粘接片、切割带一体型粘接片、薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及粘接片、切割带一体型粘接片、薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明专利技术目的在于提供可在回流焊中防止自引线框的剥离、能够有效地使芯片处产生的热释放至引线框的粘接片，以及包含该粘接片的切割带一体型粘接片、薄膜等。本发明专利技术第1方式的粘接片具备如下性质：通过在与铜引线框接触的状态下维持175℃5小时使其固化、接着在85℃、85％RH下维持24小时后的260℃的粘接力为1MPa以上。其还具备如下性质：通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的260℃的储能模量为10MPa～100MPa。玻璃化转变温度为100℃以下。热导率为1W/m·K以上。本发明专利技术中第2方式的粘接片包含环氧当量400g/eq.以上的环氧树脂和填料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及粘接片、切割带一体型粘接片、薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。
技术介绍
芯片的小型化、布线的微细化正在进行。然而，芯片的小型化会带来自芯片表面(surface)到空气层的散热的降低。布线的微细化会带来芯片的发热量的增大。即，通过减小布线宽度，使得布线间的绝缘层变小，绝缘性降低，泄漏电流增大，结果芯片的发热量增大。如果不使自芯片产生的释放至基板，则有时会无法维持半导体的功能。出于这种情况，寻求可以使芯片的热释放至基板等高导热性的芯片贴装材料。作为导热性高的芯片贴装材料，一直以来使用银糊剂(例如参见专利文献1)。然而，随着芯片不断薄型化，银糊剂蔓延至芯片表面越来越成为问题。而且，由于银糊剂的突出量大，因此会妨碍芯片的小型化。如此，银糊剂存在各种问题。另一方面，薄膜状的芯片贴装材料由于向芯片表面的蔓延、突出少，因此适合作为小且薄的封装体的芯片贴装材料。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许3209961号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题通过提高填料的含量，能够提高热导率。然而，如果填料的含量高，则在吸湿回流焊(260℃)中粘接片容易自引线框剥离。这是由于，粘接片的固化后的储能模量高，因芯片的线膨胀系数与引线框的线膨胀系数之差而产生的应力难以松弛。本专利技术的目的在于解决前述问题，提供可在回流焊中防止自引线框的剥离、能够有效地使芯片处产生的热释放至引线框的粘接片。本专利技术的目的还在于提供包含该粘接片的切割带一体型粘接片、薄膜。本专利技术的目的还在于提供使用该粘接片的半导体装置的制造方法。本专利技术的目的还在于提供使用该粘接片而得到的半导体装置。用于解决问题的方案本专利技术中的第1方式的粘接片具备如下性质。即，通过在与铜引线框接触的状态下维持175℃5小时使其固化、接着在85℃、85％RH下维持24小时后的260℃的粘接力为1MPa以上。第1方式的粘接片还具备如下性质。即，通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的260℃的储能模量为10MPa～100MPa。第1方式的粘接片还具备如下性质。即，通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的玻璃化转变温度为100℃以下。第1方式的粘接片还具备如下性质。即，通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的热导率为1W/m·K以上。通过使260℃的粘接力为1MPa以上、260℃的储能模量为10MPa～100MPa、玻璃化转变温度为100℃以下，能够在回流焊中防止自引线框的剥离。通过使热导率为1W/m·K以上，能够有效地使芯片处产生的热释放至引线框。优选的是，第1方式的粘接片包含树脂成分。优选的是，树脂成分包含丙烯酸类聚合物。优选的是，树脂成分100重量％中的丙烯酸类聚合物的含量为5重量％～14重量％。如果丙烯酸类聚合物的含量为14重量％以下，则可以形成热固性树脂的连续层，能够提高260℃的粘接力。如果丙烯酸类聚合物的含量为5重量％以上，则挠性良好。优选的是，树脂成分包含环氧当量400g/eq.以上的环氧树脂。环氧当量400g/eq.以上的环氧树脂能够降低260℃的储能模量。树脂成分100重量％中的环氧树脂的含量优选为10重量％～60重量％。优选的是，第1方式的粘接片包含填料。填料的含量优选为75重量％以上。通过使填料的含量为75重量％以上，能够实现热导率1W/m·K以上。填料的平均粒径优选为1μm～5μm。如果填料的平均粒径小于1μm，则存在260℃的粘接力降低的倾向。另一方面，如果填料的平均粒径超过5μm，则难以减薄。第1方式的粘接片的厚度优选为30μm以下。优选的是，第1方式的粘接片包含具有选自由二硫基、四硫基以及硫醇基组成的组中的至少1种基团的硅烷偶联剂。该硅烷偶联剂由于可以与引线框形成化学键，因此能够提高260℃的粘接力。本专利技术中的第1方式还涉及切割带一体型粘接片。第1方式的切割带一体型粘接片包含包括基材和配置在基材上的粘合剂层的切割带。第1方式的切割带一体型粘接片还包含配置在粘合剂层上的粘接片。本专利技术中的第1方式还涉及薄膜。