【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有长宽比高的图案结构的半导体基板表面的防水处理用组合物以及使用该组合物的半导体基板表面的防水处理方法。
技术介绍
在半导体基板制造过程中，近年来随着配线微细化，需要形成高度比线宽还高、SP所谓的长宽比高的图案。在这样的长宽比高的图案的情况下，在纯水清洗工序中受水的表面张力的影响会产生图案损坏这样的问题。该倾向尤其在形成SiO2层等含有Si的绝缘层与金属层进行层积而得到的图案时会增大。作为以往的防水处理方法，已知有例如对SiO2层等含有Si的绝缘层或硅晶圆，使用含有各种氟化合物的溶液(专利文献I)、或使用各种氟化合物的气体(专利文献2、专利文献3等)来进行防水处理的方法等。但是，SiO2层等含有Si的绝缘层与金属层因其表面性质不同，因而尚未得知一种可同时有效地对这2种层进行防水处理的组合物，因此尚在期望开发的状况中。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平9-203803号公报专利文献2:W099/48339号再公表公报专利文献3:日本特开2003-257655号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术是为了解决如上所述的问题而完成的，其目的在于提供一种用于对半导体基板表面整体进行一次防水处理的组合物，所述半导体基板表面具有SiO2层等含有Si的绝缘层与金属层进行层积而形成的图案；以及还提供一种使用了该组合物半导体基板表面的防水处理方法，所述半导体基板具有由含有Si的绝缘层与金属层层积而形成的图案。用于解决课题的方法为了解决所述课题，本专利技术由以下构成。(I) 一种半导体基板表面防水处理用组合物，其含有:a)选自由长链烷基叔...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.08 JP 2010-2012761.种半导体基板表面防水处理用组合物，其含有:a)选自由长链烷基叔胺以及长链烷基铵盐组成的组中的至少I种化合物；b)具有稠环结构或产生碱或酸而形成稠环结构的碱产生剂或酸产生剂；以及c)极性有机溶剂。2.权利要求1所述的组合物，其中，长链烷基叔胺以及长链烷基铵盐至少具有I个以上的碳原子数为4 20的烷基。3.权利要求1所述的组合物，其中，a)选自由长链烷基叔胺以及长链烷基铵盐组成的组中的至少I种化合物为长链烷基铵盐。4.权利要求3所述的组合物，其中，所述长链烷基铵盐为三正辛基甲基氯化铵、四正辛基溴化铵或正十四烷基二甲基苄基氯化铵。5.权利要求1所述的组合物，其中，b)具有稠环结构的碱产生剂或酸产生剂通过光照射或加热而在除了形成为碱或酸的部分以外还具有稠...
【专利技术属性】
技术研发人员：水田浩德，浦野洋治，柿泽政彦，
申请(专利权)人：和光纯药工业株式会社，
类型：
国别省市：
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