一种Topcon背膜氨气预处理方法技术

技术编号:40873032 阅读:69 留言:0更新日期:2024-04-08 16:40
本发明专利技术公开一种Topcon背膜氨气预处理方法,采用新的背膜氨气预处理工艺,能够产生更好的钝化效果,再经过烧结时,激活氮化硅膜层中的H原子,能够达到有效地提升Voc与FF的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池加工,具体为一种topcon背膜氨气预处理方法。


技术介绍

1、当前主流背膜钝化层主要为氧化铝加氮化硅叠层,多层氮化硅结构可以很好地控制沉积过程中的镀膜速率,也保留了钝化效果,但由于topcon工艺,经过高温退火后,原本磷烷所掺杂的氢被分为两部分,一部分氢向内扩散,钝化了多晶硅及晶硅体内的缺陷,另一部分向外逃逸,造成钝化效果减弱。


技术实现思路

1、本部分的目的在于概述本专利技术的实施方式的一些方面以及简要介绍一些较佳实施方式。在本部分以及本申请的说明书摘要和专利技术名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和专利技术名称的目的模糊,而这种简化或省略不能用于限制本专利技术的范围。

2、鉴于上述和/或现有一种topcon背膜氨气预处理方法中存在的问题,提出了本专利技术。

3、因此,本专利技术的目的是提供一种topcon背膜氨气预处理方法,采用新的背膜氨气预处理工艺,能够产生更好的钝化效果,再经过烧结时,激活氮化硅膜层中的h原子,能够达到有效地提升voc与本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Topcon背膜氨气预处理方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种Topcon背膜氨气预处理方法,其特征在于,在所述步骤S1中,制绒使用单晶制绒机在硅片表面制作绒面结构,制绒完毕后对硅片进行清洗,将硅片放入超声波清洗机后加入纯水,并分别按配比添加适量的碱液或清洗液进行清洗,再进行纯水清洗,经纯水清洗后硅片传输至烘干机中,向硅片上下吹热风烘干。

3.根据权利要求1所述的一种Topcon背膜氨气预处理方法,其特征在于,在所述步骤S1中,扩散工艺为将制绒清洗后的硅片送入扩散炉中,通过电加热,待扩散炉石英管中温度升至850℃左右并且恒定后,采用N2鼓...

【技术特征摘要】

1.一种topcon背膜氨气预处理方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种topcon背膜氨气预处理方法,其特征在于,在所述步骤s1中,制绒使用单晶制绒机在硅片表面制作绒面结构,制绒完毕后对硅片进行清洗,将硅片放入超声波清洗机后加入纯水,并分别按配比添加适量的碱液或清洗液进行清洗,再进行纯水清洗,经纯水清洗后硅片传输至烘干机中,向硅片上下吹热风烘干。

3.根据权利要求1所述的一种topcon背膜氨气预处理方法,其特征在于,在所述步骤s1中,扩散工艺为将制绒清洗后的硅片送入扩散炉中,通过电加热,待扩散炉石英管中温度升至850℃左右并且恒定后,采用n2鼓泡携源法进行磷扩散,扩散后的硅片经少子寿命测试仪进行少子寿命测试,合格产品进入后续后清洗工艺,不合格产品重新进行扩散工艺。

4.根据权利要求1所述的一种topcon背膜氨气预处理方法,其特征在于,在所述步骤s1中蚀刻抛光工艺为硅片在刻蚀槽,使用hf/hno3混酸,去除背面和四周p-n结,同时背面进行初略酸抛光,再使用纯水喷淋清洗,然后使用koh溶液去除硅...

【专利技术属性】
技术研发人员:汤文辉吴宇徐明靖
申请(专利权)人:滁州亿晶光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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