半导体装置用薄膜以及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种带有切割片的胶粘薄膜，将在切割薄膜（11）上层叠有胶粘薄膜（12）的带有切割片的胶粘薄膜（1）以预定的间隔层叠在覆盖薄膜（2）上而得到半导体装置用薄膜（10），将半导体装置用薄膜（10）卷绕为卷筒状时可以保持转印痕迹的抑制功能并且覆盖薄膜的前端伸出（引出）容易，可靠性优良。本发明专利技术的半导体装置用薄膜，在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到，其中，23℃下切割薄膜的拉伸储能模量Ea与23℃下覆盖薄膜的拉伸储能模量Eb之比Ea/Eb在0.001～100的范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置用薄膜以及使用该半导体装置用薄膜制造的半导体装置。
技术介绍
以往，在半导体装置的制造过程中，在往引线框或电极构件上固定半导体芯片时使用银浆。所述固定处理是在引线框的芯片焊盘等上涂布浆状胶粘剂，在其上搭载半导体芯片并使浆状胶粘剂层固化来进行的。但是，浆料胶粘剂由于其粘度行为或劣化等而在涂布量或涂布形状等方面产生大的偏差。结果，形成的浆状胶粘剂厚度不均匀，因此半导体芯片的固定强度缺乏可靠性。即，浆状胶粘剂的涂布量不足时半导体芯片与电极构件之间的固定强度降低，在后续的丝焊工序中半导体芯片剥离。另一方面，浆状胶粘剂的涂布量过多时浆状胶粘剂流延到半导体芯片上而产生特性不良，成品率和可靠性下降。这样的固定处理中的问题，伴随半导体芯片的大型化变得特别显著。因此，需要频繁地进行浆状胶粘剂的涂布量的控制，从而给作业性或生产率带来问题。在该浆状胶粘剂的涂布工序中，有将浆状胶粘剂分别涂布到引线框和形成的芯片上的方法。但是，在该方法中，浆状胶粘剂层难以均匀化，另外浆状胶粘剂的涂布需要特殊装置和长时间。因此，提出了在切割工序中胶粘保持半导体芯片、并且还提供安装工序所需的芯片固定用胶粘剂层的带有切割薄膜、切割片的胶粘薄膜(例如，参考专利文献I)。该带有切割片的胶粘薄膜中，以可剥离的方式在支撑基材上设置有胶粘剂层，在该胶粘剂层的保持下对半导体芯片进行切割后，拉伸支撑基材而将形成的芯片与胶粘剂层一起剥离，将其分别回收，并通过该胶粘剂层固定到引线框等被粘物上。以往，由于制造工序上的制约，带有切割片的胶粘薄膜是在分别制作切割薄膜和胶粘薄膜后，将两者粘贴来制作的。因此，从防止各薄膜制作工序中产生松弛或卷偏移、位置偏移、空隙(气泡)等的观点考虑，在利用辊进行搬运时对各薄膜施加拉伸张力的同时进行其制作。这种带有切割片的胶粘薄膜有时放置在高温、高湿的环境下或者在施加有负荷的状态下长期保存时发生固化。结果，导致胶粘剂层的流性或对半导体晶片的保持力下降、切割后的剥离性下降。因此，多数情况下带有切割片的胶粘薄膜在以-30 -10°C下的冷冻、或者-5 10°C下的冷藏状态保存的同时进行运送，由此可以长期保存薄膜特性。作为上述的带有切割片的胶粘薄膜，考虑到往半导体晶片上的粘贴、切割时往环框上安装等的作业性，预先加工为待粘贴的半导体晶片的形状(例如圆形)，以实施了预切割加工的状态存在。这样的带有切割片的胶粘薄膜，通过在将冲裁为圆形的胶粘薄膜粘贴到在基材上层叠有粘合剂层的切割薄膜上后，将切割薄膜冲裁为与环框对应的圆形来制造。由此，在切割半导体晶片时，可以将环框粘贴到切割薄膜的外周部，从而固定带有切割片的胶粘薄膜。进行了预切割加工的带有切割片的胶粘薄膜，以预定的间隔粘贴在长尺寸的覆盖薄膜上后，卷绕为卷筒状，作为半导体装置用薄膜进行运送和保存。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开昭60-57642号公报
技术实现思路
但是，在上述半导体装置用薄膜的情况下，层叠有带有切割片的胶粘薄膜的部分的厚度比未层叠的部分的厚度厚。因此，特别是在卷绕数增大或者卷绕时的张力提高时，一个带有切割片的胶粘薄膜的边缘按压在另一个带有切割片的胶粘薄膜上而转印卷绕痕迹，从而有时胶粘薄膜的平滑性丧失。这样的转印痕迹，特别是在胶粘薄膜由比较柔软的树脂形成时、胶粘薄膜的厚度厚时以及半导体装置用薄膜的卷绕数多时显著产生。而且，具有这样的转印痕迹、平滑性存在缺陷的胶粘薄膜被粘贴到半导体晶片上时，在半导体晶片与胶粘薄膜之间产生空隙(气泡)。这样的空隙有可能在半导体晶片加工时引起故障，从而降低制造的半导体装置的成品率。因此，为了抑制上述转印痕迹的产生，考虑了减弱半导体装置用薄膜的卷绕压力的方法。