本发明专利技术涉及一种基座及其中防止硅片出现X型缺陷的去离子水控制装置，将一个调节阀设置在向基座的喷嘴输送去离子水的通道上，以减弱去离子水喷射时的水压，减小去离子水对硅片的冲击。水压调小之后，通过喷嘴向硅片底面喷射的作用力减小，在不影响机台其他部件的工作而能够将硅片从基座上卸下的前提下，本发明专利技术对硅片中薄弱点的冲击变小，因而可以有效降低硅片破损的概率，提升了产品的合格率和产量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种基座及其中防止硅片出现X型缺陷的去离子水控制装置。
技术介绍
目前，例如当使用AMST101型机台，对硅片进行化学机械研磨(CMP)使其表面平坦化的处理时，参见图1和图2所示，在所述机台I中设有一基座2 (pedestal)，能够对传送到机台I内的硅片5进行装卸:在该基座2的中心有一个开口 3，用来抽真空7，这样通过与娃片5上方的大气压6相比产生压力差,从而将娃片5固定于基座2之上；多个喷嘴4 (例如8个)在基座2表面上排列为X型，通过向上喷射去离子水(DIW)到硅片5的底面，来抵抗所述的压力差，进而将硅片5从基座2上释放。然而，如图4所示，在完成该项工艺处理后，通过扫描会发现硅片5上存在着排列为X型的缺陷，即，缺陷大多集中在与基座上X型排列的喷嘴相对应的位置。原因在于，如图3所示，对于硅片5上形成的器件来说，其底部为金属层51，上面是氧化层52，还在氧化层52中形成有金属注射区域53 (MIM)，而所述金属注射区域53与氧化层52交界处54的抗压能力较弱；在硅片5装卸的过程中，由于喷嘴喷出的去离子水压力过大时，会使金属层51发生变形，往往就会进一步在上述的交界处54发生破裂，影响产品的合格率和产量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决上述问题，提供一种基座及其中防止硅片出现X型缺陷的去离子水控制装置，以控制并降低去离子水向硅片底面喷射的压力，减少硅片中薄弱点的受力，降低硅片破损概率，提升产品合格率和产量。为了达到上述目的，本专利技术的一个技术方案是提供一种防止硅片出现X型缺陷的去离子水控制装置，用于控制基座上从喷嘴向硅片底面喷射的去离子水的水压，多个所述喷嘴在基座上分布为X型，通过喷射的去离子水抵抗基座上下固定硅片用的压力差，来使该硅片释放；所述去离子水控制装置包含一个调节阀，其设置在向基座的喷嘴输送去离子水的通道上，以减弱去离子水喷射时的水压，减小去离子水对硅片的冲击。一个具体的实施例中，去离子水从其储存设备输送至一个总进水阀后分为若干路，通过在分出的其中一路通道上设置所述调节阀，将去离子水的水压减弱后输送到一个气动阀的入口 ；所述气动阀的控制端在接收到驱动用的压缩空气时，通过该气动阀的出口将去离子水输送到基座内的管道，并通过这些管道输送到喷嘴。优选地，所述调节阀是常开阀；流出所述调节阀时的水压，是流入该调节阀时水压的 30%?50%。优选地，流出所述调节阀时的水压，是流入该调节阀时水压的40%。本专利技术的另一个技术方案是提供一种基座，能够对放置于上面的硅片进行装卸，在所述基座的中心设置有抽真空的开口 ；在硅片上方的大气压与基座下方的真空形成压力差，将硅片固定于基座之上；多个喷嘴在基座表面上排列为X型，通过向上喷射去离子水到硅片的底面，来抵抗所述的压力差，进而将硅片从基座上释放；为所述基座配置有上述任意一项所述的去离子水控制装置，通过向喷嘴输送去离子水的通道上设置有调节阀，以减弱去离子水喷射时的水压，减小去离子水对硅片的冲击。综上所述，本专利技术的去离子水控制装置，结构简单，安装方便，能够降低去离子水向硅片底面喷射时的压力，有效减少硅片中薄弱点的受力，降低硅片破损概率，提升产品合格率和产量。【附图说明】 图1是基座的结构不意图； 图2是基座对硅片进行装卸的原理图； 图3是硅片上形成的任意一个示例器件的结构图； 图4是硅片上出现X型缺陷的示意图； 图5是本专利技术所述去离子水控制装置的连接结构示意图； 图6是在本专利技术所述装置作用下，硅片上不再产生X型缺陷的示意图。【具体实施方式】如图5所示，本专利技术所述防止硅片5出现X型缺陷的去离子水控制装置，适用于对硅片5进行化学机械研磨(CMP)等处理的机台1，这些硅片5中的器件各自都形成有内金属介电层(MD)。