【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有气体注射分配装置的喷头组件专利技术背景专利
本专利技术的实施方式一般涉及用于在基板上进行化学气相沉积(chemical vapordeposition;CVD)的方法及装置，并且具体而言涉及用于金属有机化学气相沉积(metalorganic chemical vapor deposition;MOCVD)和 / 或氢化物气相外延(hydride vaporphase epitaxy; HVPE)的喷头设计。相关技术的描述在如短波长发光二极管(LED)、激光二极管(LD)以及包括高功率、高频率、高温晶体管和集成电路的电子装置的各种半导体装置的开发和制造中，II1-V族薄膜的重要性日益凸显。例如，短波长(如蓝/绿至紫外线波长)LED的制造使用了 III族氮化物半导体材料氮化镓(GaN)。观察已经证明，与使用如I1-VI族材料的非氮化物半导体材料制造的短波长LED相比，使用GaN制造的短波长LED可提供明显更高的效率及更长的使用寿命。已经被用于沉积如GaN的III族氮化物的一种方法是金属有机化学气相沉积(MOCVD)。此种化学气相沉积方法通常在环境温度受控的反应...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.16 US 12/856,747;2010.09.13 US 61/382,1761.一种喷头组件，包括: 喷头，所述喷头具有设置在所述喷头中的第一气体歧管； 多个第一气体导管，所述第一气体导管穿过所述喷头延伸且将所述第一气体歧管流体耦接至所述喷头的出口表面；以及 多个气体分配装置，每个所述气体分配装置中都形成有环形孔口，所述环形孔口与所述第一气体歧管流体连通且被配置为耦接至气源。2.按权利要求1所述的组件，进一步包括穿过所述喷头设置的中心导管，且其中所述多个气体分配装置绕所述中心导管同心放置。3.按权利要求1所述的组件，其中每个气体分配装置包括圆柱形主体部，所述圆柱形主体部安装到中心部，从而穿过所述气体分配装置形成环形气体通道且所述环形气体通道耦接至所述环形孔口。4.按权利要求3所述的组件，其中所述中心部包括伸入所述第一处理气体歧管的截头圆锥部和延伸自所述第一处理气体歧管内的截头圆锥部的分配部。5.按权利要求4所述的组件，其中所述分配部为圆盘状部件，且所述分配部与所述圆柱形主体部的相对放置使得流经所述环形气体通道的气体穿过所述环形孔口均匀分配。6.按权利要求1所述的组件，进一步包括: 第二气体歧管和温度控制歧管，所述第二气体歧管设置在所述喷头中且与所述第一气体歧管分开，而所述温度控制歧管形成于所述喷头中且与所述第一气体歧管和第二气体歧管分开；以及 多个第二气体导管，所述第二气体导管穿过所述温度控制歧管延伸且将所述第二气体歧管流体耦接至所述喷头的所述出口表面，其中所述第一气体导管穿过所述温度控制歧管延伸。7.按权利要求6所述的组件，进一步包括: 设置在所述喷头中的第三气体歧管，所述第三气体歧管绕所述第一气体歧管同心且与第二多个气体分配装置流体连通； 多个第三气体导管，所述第三气体导管穿过所述温度控制歧管延伸且将所述第三气体歧管流体耦接至所述喷头的所述出口表面； 设置在所述喷头中的第四气体歧管，所述第四气体歧管绕所述第二气体歧管同心；以及 多个第四气体导管，所述第四气体导管穿过所述温度控制歧管延伸且将所述第四气体歧管流体耦接至所述喷头的所述出口表面。8.一种基板处理装置，包括: 腔室主体； 基板支架；以及 喷头组件，其中处理空间由所述腔室主体、所述基板支架及所述喷头组件限定，且其中所述喷头组件包括: 喷头，所述喷头具有形成在所述喷头中的第一气体歧管； 多个第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大·塔姆，常安忠，桑姆特·阿查利雅，唐纳德·J·K·奥尔加多，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：
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