金属膜的加工方法及加工装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种金属膜的加工方法及加工装置。在利用气体团簇束对形成于被处理体（W）的表面的金属膜（72）进行加工的金属膜的加工方法中，通过将氧化金属膜的元素而形成氧化物的氧化气体、与氧化物反应而形成有机金属络合物的络合化气体以及稀有气体的混合气体绝热膨胀来形成气体团簇束，使气体团簇束碰撞于被处理体的金属膜，从而对金属膜进行蚀刻加工。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种利用气体团簇束来对形成于半导体晶片等被处理体的表面的金属膜进行加工的金属膜的加工方法及加工装置。
技术介绍
超LSI的布线目前利用铜镶嵌法形成。铜镶嵌法是指利用光刻技术和干式蚀刻技术在绝缘膜上形成图案化的槽，用铜阻挡膜覆盖其表面之后，将镀铜层埋入槽中，用CMP(Chemical Mechanical Polishing)研磨除去不需要的上层部而形成金属图案(参照非专利文献I)。铜镶嵌法需要将铜阻挡膜良好地覆盖于微细的槽的工艺、将镀铜晶种膜良好地覆盖在铜阻挡膜上的工艺、将镀铜层良好地埋入成微细结构的工艺，已变得难以对更微细的图案应用。此外，由于图案形成需要CMP工艺，所以在连接于TSV (Through Silicon Via)的凸点那样的大的图案形成工艺中，其成本高。作为镶嵌法以外的金属膜图案形成工艺之一，有湿式蚀刻法。这是在金属膜上使掩模图案化，用稀盐酸等湿式蚀刻除去没有掩模的金属膜部分的方法。但是，由于该方法各向同性地蚀刻金属，所以微细的结构时无法控制侧蚀量，难以保持良好的图案形成。作为另一种方法，有RIE (Reactive 1n Etching)法。该方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：军司勋男，三好秀典，原谦一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：
国别省市：