【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，尤其是涉及一种晶圆切割方法。
技术介绍
1、为了降低功率器件的功耗，功率器件的厚度被要求越来越薄。
2、然而，随着功率器件的厚度变的越来越薄，划片工序造成的晶圆背面崩边现象变得越来越严重，极大的降低了功率器件的生产良率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种晶圆切割方法，以缓解现有技术中划片过程中，晶圆背面崩边的技术问题。
2、本专利技术实施例提供的一种晶圆切割方法，包括：
3、步骤s10.提供一晶圆，所述晶圆的正面制备有一功率器件阵列，所述功率器件阵列通过划片槽分隔；
4、步骤s20.对所述晶圆的背面进行减薄；
5、步骤s30.在所述晶圆的背面形成凹槽，使每个所述凹槽与所述晶圆正面的所述功率器件阵列中的一列功率器件位置对应；
6、步骤s40.在凹槽内制备对应所述功率器件的背面电极；
7、步骤s50.通过所述划片槽对所述晶圆进行划片。
8、进一步的，所述步骤s
【技术保护点】
1.一种晶圆切割方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述步骤S30具体包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述步骤S40具体包括：
4.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，方法还包括：
5.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述步骤S20中，减薄所述晶圆至300um－325um；和/或
6.一种晶圆切割方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述步骤S300具体包括：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。