切割膜制造技术

根据本发明专利技术，提供切割时的切屑和基材须的产生少、而且具有适合的强度和良好的外观的切割膜。本发明专利技术的切割膜，在基材膜的至少一个面具有粘接层，上述基材膜包含：（甲基）丙烯酸烷基酯的至少2种和苯乙烯的共聚物（A）；和苯乙烯类弹性体（B）。上述（甲基）丙烯酸烷基酯的至少2种和苯乙烯的共聚物（A）为苯乙烯-甲基丙烯酸烷基酯-丙烯酸烷基酯共聚物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及切割膜。本申请基于2010年9月13日在日本申请的特愿2010-204062号、和2010年9月30日在日本申请的特愿2010-220410号主张优选权，在此援用其内容。
技术介绍
在制造半导体装置的工序中，在切断半导体晶片或封装等半导体部件时使用切割膜。切割膜用于通过粘贴半导体部件，进行切割(切断、单片化)，再对该切割膜进行扩展等，来拾取上述半导体晶片等。一般而言，切割膜包括基材膜和粘接层。以往，作为基材膜大多使用聚氯乙烯(PVC)树脂膜。然而，由于防止由PVC树脂膜中含有的增塑剂的附着所造成的半导体部件的污染和对环境问题的意识的提高，所以最近开发了使用烯烃类树脂以及、乙烯-乙烯醇类树脂和乙烯甲基丙烯酸丙烯酸酯类树脂等非PVC树脂类材料的基材膜(例如参照专利文献I)。另外，近年来，在半导体部件的小型化和薄型化的发展中，产生了在切割膜的厚度精度存在偏差的情况下，在切割工序中切割刀片的接触的方式产生差别容易发生半导体晶片破裂的问题。另外，当膜厚精度存在偏差时，还会发生产生半导体部件的切割残留或切割时的切屑和基材须(从基材膜的切割线延伸的须状的切割残渣)并附着于半导体器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.13 JP 2010-204062;2010.09.30 JP 2010-220411.种切割膜，其为在基材膜的至少一个面具有粘接层的切割膜，其特征在于: 所述基材膜包含:(甲基)丙烯酸烷基酯的至少2种和苯乙烯的共聚物(A);和苯乙烯类弹性体(B)。2.权利要求1所述的切割膜，其特征在于: 所述(甲基)丙烯酸烷基酯的至少2种和苯乙烯的共聚物(A)为苯乙烯-甲基丙烯酸烷基酯-丙烯酸烷基酯共聚物。3.权利要求1或2所述的切割膜，其特征在于: 所述苯乙烯类弹性体(B)为选自氢化乙烯基(苯乙烯-异戍二烯-苯乙烯)共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物和它们的混合物中的至少I种苯乙烯类弹性体。4.权利要求1 3中任一项所述的切割膜，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：丸山和彦，矶部雅俊，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：
国别省市：