给去离子水充碳酸气的设备、系统和方法技术方案

提供了用于湿法清洁半导体器件的设备、系统和方法。具体说来，提供了可用来输送含所需浓度ＣＯ↓［２］的去离子水的系统，以及用来产生含所需浓度ＣＯ↓［２］的去离子水的方法，所述系统和方法可用于湿法清洁半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及在半导体器件的湿法清洁中所用的设备、系统和方法。具体地，本专利技术涉及输送含所需浓度CO2的去离子水的系统，以及产生含所需浓度CO2的去离子水的方法，所述系统和方法用于半导体器件的湿法清洁。
技术介绍
诸如集成电路这样的微电子芯片是由较大的半导体材料晶片制得的。此过程通常涉及多个连续步骤，包括：通过光刻法产生蚀刻掩模；在掩模的限定下蚀刻材料层；通过湿法化学技术和干法化学技术的某种组合清除光刻掩模；以及沉积材料层。光刻掩模是由称作光致抗蚀剂的聚合物材料形成的。清除光致抗蚀掩模后，通常还要进行最后的清洁步骤，称作漂洗或湿法清洁。在这样漂洗半导体器件的过程中使用去离子(DI)水是公知的。要防止器件发生任何金属腐蚀和污染也是公知的。为了使湿法清洁更加有效，常常将诸如二氧化碳(CO2)和氮气(N2)这样的气体与去离子水混合起来。用充碳酸气的去离子(DI-CO2)水漂洗是电惰性过程，可进行无损伤清洁，同时保持器件的完整性。控制这些气体的比例需要相当复杂的仪本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对去离子水充碳酸气的系统，其包括：　ａ）去离子水源；　ｂ）二氧化碳气源；　ｃ）与水源和气源流体连通的接触室，所述接触室产生充碳酸气的去离子水，所述接触室具有排出充碳酸气的去离子水的出口；　ｄ）至少一个与所述出口流 体连通的传感器，用于测量充碳酸气的去离子水的参数；　ｅ）与所述传感器连接的前馈回路，用于调节接触室中产生的充碳酸气的去离子水的电导率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2006-10-17 60/852,2651.一种对去离子水充碳酸气的系统，其包括：
a)去离子水源；
b)二氧化碳气源；
c)与水源和气源流体连通的接触室，所述接触室产生充碳酸气的去离子
水，所述接触室具有排出充碳酸气的去离子水的出口；
d)至少一个与所述出口流体连通的传感器，用于测量充碳酸气的去离子
水的参数；
e)与所述传感器连接的前馈回路，用于调节接触室中产生的充碳酸气的
去离子水的电导率。
2.如权利要求1所述的系统，其还包括至少一个与所述气源和所述接触室流体
连通的质流控制器，用于控制进入接触室的二氧化碳气体的量和流速。
3.如权利要求2所述的系统，其还包括与所述至少一个传感器和所述至少一个
质流控制器连接的反馈回路，用于调节二氧化碳气体的量，使充碳酸气的去离子水
获得指定电导率。
4.如权利要求2所述的系统，其还包括至少四个质流控制器。
5.如权利要求1所述的系统，其还包括至少三个传感器。
6.如权利要求1所述的系统，其还包括处理器，用于接收来自所述至少一个传
感器的参数。
7.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述参数包括充碳酸气的去离子水
的流速、温度和电导率。
8.如权利要求1所述的系统，其还包括与所述去离子水源、所述接触室和所述
至少一个传感器流体连通的旁路单元。
9.一种产生充碳酸气的去离子水的方法，其包括：
a)向接触室供应去离...

【专利技术属性】
技术研发人员：J塞沃特，U布拉默，C戈茨查克，J洛尔，
申请(专利权)人：MKS仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]