切割膜制造技术

根据本发明专利技术，提供切割时的切屑和基材须的产生少、而且具有适合的强度和良好的外观的切割膜。本发明专利技术的切割膜，在基材膜的至少一个面具有粘接层，上述基材膜包含：（甲基）丙烯酸烷基酯的至少2种和苯乙烯的共聚物（A）；和苯乙烯类弹性体（B）。上述（甲基）丙烯酸烷基酯的至少2种和苯乙烯的共聚物（A）为苯乙烯-甲基丙烯酸烷基酯-丙烯酸烷基酯共聚物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及切割膜。本申请基于2010年9月13日在日本申请的特愿2010-204062号、和2010年9月30日在日本申请的特愿2010-220410号主张优选权，在此援用其内容。
技术介绍
在制造半导体装置的工序中，在切断半导体晶片或封装等半导体部件时使用切割膜。切割膜用于通过粘贴半导体部件，进行切割(切断、单片化)，再对该切割膜进行扩展等，来拾取上述半导体晶片等。一般而言，切割膜包括基材膜和粘接层。以往，作为基材膜大多使用聚氯乙烯(PVC)树脂膜。然而，由于防止由PVC树脂膜中含有的增塑剂的附着所造成的半导体部件的污染和对环境问题的意识的提高，所以最近开发了使用烯烃类树脂以及、乙烯-乙烯醇类树脂和乙烯甲基丙烯酸丙烯酸酯类树脂等非PVC树脂类材料的基材膜(例如参照专利文献I)。另外，近年来，在半导体部件的小型化和薄型化的发展中，产生了在切割膜的厚度精度存在偏差的情况下，在切割工序中切割刀片的接触的方式产生差别容易发生半导体晶片破裂的问题。另外，当膜厚精度存在偏差时，还会发生产生半导体部件的切割残留或切割时的切屑和基材须(从基材膜的切割线延伸的须状的切割残渣)并附着于半导体器件的问题。特别是在切断半导体封装时，大多使用厚度大的切割刀片，因此，与切断半导体晶片时相比，产生基材须的问题显著出现。另外，在将半导体部件粘贴于切割膜进行切割后，为了扩大切断后的半导体部件彼此的间隔，进行切割膜的扩展。此时，如果基材没有充分的韧性则还会发生切割膜断裂的问题。因此，需要在切割时能够抑制基材须、并且在扩展时基材不断裂的切割膜。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2003-25789
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术的目的在于提供在制造半导体时的切割工序中切屑和基材须的产生少、而且具有适合的扩展性的切割膜。用于解决技术问题的手段本专利技术的切割膜为在基材膜的至少一个面具有粘接层的切割膜，其中，上述基材膜包含:(甲基)丙烯酸烷基酯的至少2种和苯乙烯的共聚物(A);和苯乙烯类弹性体(B)。在本专利技术的切割膜中，上述(甲基)丙烯酸烷基酯的至少2种和苯乙烯的共聚物(A)可以为苯乙烯-甲基丙烯酸烷基酯-丙烯酸烷基酯共聚物。在本专利技术的切割膜中，上述苯乙烯类弹性体(B)可以为选自氢化乙烯基(苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯)共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物和它们的混合物中的至少I种苯乙烯类弹性体。在本专利技术的切割膜中，上述基材膜中的苯乙烯-甲基丙烯酸烷基酯-丙烯酸烷基酯共聚物(A)与上述苯乙烯类弹性体(B)的重量比率(A / B)可以为A / B = 65 / 35 45 / 55。在本专利技术的切割膜中，以下的断裂能评价试验中的基材膜的断裂能可以为15mJ以上。<断裂能评价试验>在作为试验片的基材膜的一个面以下述切创制作条件制作十字切创。将制作了切创的面朝向下侧，以下述的落锤试验条件对十字切创的交差点实施落锤试验。以基材膜断裂时的落锤前的锤的势能作为断裂能。<切创制作条件>使用刀片在厚度150 u m的基材膜呈十字制作深度80 u m、长度40mm以上的切创。<落锤试验条件>锤:1.02kg锤前端形状:直径20mm的半球状试验片固定形状:直径40mm的圆形状专利技术效果根据本专利技术，能够提供在制造半导体时的切割工序中切屑和基材须的产生少、而且具有适合的扩展性的切割膜。附图说明图1为表示本专利技术的切割膜的一个例子的概略截面图。图2为本专利技术的断裂能评价试验中使用的十字切创制作后的试验用膜。具体实施例方式本专利技术的切割膜，主要在制造半导体的工序中，切割(切断)半导体晶片或半导体封装等半导体部件时使用。上述切割膜，例如，用于通过粘贴于半导体晶片或半导体封装等，对半导体晶片等进行切割，然后进行扩展，来拾取切断半导体晶片而得到的半导体元件。本专利技术在切割膜的基材膜的构成成分中使用:(甲基)丙烯酸烷基酯的至少2种和苯乙烯的共聚物(A);和苯乙烯类弹性体(B)。由此，能够实现在降低由基材膜的树脂引起的基材须的产生的同时，重视切割膜的扩展性的设计。以下，使用附图对本专利技术的构成要件进行说明。