配合参见图1、2、图3所示，这种机台I的基座2上设置有排列成X型的多个喷嘴4，在制程完成后能够向置于基座2上的硅片5底面喷射去离子水，从而抵抗基座2上下产生固定硅片5所需的压力差，使该硅片5释放(图中省略了对基座2中其他部件的描绘)。本专利技术所述的装置，包含一个调节阀20，设置在向基座2的喷嘴4输送去离子水的通道上，用来调节去离子水，特别是减弱去离子水的水压。具体来说，去离子水从其储存设备输送至一个总进水阀10，在该总进水阀10处分为多路，例如有几路通过相应的控制阀流向生成研磨液的装置等等，而其中有一路通过所述调节阀20流到一个气动阀30;所述气动阀30的出口连通到基座2内的管道，当该气动阀30的控制端收到驱动用的压缩空气31时，能够将去离子水通过这些管道输送到喷嘴4。所述调节阀是常开阀，其能够将通过气动阀流到基座2的去离子水的水压调小，例如调整到原先没有装设该调节阀时水压的309Γ50%，优选是原先水压的40%。如图6所示，通过对卸下的硅片5进行扫描，发现缺陷减少，并且也不再呈现X型分布。若基座2的喷嘴4是以其他方式排列的，则本专利技术所述的装置同样能够适用，以致力于防止与该排列方式相应的缺陷出现。水压调小之后，通过喷嘴4向硅片5底面喷射的作用力减小，在不影响机台I其他部件的工作而能够将硅片5从基座2上卸下的前提下，本专利技术对硅片5中薄弱点(类似于图3所示器件中金属注射区域与氧化层的交界处等等)的冲击变小，因而可以有效降低硅片5破损的概率，产品合格率和产量得到了提升。尽管本专利技术的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本专利技术的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本专利技术的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本专利技术的保护范围应由所附的权利要求来限定。【主权项】1.一种防止硅片出现X型缺陷的去离子水控制装置，用于控制基座上从喷嘴向硅片底面喷射的去离子水的水压，多个所述喷嘴在基座上分布为X型，通过喷射的去离子水抵抗基座上下固定硅片用的压力差，来使该硅片释放，其特征在于，所述去离子水控制装置包含一个调节阀，其设置在向基座的喷嘴输送去离子水的通道上，以减弱去离子水喷射时的水压，减小去离子水对硅片的冲击。2.如权利要求1所述的去离子水控制装置，其特征在于， 去离子水从其储存设备输送至一个总进水阀后分为若干路，通过在分出的其中一路通道上设置所述调节阀，将去离子水的水压减弱后输送到一个气动阀的入口 ；所述气动阀的控制端在接收到驱动用的压缩空气时，通过该气动阀的出口将去离子水输送到基座内的管道，并通过这些管道输送到喷嘴。3.如权利要求2所述的去离子水控制装置，其特征在于， 所述调节阀是常开阀；流出所述调节阀时的水压，是流入该调节阀时水压的309Γ50%。4.如权利要求3所述的去离子水控制装置，其特征在于， 流出所述调节阀时的水压，是流入该调节阀时水压的40%。5.一种基座，能够对放置于上面的硅片进行装卸，其特征在于，在所述基座的中心设置有抽真空的开口 ；在娃片上方的大气压与基座下方的真空形成压力差，将娃片固定于基座之上；多个喷嘴在基座表面上排列为X型，通过向上喷射去离子水到硅片的底面，来抵抗所述的压力差，进而将硅片从基座上释放；为所述基座配置有如权利要求广4中任意一项所述的去离子水控制装置，通过向喷嘴输送去离子水的通道上设置有调节阀，以减弱去离子水喷射时的水压，减小去离子水本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种防止硅片出现X型缺陷的去离子水控制装置，用于控制基座上从喷嘴向硅片底面喷射的去离子水的水压，多个所述喷嘴在基座上分布为X型，通过喷射的去离子水抵抗基座上下固定硅片用的压力差，来使该硅片释放，其特征在于，所述去离子水控制装置包含一个调节阀，其设置在向基座的喷嘴输送去离子水的通道上，以减弱去离子水喷射时的水压，减小去离子水对硅片的冲击。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邱麟，张中连，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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