壁面配置且被支承体支承的元件，能够将炉内加热到例如800°C 1000°C左右的高温。另外，作为上述绝热部件，例如使用通过将由陶瓷纤维等构成的绝热材料烧制成圆筒状而构成的绝热部件，能够减少作为辐射热以及传导热所吸收的热量，从而能够促进高效地加热。作为上述支承体，例如使用陶瓷制的支承体，以规定的间距支承该加热元件，以便上述加热元件能够热膨胀以及热收缩。此外，虽然热处理炉的绝热部件例...
【技术保护点】
一种热处理炉，其中，该热处理炉具有：处理容器，其用于收容至少一个被热处理体；绝热部件，其用于覆盖该处理容器的周围；加热单元，其沿该绝热部件的内周面配置，绝热部件具有内侧绝热部件和相对于内侧绝热部件独立地设置的外侧绝热部件，外侧绝热部件包含被压缩的二氧化硅微粉，且外侧绝热部件的至少外表面被用于防止二氧化硅微粉飞散的飞散防止部件覆盖。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小林诚，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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