【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及能输送具有期望浓度C02的去离子水的系统，以及生成用于湿法清洁半导体器件的具有期望浓度C02的去离子水的方法。专利技术背景诸如集成电路之类的微电子芯片由相对较大的半导体材料晶片制成。该过程通常涉及多个连续步骤，包括以下步骤光刻地生成蚀刻掩模；如掩模所限定地蚀刻材料层；通过湿法和干法化学技术的某些组合去除光刻掩模；以及沉积材料层。光刻掩模由被称为光刻胶的聚合材料形成。在光刻胶掩模已被去除之后，通常执行被称为漂洗或湿法清洁的最终清洁步骤。去离子(DI)水因其在半导体器件的这种漂洗中的用途而被知晓。已知其用于防止器件的任何金属腐蚀和污染。为了使湿法清洁更加有效，通常已将诸如二氧化碳(C02)和氮气(N2)之类的气体与DI水混合。利用碳酸化的去离子(DI-C02)水的漂洗是电惰性过程， 该过程允许无损伤清洁同时保维持器件完整性。可通过将二氧化碳(C02)和水(H20)或去离子(DI)水放入接触器中来产生碳酸化的去离子(DI-C02)水。接触器允许二氧化碳(C02)和水(H20)彼此直接接触而不将一个相分散到另一个相中。存在多种类型的接触器。例如，膜接触...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·赛韦特，U·布拉默，C·戈茨查克，J·洛尔，
申请(专利权)人：MKS仪器股份有限公司，
类型：
国别省市：
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