一种中大尺寸芯片提高亮度和良率的制造方法技术

本发明专利技术属于LED芯片技术领域，具体公开了一种采用背面隐形切割并且切割深度大于芯片厚度1/2的切割工艺，解决了因斜裂问题而导致良率偏低、亮度偏低等技术问题。由于切割位置接近芯片正面，崩裂的时候能有效减少切割位置与实际裂开位置的偏差，相对公知切割方式来说，使用的能量较小，切割痕迹颜色较浅，光的吸收量较少。改善了隐形切割良率低的问题，且较公知的隐形切割方式切割的产品在亮度上有一定的提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体LED芯片
，涉及发光二极管芯片制造工艺，特指高亮度发光二极管芯片及其制作工艺。
技术介绍
由于超高亮度GaN蓝宝石LED的波长范围在380nm至540nm之间，用途广泛，包括室内外的彩色显示、交通信号指示、IXD背照明光源以及白色照明光源等，但在其生产规模迅速扩大、成本不断降低的过程中，GaN/蓝宝石LED芯片切割一直是需要解决的技术难题之一。这是因为GaN/蓝宝石比一般的GaAs，GaP等化合物半导体材料要坚硬的多，用砂轮刀具切割(dicing saw)磨损极大，切人量甚微，1994年日本日亚公司率先将金刚石刀具用于GaN/蓝宝石LED芯片切割。21世纪初以来，国外及我国台湾地区逐渐在GaN器件规 模化生产中采用激光划片技术。与金刚刀划片相比，激光划片优势明显首先是激光划片产量高；其次激光划片的成品率高，激光划片为全自动操作，人为因素影响小，且一人可操作多台设备，因此其稳定性及重复性有保证。由于激光划痕宽度小于5um，因此切割道的宽度也可减小，这样就可增加单位面积上的管芯数。LED芯片切割技术的完善与提高，对于LED产业规模化生产具有重大的意义。其地位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高亮度和良率的中大尺寸二极管芯片切割制作方法，其特征在于：在蓝宝石背面镀有DBR光学反射膜，芯片背面切割的深度大于芯片厚度的1/2。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：樊邦扬，
申请(专利权)人：鹤山丽得电子实业有限公司，
类型：发明
国别省市：