但是，该方法有可能产生卷绕偏移，例如造成难以往胶带贴装器(f 一勺y夕一)上安置等实际使用时的故障。另外，为了抑制上述转印痕迹的产生，考虑在胶粘片的背面侧设置缓冲基材。但是，这种带有切割片的胶粘薄膜在高温、高湿下或者施加有负荷的状态下长期保存时，切割薄膜与胶粘薄膜固化，从而对半导体晶片的保持力下降、或者切割后的剥离性、成形时的流动性等下降。因此，多数情况下所述带有切割片的胶粘薄膜在冷冻状态或冷藏状态的低温下运送。不过，在胶粘薄膜与缓冲基材之间残留有残留应力，因此在前述的低温状态下运送或长时间保存后，存在在胶粘薄膜与缓冲基材的界面处产生两者的剥离的问题。在此，冷冻和冷藏的各自的温度范围是，冷冻为约-30°C 约-10°C的范围，冷藏为_5°C 10°C的范围。另外，上述的环境下温度变化大时，在覆盖薄膜侧和构成切割薄膜的基材侧产生应力集中，未被吸收或分散的力对胶粘薄膜造成损害，从而在胶粘薄膜上产生转印痕迹，或者在晶片安装时在胶粘薄膜上产生破裂、缺口。另外，覆盖薄膜的弹性模量低时，在晶片安装时产生将覆盖薄膜剥离时薄膜不能进行前端伸出(引出)的不良状况，从而由于搬运错误而使机器停止、或者在带有覆盖薄膜的状态下进行晶片粘贴的工序，将晶片层叠在覆盖薄膜上。而且，由于在未粘附的状态下进行搬运，因此有时晶片破裂。本专利技术鉴于前述问题而创立，其目的在于提供一种带有切割片的胶粘薄膜，在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到半导体装置用薄膜，将该半导体装置用薄膜卷绕为卷筒状时可以保持转印痕迹的抑制功能并且覆盖薄膜的前端伸出(引出)容易，可靠性优良。本申请的专利技术人为了解决前述现有问题对半导体装置用薄膜进行了研究。结果发现，通过控制构成半导体装置用薄膜的切割薄膜的拉伸储能模量和覆盖薄膜的拉伸储能模量，可以抑制在芯片接合薄膜上产生转印痕迹，可以使覆盖薄膜的前端伸出(引出)容易，从而完成了本专利技术。S卩，本专利技术的半导体装置用薄膜，在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到，其特征在于，23°C下切割薄膜的拉伸储能模量Ea与23°C下覆盖薄膜的拉伸储能模量Eb之比Ea/Eb在0.001 100的范围内。所述Ea/Eb的值越大则相对而言切割薄膜越硬、覆盖薄膜越软。另一方面，所述Ea/Eb的值越小则相对而言切割薄膜越软、覆盖薄膜越硬。根据前述构成，所述Ea/Eb为0.001以上，因此切割薄膜的硬度(拉伸储能模量Ea)为一定以上。因此，可以抑制在构成带有切割片的胶粘薄膜的胶粘薄膜上产生转印痕迹。另外，所述Ea/Eb为0.001以上，从而切割薄膜的硬度(拉伸储能模量Ea)为一定以上，因此在往半导体晶片上粘贴时，可以将具有切割薄膜的带有切割片的胶粘薄膜与覆盖薄膜适当地剥离(引出)。另外，所述Ea/Eb为100以下，因此覆盖薄膜的硬度(拉伸储能模量Eb)为一定以上、另一方面切割薄膜的硬度(拉伸储能模量Ea)为一定以下。因此，在往覆盖薄膜上粘贴胶粘薄膜时，可以抑制覆盖薄膜产生折断，可以防止损伤胶粘薄膜的表面或者在薄膜间混入气泡。结果，可以抑制覆盖薄膜的薄膜翘起或者半导体晶片的安装时在胶粘薄膜与半导体晶片之间广生空隙。可见，根据前述构成，在卷绕为卷筒状时，可以抑制在胶粘薄膜上产生转印痕迹。另外，可以抑制覆盖薄膜的薄膜翘起或者半导体晶片的安装时在胶粘薄膜与半导体晶片之间产生空隙(气泡)。前述构成中，优选:所述胶粘薄膜的玻璃化转变温度在O 100°本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.06 JP 2010-1990271.一种半导体装置用薄膜，将在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到，其特征在于， 23°C下切割薄膜的拉伸储能模量Ea与23°C下覆盖薄膜的拉伸储能模量Eb之比Ea/Eb在0.0Ol 100的范围内。2.如权利要求1所述的半导体装置用薄膜，其特征在于， 所述胶粘薄膜的玻璃化转变温度在O 100°C的范围内，并且固化前在23°C下的拉伸储能模量在50MPa 5000MPa的范围内。3.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：天野康弘，木村雄大，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：
国别省市：