切割用粘合片及使用了切割用粘合片的半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供在对半导体晶圆进行激光划片时可防止吸附工作台损伤的切割用粘合片。本发明专利技术提供一种切割用粘合片，其为具有基材和设置在基材上的粘合剂层的切割用粘合片，在粘合剂层中，相对于100重量份树脂固体成分，含有0.02～5重量份的紫外线吸收剂，切割用粘合片在波长355nm下的透光率为30～80%。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及切割用粘合片。尤其涉及在具有激光划片工序的半导体装置的制造方法中使用的切割用粘合片。另外本专利技术涉及使用了前述切割用粘合片的半导体装置的制造方法。
技术介绍
目前，存在将激光切割片粘贴于半导体晶圆后，对前述半导体晶圆照射激光束，将该半导体晶圆单片化的半导体芯片的制造方法(所谓激光切割)(例如参照专利文献1、专利文献2)。在专利文献I所记载的半导体芯片的制造方法中，将激光切割片粘贴在半导体晶圆上，在使激光切割片吸附于吸附工作台的状态下对半导体晶圆进行加工。另外，在专利文献2所记载的半导体芯片的制造方法中，自激光切割片的粘贴面侧对半导体晶圆照射激光束。另外，目前，随着形成于半导体芯片的电路图案的微细化，电路之间的距离变近，因此接近的电路间的电容增大。于是，与其成比例地产生流过电路的信号变得迟缓这样的现象(信号延迟)。因此，提出了使用介电常数低的所谓low-k材料(低介电材料)在电路上形成低介电材料层、降低电路间电容的方案。作为上述低介电材料层，例如可列举出SiOJ^相对介电常数k = 4.2)、SiOF膜(k = 3.5 3.7)、Si0C膜(k = 2.5 2.8)等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.11 JP 2011-1527691.一种切割用粘合片，其特征在于，其为具有基材和设置在所述基材上的粘合剂层的切割用粘合片， 在所述粘合剂层中，相对于100重量份树脂固体成分，含有0.02 5重量份的紫外线吸收剂， 所述切割用粘合片在波长355nm下的透光率为30 80%。2.根据权利要求1所述的切割用粘合片，其特征在于，所述基材在波长355nm下的透光率为70 100%。3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木贵俊，水野浩二，浅井文辉，志贺豪士，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：
国别省市：