电平移位电路制造技术

本申请提供一种电平移位电路，该电路包括：电压转换模块、第一噪声消除模块、第二噪声消除模块及输出模块；电压转换模块的第一输入端接入第一脉冲信号，第二输入端接入第二脉冲信号，第一输出端与第一噪声消除模块的第一输入端及第二噪声消除模块的第一输入端连接，第二输出端与第一噪声消除模块的第二输入端及第二噪声消除模块的第二输入端连接；第一噪声消除模块的四个输出端分别与第二噪声消除模块的四个输入端连接；第二噪声消除模块的两个输出端分别与输出模块的两个输入端连接，输出模块的两个输出端交替输出浮动电压源和浮动地；第一噪声消除模块通过交叉耦合消除共模电流，第二噪声消除模块抑制共模净电流，并降低传输时延。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种电平移位电路。

技术介绍

1、为了驱动功率绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor，简称igbt）器件，需要在信号控制电路和功率igbt器件之间设计驱动电路，以实现功率igbt器件的通断。驱动电路主要通过高压电平移位电路实现功率电源和功率地与高侧浮动电源和高侧浮动地之间的转换。然而，高压电平移位电路在工作过程中会受到功率igbt器件的开关节点电压快速变换所带来的干扰，即dv/dt瞬态干扰。

2、目前，主要通过电阻-电容滤波器来抑制dv/dt瞬态干扰，但电阻-电容滤波器存在结构复杂、抗噪能力较低及传输延时较大的弊端。因此，亟需提供一种可抑制瞬态干扰并降低传输时延的电压电平移位电路。

技术实现思路

1、本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种电平移位电路，以解决现有技术中通过电阻-电容滤波器来抑制dv/dt瞬态干扰时存在结构复杂、抗噪能力较低及传输延时较大的实际需要的问题。

2、为实现上述目的，本申本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电平移位电路，其特征在于，包括：电压转换模块、第一噪声消除模块、第二噪声消除模块以及输出模块；

2.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述第一噪声消除模块包括：第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜以及第四电流镜；

3.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述第二噪声消除模块包括：第一传输门以及第二传输门；

4.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述输出模块包括：第五电流镜、第六电流镜、锁存器、第一反相器以及第二反相器；

5.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述电压转换模块包括：第一横向扩...

【技术特征摘要】

1.一种电平移位电路，其特征在于，包括：电压转换模块、第一噪声消除模块、第二噪声消除模块以及输出模块；

2.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述第一噪声消除模块包括：第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜以及第四电流镜；

3.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述第二噪声消除模块包括：第一传输门以及第二传输门；

4.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述输出模块包括：第五电流镜、第六电流镜、锁存器、第一反相器以及第二反相器；

5.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述电压转换模块包括：第一横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管ldmos管以及第二ldmos管；

6.根据权利要求2所述的电平移位电路，其特征在于，所述第一电流镜包括：第一p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管pmos管、第三pmos管以及第四pmos管；所述第二电流镜包括：第二pmos管、第五pmos管以及第六pmos管；

7.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢宇，苏继兵，张诚，耿梦丹，李应龙，李文军，蒲耀川，
申请(专利权)人：天水天光半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：