半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法。将去离子水搅拌或振动为不稳定水环境，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中２４～３５秒，将氧化物腐蚀片提出去离子水后抖动２～５下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀，该方法采用去离子水作为湿化代理物，优选了侵润时间和腐蚀前对腐蚀片附着去离子水的德工艺要求，降低了生产成本，操作简便，进入腐蚀液后可以达到快速浸润腐蚀的效果，尤其是该浸润方法不使用化学品，可以降低生产成本，能够解决该产品在氧化物腐蚀过程中快速浸润到腐蚀液的问题，同时不影响该产品的腐蚀均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件氧化物腐蚀表面处理的新工艺，特别涉及一种半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法。
技术介绍
湿化代理物是半导体器件生产过程中，为保证晶片表面氧化物或金属腐蚀前使用的化学品，其作用是对待腐蚀的表面进行活化处理，使整个表面在腐蚀的过程中腐蚀速率保持一致，从而避免出现局部腐蚀不干净或过腐蚀的现象，进而保证产品的均匀性和成品率。目前，半导体器件氧化物腐蚀前使用化学品作为湿化代理物，此方法使用化学品成本高，还需要配置腐蚀液，操作复杂。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服上述现有技术的缺点，提供一种半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法。为解决上述的技术问题，本专利技术采用如下的技术方案，该方案包括以下步骤：a)将去离子水搅拌或振动为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中24～35秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后抖动2～5下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。本专利技术的有益效果：本专利技术采用去离子水作为湿化代理物，优选了侵润时间和腐蚀前对腐蚀片附着去离子水的德工艺要求，降低了生产成本低，操作简便，进入腐蚀液后可以达到快速浸润腐蚀的效果，尤其是该浸润方法不使用化学品，可以降低生产成本，能够解决该产品在氧化物腐蚀过程中快速浸润到腐蚀液的问题，同时不影响该产品的腐蚀均匀性。具体实施方式实施例1：a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中26秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动2下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。实施例2：a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中27秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动2下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。-->实施例1：a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中28秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动3下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。实施例1：a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中29秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动4下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。实施例1：a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中30秒；c)将氧化物腐蚀片出提去离子水后上下抖动4下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。实施例1：a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中31秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动5下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。实施例1：a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中32秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动5下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。实施例1：a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中33秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动4下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。实施例1：a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中34秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动3下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。实施例1：a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中35秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动2下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。-->以上所述的仅是本专利技术的优选实例。应当指出对于本领域的普通技术人员来说，在本技术所提供的技术启示下，作为本领域的公知常识，还可以做出其它等同变型和改进，也应视为本技术的保护范围。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：ａ）将去离子水搅拌或振动为不稳定水环境；ｂ）在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中２４～３５秒；ｃ）将氧化物腐蚀片提出去离子水后抖动２～５下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：a)将去离子水搅拌或振动为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中24～35秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后抖动2～5下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐谦刚，张晓情，王林，蒲耀川，李昊，王武汉，王雪梅，
申请(专利权)人：天水天光半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：62[中国|甘肃]