半导体装置用薄膜以及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种带有切割片的胶粘薄膜，将在切割薄膜（11）上层叠有胶粘薄膜（12）的带有切割片的胶粘薄膜（1）以预定的间隔层叠在覆盖薄膜（2）上而得到半导体装置用薄膜（10），将半导体装置用薄膜（10）卷绕为卷筒状时可以保持转印痕迹的抑制功能并且覆盖薄膜的前端伸出（引出）容易，可靠性优良。本发明专利技术的半导体装置用薄膜，在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到，其中，23℃下切割薄膜的拉伸储能模量Ea与23℃下覆盖薄膜的拉伸储能模量Eb之比Ea/Eb在0.001～100的范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置用薄膜以及使用该半导体装置用薄膜制造的半导体装置。
技术介绍
以往，在半导体装置的制造过程中，在往引线框或电极构件上固定半导体芯片时使用银浆。所述固定处理是在引线框的芯片焊盘等上涂布浆状胶粘剂，在其上搭载半导体芯片并使浆状胶粘剂层固化来进行的。但是，浆料胶粘剂由于其粘度行为或劣化等而在涂布量或涂布形状等方面产生大的偏差。结果，形成的浆状胶粘剂厚度不均匀，因此半导体芯片的固定强度缺乏可靠性。即，浆状胶粘剂的涂布量不足时半导体芯片与电极构件之间的固定强度降低，在后续的丝焊工序中半导体芯片剥离。另一方面，浆状胶粘剂的涂布量过多时浆状胶粘剂流延到半导体芯片上而产生特性不良，成品率和可靠性下降。这样的固定处理中的问题，伴随半导体芯片的大型化变得特别显著。因此，需要频繁地进行浆状胶粘剂的涂布量的控制，从而给作业性或生产率带来问题。在该浆状胶粘剂的涂布工序中，有将浆状胶粘剂分别涂布到引线框和形成的芯片上的方法。但是，在该方法中，浆状胶粘剂层难以均匀化，另外浆状胶粘剂的涂布需要特殊装置和长时间。因此，提出了在切割工序中胶粘保持半导体芯片、并且还提供安装工序所需的芯片固定用胶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.06 JP 2010-1990271.一种半导体装置用薄膜，将在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到，其特征在于， 23°C下切割薄膜的拉伸储能模量Ea与23°C下覆盖薄膜的拉伸储能模量Eb之比Ea/Eb在0.0Ol 100的范围内。2.如权利要求1所述的半导体装置用薄膜，其特征在于， 所述胶粘薄膜的玻璃化转变温度在O 100°C的范围内，并且固化前在23°C下的拉伸储能模量在50MPa 5000MPa的范围内。3.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：天野康弘，木村雄大，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：
国别省市：