【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种利用化学处理和热处理来去除基板表面的Si系膜的基板处理方法和基板处理装置。
技术介绍
例如，在NAND型闪存的制造工艺中，进行利用蚀刻去除存在于半导体晶圆(下面，称作“晶圆”。)W的表面的氧化硅膜(SiO2膜)、氮化硅膜(SiN膜)这样的Si系膜的工序。图1和图2表示NAND型闪存的制造工艺的一部分。首先，如图1的(a)所示，利用热氧化法在单晶硅基板100上形成氧化硅膜101，进而利用LPCVD法等在氧化硅膜101之上层叠多晶硅膜102。接下来，如图1的(b)所示，连续进行通常公知的各向异性蚀刻技术，通过将多晶硅膜102、氧化硅膜101以及单晶硅基板100的一部分蚀刻来形成槽105而切出各个元件。这样，通过利用各向异性蚀刻切出各个元件，上述氧化硅膜101成为各元件的栅极绝缘膜103，多晶硅膜102成为各元件的浮动栅极104。此外，形成于单晶硅基板100中的槽105成为元件分离区域(STI)。然后，如图1的(C)所示，以填埋上述槽105和各个元件之间的空间的方式利用LPCVD法等方法堆积新的氧化硅膜106。接下来，将上述堆积后的氧化硅膜106蚀刻...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.03 JP 2010-174514;2010.12.21 JP 2010-284461.一种用于将收纳于处理室内的基板表面的Si系膜去除的基板处理方法，其特征在于，该基板处理方法进行以下工序: 第I工序，其中，在上述处理室内，利用含有卤族元素的气体和碱性气体来使基板表面的Si系膜变质为反应生成物；以及 第2工序，其中，在与上述第I工序相比减压后的上述处理室内使上述反应生成物气化， 上述第I工序和上述第2工序反复进行两次以上。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于， 在上述第I工序和上述第2工序中，基板的温度为上述反应生成物开始升华的温度以上。3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于， 在上述第I工序和上述第2工序中，基板的温度为90°C以上。4.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于， 在上述第I工序和上述第2工序中，基板的温度不发生变化。5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于， 通过去除基板表面的Si系膜来使基板表面上的没有变质为反应生成物的膜突出。6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于， 上述Si系膜是氧化硅膜，没有变质为上述反应生成物的膜是硅膜。7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于， 该基板处理方法具有去除工序，该去除工序是交替地进行上述第I工序和上述第2工序并且进行两次以上， 在上述处理室内多次反复进行上述去除工序，并且，在上述去除工序和上述去除工序之间进行从上述处理室内排出上述反应生成物的排气处理工序， 在上述排气处理工序中，交替地向上述处理室内供给非活性气体的第3工序和对上述处理室内进行排气的第4工序并且进行两次以上。8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于， 在上述第3工序和上述第4工序中，上述处理室内处于能够使上述反应生成物气化的压力。9.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于， 在去除基板表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：宇贺神肇，户泽茂树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：
国别省市：
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