从衬底表面去除污染物与原生氧化物的方法技术

本发明专利技术的各实施例一般涉及从衬底表面去除污染物和原生氧化物的方法。方法一般包含暴露衬底至氧化源，所述衬底具有氧化层于衬底上。氧化源氧化位于氧化层下方的衬底的上部，以形成具有增加厚度的氧化层。具有增加厚度的氧化层接着去除以暴露衬底的干净表面。去除氧化层一般包含去除存在于氧化层之中和之上的污染物，特别是那些存在于氧化层和衬底的界面处的污染物。外延层可接着形成于衬底的干净表面上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】专利技术背景专利
本专利技术的各实施例一般涉及从半导体衬底表面去除原生氧化物和污染物。相关技术的描述集成电路形成于硅及其它半导体衬底之中及之上。在单晶硅的例子中，衬底是由由熔融硅的浴生成锭块，并接着将固化的锭块锯成多个晶片而制成的。外延硅层可接着形成于单晶硅晶片上，以形成可掺杂或未掺杂的无缺陷硅层。半导体装置(如，晶体管)由外延硅层而制造。所形成的外延硅层的电特性一般将优于单晶硅衬底的特性。当单晶硅和外延硅层的表面暴露至典型周围环境的条件时，单晶硅和外延硅层的表面易受到污染。举例来说，在沉积外延层之前，原生氧化层可形成于单晶硅表面上。此外，周遭环境中存在的污染物可能沉积于单晶硅表面上。原生氧化层或污染物存在于单晶硅表面上对接着形成于单晶硅表面上的外延层的质量产生不利地影响。尽管目前的清洁方法从单晶硅表面去除一些原生氧化物和污染物，仍存在一些污染物。因此，需要更有效率的方法，以从衬底表面去除原生氧化物和污染物。
技术实现思路
本专利技术的各实施例一般涉及用于从衬底表面去除污染物和原生氧化物的方法。所述方法一般包含暴露衬底至氧化源，所述衬底具有氧化层于衬底上。氧化源氧化位于氧化层下方的衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.04 US 61/370,7221.一种清洁衬底表面的方法，所述方法包括以下步骤: 放置衬底于腔室中，所述衬底具有氧化层于所述衬底上，所述氧化层具有第一厚度； 通过暴露所述衬底至氧化源而增加所述氧化层的厚度至第二厚度； 从所述衬底去除所述氧化层；以及 在去除所述氧化层后，在所述衬底上沉积材料层。2.按权利要求1所述的方法，其中所述氧化源选自氧、臭氧及蒸气所组成的组。3.按权利要求2所述的方法，所述方法还包括以下步骤: 在去除所述氧化层前，放置所述衬底于第二腔室中。4.按权利要求3所述的方法，其中所述材料层为外延层，所述衬底包括单晶硅，且所述氧化层包括二氧化硅。5.按权利要求4所述的方法，其中去除所述氧化层的步骤还包括以下步骤: 从所述衬底的表面去除污染物，并且其中所述氧化层使用热工艺、干蚀刻工艺或湿蚀刻工艺而去除。6.按权利要求5所述的方法，其中所述第二厚度为约25埃或更厚。7.按权利要求1所述的方法，其中增加所述氧化层的厚度的步骤发生在衬底温度低于约1100摄氏度时。8.按权利要求7所述的方法，其中增加所述氧化层的厚度的步骤发生在衬底温度从约625摄氏度至约900摄氏度的范围内时。9.按权利要求7所述的方法，其中增加所述氧化层的厚度的...

【专利技术属性】
技术研发人员：萨瑟施·库珀奥，马尼施·赫姆卡，温德兰，金以宽，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：