本发明提供一种成膜装置，该成膜装置包括：旋转台；第1处理气体供给部，其用于向第1处理区域供给第1处理气体；第1等离子体处理部，其用于在第2处理区域中对基板进行等离子体处理；分离气体供给部，其用于向形成于第1处理区域和第2处理区域之间的分...

本发明提供一种成膜装置及成膜方法。在从利用旋转台进行公转的晶圆看时的第1处理区域和第2处理区域之间设置分离区域，并在从利用旋转台进行公转的晶圆看时的第2处理区域和第1处理区域之间配置用于利用等离子体产生部进行晶圆上的反应生成物的改性的改...

本发明提供一种处理装置和处理状态的确认方法。掌握处理装置中的处理的状态，迅速检测处理的异常或将异常防患于未然。在作为MC（401）的下级的控制单元的I/O板（415）上设置最大值寄存器（441）和最小值寄存器（443），从与利用压力计（...

本发明的色素吸附装置及色素吸附方法以及基板处理装置能够大幅缩短使色素吸附在基板表面上的多孔质的半导体层的工序的处理时间。处理中，在喷嘴（20）的溶液引导面（92L、92R）与基板（G）之间的间隙中形成色素溶液的流动，而基板被处理面的多孔...

本发明提供一种基板处理装置，用于利用新颖的基板输送方式高效且高生产率地进行对基板实施的一系列处理而与单张处理或者批处理的种类无关。该基板处理装置将横长的处理载置台（10）配置于系统中心部，在其长边方向（X方向）的两端部连结装载机（12）...

一种等离子体处理用设备，其包括：处理容器，其设置有用于载置基体的载置台；第一气体供给单元，其被构造成将第一气体供给至处理容器；第一等离子体产生单元，其被构造成将第一气体的至少一部分转化成第一等离子体；第二气体供给单元，其被构造成将第二气...

本发明提供一种金属膜的加工方法及加工装置。在利用气体团簇束对形成于被处理体（W）的表面的金属膜（72）进行加工的金属膜的加工方法中，通过将氧化金属膜的元素而形成氧化物的氧化气体、与氧化物反应而形成有机金属络合物的络合化气体以及稀有气体的...

本发明提供一种能够在确保刚性的同时简便地获得自来水和淡水的过滤用过滤器。过滤用过滤器21具备第1陶瓷层12、第2陶瓷层15以及纳米粒子层14，该纳米粒子层14被第1陶瓷层12和第2陶瓷层15所夹持，第1陶瓷层12和第2陶瓷层15是使以二...

本发明提供一种即便在微波的投入电力低的情况下、压力高的情况下也能够确保所期望的表面波等离子体的直径的微波放射机构和表面波等离子体处理装置。微波放射机构（43）包括：传送微波的传送路径（44）；将从微波传送路径（44）传送来的微波经由缝隙...

本发明的色素吸附装置及色素吸附方法能够大幅缩短使色素吸附于在基板的被处理面形成的多孔质的半导体层的工序的处理时间。为了对批处理张数的基板G一齐实施色素吸附处理，该色素吸附单元（20）具备上面开口的处理槽（30）的同时，作为处理槽（30）...

本发明提供一种蚀刻方法，优化通过嵌段共聚物的自组装形成的周期图案的蚀刻条件。对通过能够自组装的嵌段共聚物的第一聚合物和第二聚合物自组装而形成的周期图案进行蚀刻，该蚀刻方法的特征在于包括：向处理室内导入气体的工序；设定高频电源的频率，使得...

本发明提供等离子体处理装置，包括上部电极和下部电极，在对上部电极施加直流电压时不会发生放电。对上部电极（42）与下部电极之间施加高频电力而对被处理体进行等离子体处理，具有：接地构件（61），其隔着绝缘构件（60）设置在上部电极的上方；直...

本发明在于提供一种气体供给均匀性高、能够抑制在非计划的区域产生不需要的堆积物的气体供给头。该气体供给头具有由多个气体排出孔构成的第一气体孔列（102a）；由在和该第一气体孔列（102a）相同的面中与该第一气体孔列（102a）并列配置的另...

本发明提供一种成膜装置，其在真空容器内进行多次按顺序供给互相反应的多种处理气体的循环而形成薄膜，包括旋转台、多个处理气体供给部、分离气体供给部以及排气口。处理气体供给部中的至少一个处理气体供给部构成为从旋转台的中央部朝向周缘部延伸的气体...

本发明提供一种能够对气体扩散室的内部充分地进行清扫，能够抑制在非计划的区域产生不需要的堆积物的气体供给喷头。上述气体供给喷头具备：包括直线状的筒状空间的气体扩散室（101）；与该第一气体扩散室（101）对应地设置，形成列状的多个气体排出...

本发明提供能方便地得到自来水或淡水的过滤用过滤器的制造方法。对于由硅构成的基板1，使用形成在该基板1的表面上并具有使该表面的一部分露出的多个开口部的掩膜进行蚀刻，在基板1上形成多个直径约100nm的圆孔2，使氧化硅膜3沉积在形成的圆孔2...

本发明提供等离子体处理装置，目的在于在电感耦合型的等离子体处理装置中改善方位角方向上的等离子体密度分布的均匀性。该电感耦合型的等离子体蚀刻装置在与RF天线（54）接近的电介质窗之下环形地生成电感耦合的等离子体，使该环形的等离子体在广阔的...

本发明提供一种半导体器件制造系统，其不需要过剩的防腐蚀措施能够防止半导体器件制造中生产率的降低，从叠层芯片（13）制造半导体器件的半导体器件制造系统（10）具备：芯片还原装置（14）和芯片接合装置（15），芯片还原装置（14）具有还原室...

本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够防止被电介质盖覆盖的其他的构成构件损伤，并且防止沉积物附着于基板。等离子体处理装置（10）包括处理室（3）和电介质盖（12），该处理室（3）用于产生等离子体，该电介质盖（12）在该处...

本发明涉及一种处理装置和阀门动作确认方法。本发明的目的在于，把握向处理容器内供给气体的气体供给系统中的阀门的动作状态状态，实时检测阀门的异常或提前避免。作为MC（401）的下位的控制单元的I/O端口（415）设置DO开闭计数器（421）...