用于在UV腔室中调节晶圆处理轮廓的方法及装置制造方法及图纸

提供用以提供遍布基板表面的均匀UV辐射照射轮廓的方法与装置。在一实施例中，一种基板处理工具包括：处理腔室，该处理腔室定义处理区域；基板支撑件，该基板支撑件用以支撑基板在该处理区域内；紫外线(UV)辐射源，该UV辐射源和该基板支撑件隔离，且该UV辐射源被配置成朝向设置在该基板支撑件上的该基板传输紫外线辐射；以及光透输窗口，该光透射窗口设置在该UV辐射源与该基板支撑件之间，该光透射窗口具有被涂覆在该光透射窗口上的光学膜层。在一示例中，该光学膜层在径向方向上具有非均匀厚度轮廓，其中该光学膜层在该光透射窗口的周边区域处的厚度比在该光学膜层的中心区域处的厚度相对更厚。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在UV腔室中调节晶圆处理轮廓的方法及装置专利技术背景专利
本专利技术的实施例大体上关于紫外线(UV)硬化腔室。更特定地说，本专利技术的实施例关于用以提供遍布基板的表面的均匀UV辐射照射轮廓的方法与装置，其中该基板被放置在UV硬化腔室中。
技术介绍
描述具有低介电常数(低k)的材料，诸如氧化硅(SiOx)、碳化硅(SiCx)和掺杂碳的氧化硅(SiOxCy)，在半导体器件的制造中有极广泛的应用。用低k材料作为导电互连之间的金属间和/或层间电介质会减少由于电容效应导致的信号传播的延迟。介电层的介电常数越低，则电介质的电容越低且集成电路(IC)的RC延迟越低。目前的努力着重在针对大部分先进技术需求而发展k值小于2.5的低k介电材料(时常称为超低k(ULK)电介质)。可藉由将空气空隙并入到低k电介质母体(low-kdielectric matrix)内而产生多孔介电材料来获得超低k介电材料。制造多孔电介质的方法通常涉及形成“前驱物膜”，“前驱物膜”含有两个部分:成孔剂(通常是有机材料，诸如碳氢化合物)与结构前体或介电材料(例如含硅材料)。一旦在基板上形成前驱物膜，可移除成孔剂部分，留下结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·巴录佳，J·C·罗查阿尔瓦雷斯，A·T·迪莫斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：