【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及一种用于化学处理半导体晶圆表面，以及清洁、蚀刻和其它处理的装置。
技术介绍
晶圆是生产集成电路所用的载体。在实际生产中需要制备的晶圆具有平整、超清洁的表面，而用于制备超清洁晶圆表面的现有方法可分为两种类别诸如浸没与喷射技术的湿法处理过程，及诸如基于化学气相与等离子技术的干法处理过程。其中湿法处理过程是现有技术采用较为广泛的方法，湿法处理过程通常包括采用适当化学溶液浸没半导体晶圆或喷射半导体晶圆等一连串步骤组成。 现有技术中包含一种采用湿法处理过程对晶圆进行超清洁处理的装置。该装置中形成有一可以紧密接收并处理半导体晶圆的微腔室部，该微腔室部可处于打开状态以供装载与移除半导体晶圆，也可处于关闭状态以用于半导体晶圆的处理，其中处理过程中可将化学制剂及其它流体引入所述微腔室部中形成的空腔。所述打开状态和关闭状态由该装置中包含的两个驱动装置分别驱动构成所述微腔室的上、下两个工作表面沿垂直方向的相对移动来实现。在实际使用中发现，客户在利用化学制剂对半导体晶圆进行处理时有如下需求第一，在时间角度上调节处理速率的需求，也即某些情...
【技术保护点】
一种温控半导体处理装置，其特征在于，其包括：一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室部，半导体晶圆被装载于所述微腔室部内形成的空腔中，且半导体晶圆与所述空腔的内壁之间形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室部中还包括至少一个供处理流体进入所述空腔的入口和至少一个供处理流体排出所述空腔的出口，所述微腔室部还包括有设置于所述空腔的外围区域的温度控制模块。
【技术特征摘要】
1.一种温控半导体处理装置，其特征在于，其包括 一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室部，半导体晶圆被装载于所述微腔室部内形成的空腔中，且半导体晶圆与所述空腔的内壁之间形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室部中还包括至少一个供处理流体进入所述空腔的入口和至少一个供处理流体排出所述空腔的出口， 所述微腔室部还包括有设置于所述空腔的外围区域的温度控制模块。2.根据权利要求I所述的温控半导体处理装置，其特征在于，所述温度控制模块为形成于所述微腔室部中的一条曲折微通道，所述曲折微通道包括若干条首尾相接并且平行于所述空腔内壁的微通道，所述微腔室部中还包括对应于所述曲折微通道的导热媒介入口和导热媒介出口。3.根据权利要求I所述的温控半导体处理装置，其特征在于，所述温度控制模块为形成于所述微腔室部中的若干条平行于所述空腔内壁的微通道，所述微腔室部中还包括若干对对应于每条微通道的导热媒介入口和导热媒介出口。4.根据权利要求I所述的温控半导体处理装置，其特征在于，所述温度控制模块为形成于所述微腔室部中的一条曲折微通道，所述曲折微通道沿曲折路径延伸形成，所述曲折路径包括至少一条从中心向四周延伸的路径，所述中心对应于所述供处理流体进入所述空腔的入口。5.根据权利要求4所述的温控半导体处理装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：温子瑛，
申请(专利权)人：无锡华瑛微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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