〈基材膜〉本专利技术的切割膜10，如图1例示的那样，至少具有基材膜I和粘接层2。上述基材膜I包含:(甲基)丙烯酸烷基酯的至少2种和苯乙烯的共聚物(A);和苯乙烯类弹性体(B)。优选上述(甲基)丙烯酸烷基酯的至少2种和苯乙烯的共聚物(A)为苯乙烯-甲基丙烯酸烷基酯-丙烯酸烷基酯共聚物。通过使用苯乙烯-甲基丙烯酸烷基酯-丙烯酸烷基酯共聚物，能够进一步减少切割时的切屑和基材须的产生。作为上述苯乙烯类弹性体(B)，例如能够列举苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-异戊二烯共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物、氢化乙烯基(苯乙烯-异戍二烯-苯乙烯)共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物。其中特别优选为氢化乙烯基(苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯)共聚物。通过使用氢化乙烯基(苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯)共聚物，能够使基材膜的断裂强度更加优异，另外，能够进一步减少切割时的切屑和基材须的产生。另外，从提高基材层的断裂强度、并且降低切割时的切屑和须的同样的观点出发，优选为苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物或其与氢化乙烯基(苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯)共聚物的混合物，特别优选为苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物。优选上述基材膜I中的(甲基)丙烯酸烷基酯的至少2种和苯乙烯的共聚物(A)与苯乙烯类弹性体(B)的重量比率(A / B)为A / B = 65 / 35 45 / 55。通过将(甲基)丙烯酸烷基酯的至少2种和苯乙烯的共聚物(A)的重量比率设为上述范围下限值以上，抑制基材膜的基材须的效果变得优异，通过设为上述范围上限值以下，基材膜的断裂强度变得合适。如上述那样并用(甲基)丙烯酸烷基酯的至少2种和苯乙烯的共聚物(A)与苯乙烯类弹性体(B)的切割膜，在抑制基材须方面优异，适合在半导体部件加工工序中使用。除此之外，在使用包含(甲基)丙烯酸烷基酯的至少2种和苯乙烯的共聚物(A)与苯乙烯类弹性体(B)的基材膜I的切割膜10中，利用了苯乙烯的硬且脆的性质，因此可得到如下效果。第1，苯乙烯类基材由于基材膜的模量高，所以能够通过扩展工序进一步扩大芯片间隔。由此，拾取时芯片彼此碰撞的风险减少，可防止芯片缺损。其结果，半导体元件的可靠性提高。第2,从切割线的剥离(delamination)得到改善。苯乙烯类基材脆，因此存在断裂时的应力小的趋势。当断裂应力小时，切割刀片对基材膜施加的压力变小，因此，从切割线起20 30 左右剥离，具有减轻水从该剥离的部分浸入的效果。当发生剥离时，会造成芯片端面的污染。通过减轻剥离，半导体元件的可靠性提高。另外，在本专利技术的切割膜的基材膜中，能够在不损害本专利技术的效果的范围内根据目的添加各种树脂或添加剂等。例如，为了赋予抗静电性，能够添加聚醚/聚烯烃嵌段聚合物或聚醚酯酰胺嵌段聚合物等高分子型抗静电剂或炭黑等。特别地，在赋予防静电效果时，从与烯烃类树脂的相容性的观点出发，优选使用聚醚/聚烯烃共聚物的离子导电型抗静电齐U。另外，通过赋予弹性体能够提高断裂伸长率。切割本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.13 JP 2010-204062;2010.09.30 JP 2010-220411.种切割膜，其为在基材膜的至少一个面具有粘接层的切割膜，其特征在于: 所述基材膜包含:(甲基)丙烯酸烷基酯的至少2种和苯乙烯的共聚物(A);和苯乙烯类弹性体(B)。2.权利要求1所述的切割膜，其特征在于: 所述(甲基)丙烯酸烷基酯的至少2种和苯乙烯的共聚物(A)为苯乙烯-甲基丙烯酸烷基酯-丙烯酸烷基酯共聚物。3.权利要求1或2所述的切割膜，其特征在于: 所述苯乙烯类弹性体(B)为选自氢化乙烯基(苯乙烯-异戍二烯-苯乙烯)共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物和它们的混合物中的至少I种苯乙烯类弹性体。4.权利要求1 3中任一项所述的切割膜，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：丸山和彦，矶部雅俊，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：
国别省市：