【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子束蒸发镀膜，尤其是涉及一种镍金属源块结构。
技术介绍
1、电子束蒸发是目前真空镀膜技术中一种成熟且主要的镀膜方法。
2、正面金属蒸发金属结构可以为tiniag。ni为固态的沉积材料，称为蒸镀源，在镀膜过程中，需要将镍金属(ni)熔化，形状为倒圆台形，且顶面加工一个圆形凹槽。蒸镀源将被放置在一只由高温材料所制成的水冷铜坩埚内。在凹槽内放置许多颗粒状的镍金属块，利用电子枪对金属块进行加热，利用坩埚对蒸镀源进行加热，通过上下加热的方式将蒸镀源和镍金属块熔融为一块镍蒸镀源，然而，上述过程中易出现镍蒸镀源气爆的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种镍金属源块结构，以缓解现有蒸镀过程中，蒸镀源出现的气爆问题。
2、本专利技术实施例提供的一种镍金属源块结构，包括：
3、一主体，所述主体包括倒梯形的纵向截面，所述主体包括对应所述倒梯形顶部的溅射蒸发面及对应所述倒梯形底部的加热面；
4、一第一热传导结构，设置于所述溅射蒸发面与所述加热面之间，用于降低热量自所述加热面传导至所述溅射蒸发面的速度。
5、进一步的，所述蒸发面设置有以一预定图形为横截面的凹陷，所述第一热传导结构包括，将所述凹陷的深度由一第一预设值减少至一第二预设值。
6、进一步的，所述第一预设值为5mm±0.25mm，所述第二预设值为1.5mm±0.25mm；和/或
7、所述凹陷底部至所述加热面之间的垂直距离为14.5mm±
8、进一步的，还包括第二热传导结构，所述第二热传导结构设置于所述第一热传导结构与所述加热面之间。
9、进一步的，所述第二热传导结构包括，复数个贯穿所述主体，且开口均布于所述主体表面的孔。
10、进一步的，所述孔设置复数层。
11、进一步的，所述第二热传导结构包括，复数个开口均布于所述主体表面的盲孔。
12、进一步的，所述主体包括：
13、一第一部件，所述第一热传导结构设置于所述第一部件上；
14、一第二部件，所述第二热传导结构设置于所述第二部件或设置于所述第一部件和所述第二部件上；
15、所述第一部件与所述第二部件嵌合构成所述主体。
16、进一步的，所述第一部件与所述第二部件嵌合后于所述主体内形成空腔。
17、进一步的，所述空腔包括分别形成于所述第一部件底面及所述第二部件顶面的，相互对应的，同心的环形槽。
18、本专利技术提供的镍金属源块结构包括：一主体，所述主体包括倒梯形的纵向截面，所述主体包括对应所述倒梯形顶部的溅射蒸发面及对应所述倒梯形底部的加热面；一第一热传导结构，设置于所述溅射蒸发面与所述加热面之间，用于降低热量自所述加热面传导至所述溅射蒸发面的速度。本实施方式中，金属源块结构的溅射蒸发面与所述加热面之间设置有第一热传导结构，第一热传导结构用于降低热量自所述加热面传导至所述溅射蒸发面的速度，在镍金属源块结构下方的加热面受到的热量不变的情况下，传递到溅射蒸发面的热量所需要的时间更长，镍金属源块结构熔化放缓，熔化过程中的气体释放速率就降低了，因此，缓解了气爆问题。
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1.一种镍金属源块结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的镍金属源块结构，其特征在于，所述蒸发面设置有以一预定图形为横截面的凹陷(200)，所述第一热传导结构包括，将所述凹陷(200)的深度由一第一预设值减少至一第二预设值。
3.如权利要求2所述的镍金属源块结构，其特征在于，所述第一预设值为5mm±0.25mm，所述第二预设值为1.5mm±0.25mm；和/或
4.如权利要求2所述的镍金属源块结构，其特征在于，还包括第二热传导结构，所述第二热传导结构设置于所述第一热传导结构与所述加热面之间。
5.如权利要求4所述的镍金属源块结构，其特征在于，所述第二热传导结构包括，复数个贯穿所述主体(100)，且开口均布于所述主体(100)表面的孔(300)。
6.如权利要求5所述的镍金属源块结构，其特征在于，所述孔(300)设置复数层。
7.如权利要求4所述的镍金属源块结构，其特征在于，所述第二热传导结构包括，复数个开口均布于所述主体(100)表面的盲孔(300)。
8.如权利要求7所述的镍金属源块结构
9.如权利要求8所述的镍金属源块结构，其特征在于，所述第一部件与所述第二部件嵌合后于所述主体(100)内形成空腔。
10.如权利要求9所述的镍金属源块结构，其特征在于，所述空腔包括分别形成于所述第一部件底面及所述第二部件顶面的，相互对应的，同心的环形槽。
...【技术特征摘要】
1.一种镍金属源块结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的镍金属源块结构，其特征在于，所述蒸发面设置有以一预定图形为横截面的凹陷(200)，所述第一热传导结构包括，将所述凹陷(200)的深度由一第一预设值减少至一第二预设值。
3.如权利要求2所述的镍金属源块结构，其特征在于，所述第一预设值为5mm±0.25mm，所述第二预设值为1.5mm±0.25mm；和/或
4.如权利要求2所述的镍金属源块结构，其特征在于，还包括第二热传导结构，所述第二热传导结构设置于所述第一热传导结构与所述加热面之间。
5.如权利要求4所述的镍金属源块结构，其特征在于，所述第二热传导结构包括，复数个贯穿所述主体(100)...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘云洁，马玉霞，刘婉娜，张静，任亚龙，王永功，庄立强，雷亚平，任雄，武可宏，
申请(专利权)人：天水天光半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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