第1方式的薄膜包含隔膜和配置在隔膜上的切割带一体型粘接片。本专利技术中的第1方式还涉及半导体装置的制造方法。第1方式的半导体装置的制造方法包括：在粘接片上压接半导体晶圆的工序；在粘接片上压接半导体晶圆的工序之后，通过进行芯片分割而形成芯片接合用芯片的工序；和将芯片接合用芯片压接于引线框的工序。芯片接合用芯片包含半导体芯片和配置在半导体芯片上的粘接薄膜。本专利技术中的第1方式还涉及半导体装置。本专利技术中的第2方式的粘接片包含环氧当量400g/eq.以上的环氧树脂和填料。填料的含量为75重量％以上。环氧当量400g/eq.以上的环氧树脂可以降低260℃的储能模量，能够在回流焊中防止或减少自引线框的剥离。通过使填料的含量为75重量％以上，能够实现热导率1W/m·K以上。本专利技术中的第2方式还涉及切割带一体型粘接片。第2方式的切割带一体型粘接片包含包括基材和配置在基材上的粘合剂层的切割带。第2方式的切割带一体型粘接片还包含配置在粘合剂层上的粘接片。本专利技术中的第2方式还涉及薄膜。第2方式的薄膜包含隔膜和配置在隔膜上的切割带一体型粘接片。本专利技术中的第2方式还涉及半导体装置的制造方法。第2方式的半导体装置的制造方法包括：在粘接片上压接半导体晶圆的工序；在粘接片上压接半导体晶圆的工序之后，通过进行芯片分割而形成芯片接合用芯片的工序；和将芯片接合用芯片压接于引线框的工序。芯片接合用芯片包含半导体芯片和配置在半导体芯片上的粘接薄膜。本专利技术中的第2方式还涉及半导体装置。附图说明图1是薄膜的俯视示意图。图2是薄膜的局部截面示意图。图3是半导体装置的制造工序的截面示意图。图4是半导体装置的制造工序的截面示意图。图5是半导体装置的制造工序的截面示意图。图6是半导体装置的制造工序的截面示意图。图7是变形例4中的薄膜的局部截面示意图。图8是实施方式2中的薄膜的截面示意图。附图标记说明1 薄膜11 粘接片12 切割带13 隔膜71 切割带一体型粘接片121 基材122 粘合剂层122A 接触部122B 周边部4 半导体晶圆5 芯片接合用芯片41 半导体芯片111 粘接薄膜6 引线框61 芯片焊盘62 内部引线7 接合引线8 封装树脂9 薄膜14 隔膜15 隔膜具体实施方式以下给出实施方式对本专利技术进行详细说明，但本专利技术并不仅限于这些实施方式。[实施方式1](薄膜1)如图1和图2所示，薄膜1包含隔膜13和配置在隔膜13上的粘接片11。更具体而言，薄膜1包含隔膜13和配置在隔膜13上的切割带一体型粘接片71a、71b、71c、……、71m(以下总称为“切割带一体型粘接片71”)。切割带一体型粘接片71a与切割带一体型粘接片71b之间的距离、切割带一体型粘接片71b与切割带一体型粘接片71c之间的距离、……切割带一体型粘接片71l与切割带一体型粘接片71m之间的距离是一定的。薄膜1可以形成卷状。切割带一体型粘接片71包含切割带12和配置在切割带12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粘接片，通过在与铜引线框接触的状态下维持175℃5小时使其固化、接着在85℃、85％RH下维持24小时后的260℃的粘接力为1MPa以上，通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的260℃的储能模量为10MPa～100MPa，通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的玻璃化转变温度为100℃以下，通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的热导率为1W/m·K以上。

【技术特征摘要】
2015.05.21 JP 2015-1035771.一种粘接片，通过在与铜引线框接触的状态下维持175℃5小时使其固化、接着在85℃、85％RH下维持24小时后的260℃的粘接力为1MPa以上，通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的260℃的储能模量为10MPa～100MPa，通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的玻璃化转变温度为100℃以下，通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的热导率为1W/m·K以上。2.根据权利要求1所述的粘接片，其包含树脂成分，所述树脂成分包含丙烯酸类聚合物，所述树脂成分100重量％中的所述丙烯酸类聚合物的含量为5重量％～14重量％。3.根据权利要求1所述的粘接片，其包含树脂成分，所述树脂成分包含环氧当量400g/eq.以上的环氧树脂。4.根据权利要求3所述的粘接片，其中，所述树脂成分100重量％中的所述环氧树脂的含量为10重量％～60重量％。5.根据权利要求1所述的粘接片，其包含填料，所述填料的含量为75重量％以上。6.根据权利要求5所述的粘接片，其中，所述填料的平均粒径为1μm～5μm。7.根据权利要求1所述的粘接片，其厚度为30μm以下。8.根据权利要求1所述的粘接片，其包含具有选自由二硫基、四硫基以及硫醇基组成的组中的至少1种基团的硅烷偶联剂。9.一种切割带一体型粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村雄大，三隅贞仁，高本尚英，大西谦司，宍户雄一郎，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP