半导体基板的断开方法技术

本申请发明专利技术涉及一种半导体基板的断开方法。在通过刻划及断开而呈格子状分断半导体基板的情况下，减少割断面的突起、破损。在对半导体基板(10)进行刻划及断开而分断成芯片的情况下，预先在刻划预定线的下方形成V字形的槽(12)。然后，沿着刻划预定线形成刻划线(14)，利用断开装置进行分断。这样一来，半导体芯片的背面不易产生突起、破损，从而能够提高垂直截面性。

【技术实现步骤摘要】
半导体基板的断开方法
本专利技术涉及一种将半导体基板断开的断开方法。
技术介绍
以往，在将半导体基板、例如硅基板、SiC基板等呈格子状断开为既定大小的芯片的情况下，通常考虑利用切片机分断成格子状。然而，当芯片大小较小时等，视用途来说，有时候利用切片机并不佳。这种情况下，是利用专利文献1等所示的刻划装置，预先在硅基板上形成刻划线。之后，可以沿着刻划线利用断开装置进行断开而予以分离。硅基板通过将割断面的结晶方位设为(110)面，可以利用刻划及断开而在短时间内容易地割断。先行技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2011-148098号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]图1(a)、(b)表示如下次序，利用所述方法，使用刻划装置将刻划轮102压接于硅基板101并转动，而在硅基板101上形成刻划线103，然后，沿着刻划线103进行断开。然而，在利用该方法进行断开的情况下存在如下问题，如图1(c)所示，在劈开面104的下端、即硅基板101的背面部，劈开方向上容易产生不规则的斜方向的突起105、破损106等，芯片大小大多情况下会不均。尤其是在芯片大小较小的情况下，还存在不规则突起、破损的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体基板的断开方法，在半导体基板的表面形成刻划线，沿着该刻划线将所述半导体基板断开，在所述半导体基板的背面沿着刻划预定线形成槽，在所述半导体基板的表面沿着刻划预定线形成刻划线，沿着所述刻划线将所述半导体基板断开。

【技术特征摘要】
2011.10.13 JP 2011-2256841.一种半导体基板的断开方法，在半导体基板的表面形成刻划线，沿着该刻划线将所述半导体基板断开，所述方法包含以下步骤：在所述半导体基板的背面沿着刻划预定线形成槽的步骤，在所述半导体基板的表面沿着刻划预定线将刻划轮压接于所述半导体基板并转动而形成刻划线的步骤，及将所述半导体基板反转...

【专利技术属性】
技术研发人员：村上　健二，
申请(专利权)人：三星钻石工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：