不影响平板缝隙天线的电磁波辐射特性的均匀性就能够使用波长区域较宽的非相干监视光来高精度地对处理容器内的被处理基板的表面进行光学监视。该微波等离子体蚀刻装置中的光学监视装置（100）具有：监视头（102），其在比载置在基座（12）上的半导...

本发明具备将表面上形成有掩模材料（102）的铜膜（101）的周围设为有机化合物气体（22）气氛的工序和在有机化合物气体（22）气氛中，将掩模材料（102）作为掩模，对铜膜（101）照射氧离子（6）而各向异性蚀刻铜膜（101）的工序。

在本发明的处理台装置及使用该处理台装置的涂布处理装置中，缩短处理动作的节拍时间。基板搬入部包含：第一基板搬送部，可水平地搬送基板；及第一进退单元，使所述第一基板搬送部至少沿基板搬送方向在前后方向、斜上下方向及垂直上下方向的任一方向移动；...

本发明提供一种金属膜的干蚀刻方法。该金属膜的干蚀刻方法不使用卤素气体并能够使孔、沟槽的侧壁形状更接近铅垂。隔着掩模层对含有铂金的金属膜进行干蚀刻的金属膜的干蚀刻方法使由含有氢气、二氧化碳气体、甲烷气体以及稀有气体的混合气体构成的蚀刻气体...

本发明提供一种能够防止氧化和熔损的探针卡用接触端子。在检查半导体器件的探针卡（10）的基座（11）中，在与半导体器件相对的面配置有多个伸缩探针（12），各伸缩探针（12）的柱塞（14）具有柱状的接触部（14c），接触部（14c）具有柱状...

本发明是一种涂布处理装置。该涂布处理装置可缩短处理动作的节拍时间，且防止因喷嘴的维护处理而导致的被处理基板的污染。本发明的涂布处理装置包括：喷嘴(31)，具有沿被处理基板(G)的宽度方向延伸的喷出口，在所述处理平台上的所述基板的上方沿基...

本发明提供一种流量控制装置以及处理装置。在控制流向气体通路的气体流量的流量控制装置中，具备：主气体管；检测流向该主气体管的气体的流量，输出流量信号的流量检测单元；控制流量的流量控制阀机构；存储用于表示从外部输入的流量指示信号与目标流量的...

本发明提供一种能够防止接触端子的老化的接触端子的支承体。对形成于半导体基板的半导体器件进行检查的探针卡（10）具备支承多个探头（12）的外壳（13），该外壳（13）的主体（15）由多个金属薄板（14）层叠而形成，将主体（15）在厚度方向...

本发明提供一种喷淋板及其制造方法、和使用了它的等离子体处理装置、处理方法及电子装置的制造方法。该喷淋板能够更完全地防止等离子体发生逆流、或在纵孔部分的等离子体激励用气体发生着火，从而可以高效地激励等离子体。喷淋板（105）配置在等离子体...

本申请的发明涉及一种膜形成装置及膜形成方法。其目的在于缩小占地面积并且缩短处理线的长度、且实现装置成本的降低及生产率的提升。本发明的膜形成装置包括：涂布处理机构(6)，沿水平方向搬送被处理基板(G)，并且从具有在所述基板的宽度方向上较长...

本发明提供一种电感耦合等离子体用天线单元，即使使用将三个以上环状天线部同心状地设置的高频天线时，也具有高的环状天线部的电流的独立控制性。天线单元（50）的天线（13）具有通过供给高频电在处理室内部形成感应电场的、同心状地设置的至少三个天...

本发明提供一种能够可靠地从等离子体中选择性地仅使自由基通过的自由基选择装置和基板处理装置。在基板处理装置(10)的腔室(11)内，配置在载置于载置台(12)上的晶圆W与等离子体产生器(13)之间的自由基过滤器(14)具备：上部屏蔽板(1...

本发明提供成膜装置和基板处理装置。以包括气体供给部和天线的方式构成装置，该气体供给部用于向旋转台的基板载置区域侧的表面供给等离子体生成用的气体；该天线以从上述旋转台的中央部延伸到外周部的方式与该旋转台的基板载置区域侧的表面相对地设置，用...

本发明提供薄膜的形成方法和成膜装置。在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜的薄膜的形成方法具有以下步骤：第1步骤，向处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而形...

本发明提供一种磁控溅射装置，其确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。以与载置于真空容器（2）内的晶片（10）相对的方式配置靶（31），并在该靶（31）的背面侧设置磁体排列体（5）。该磁体排列体（5）具有：内侧磁体...

提供一种能够形成机械强度和耐吸湿性优良的低介电常数的层间绝缘层的层间绝缘层形成方法。另外，提供一种减少布线延迟的半导体装置。在通过等离子体CVD法形成半导体装置的层间绝缘层的方法中，包括：向被减压的处理容器内搬入基板的工序；与上述基板相...

以简易的方法使液滴沿着移动面形成部件的表面移动。在形成液滴的移动面的、包含非磁体的移动面形成部件（1）的两面分别设置有形成磁场梯度的磁场形成部件（4A、4B），该磁场梯度为磁场随着从上述移动面形成部件（1）的表面上的液滴所在的区域沿上述...

本发明使基板处理系统的覆盖区域变小。本发明的基板处理系统（1）包括：处理站（3），其在上下方向上多层地设置有多个处理单元；盒式部件载置台（12），其载置收容多个晶片（W）的盒式部件；和配置在处理站（3）和盒式部件载置台（12）之间的晶片...

本发明是在微波处理装置中对被处理体进行均匀的处理的微波处理装置和处理方法。微波处理装置（1）包括：收容晶片（W）的处理容器（2）；微波导入装置（3），其具有生成用于处理晶片（W）的微波的至少一个磁控管（31），并将微波导入处理容器（2）...

本发明提供基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置具有：承载区，其包含左右分开地设置的第1承载件载置部及第2承载件载置部；处理区，其具有将多个层部分上下配置而成的层构造，并且各层部分具有用于输送基板的基板输送机构和用于处理基板的处理组件...