描述了一种用于使用辐射敏感材料（102，202，302，402）对基板（101，201，301，401）进行图案化的方法和系统。该方法和系统包括：在基板（101，201，301，401）上形成辐射敏感材料层（102，202，302，40...

本发明提供即使在基板表面形成的形状变化，也能够可靠地检测出形状形成处理的终点的终点检测方法。将在被处理区域（A）形成的特定形状的形成结束时和强度的时间变化发生奇异性变化的奇异点的出现时刻一致的波长的光选定为监视光，使用等离子体对基板（S...

一种离子能量分析仪（74，122，174），用于确定等离子体（66）的离子能量分布，并且包括进入栅网（80，126，160）、选择栅网（82，134，134’）和离子收集器（84，136，136’）。进入栅网（80，126，160）包括...

本发明提供一种电感耦合等离子处理装置的罩固定器具和罩固定装置。在电感耦合等离子处理装置中抑制覆盖窗构件的下表面的罩的破损和微粒的产生，而且能够容易地装卸罩。电感耦合等离子处理装置的电介体罩包括具有下表面以及与该下表面连续的侧端的被支承部...

本发明提供一种氧化硅膜的形成方法及氧化硅膜的形成装置。该氧化硅膜的形成方法包括以下工序：成膜工序，向容纳有多张被处理体的反应室内供给含有氯的硅原料，并在上述多张被处理体上形成氧化硅膜；以及改性工序，向上述反应室内供给氢和氧或者氢和一氧化...

本发明提供成膜装置的运转方法和成膜装置。该方法用于运转成膜装置，该成膜装置用于多次重复依次向基板供给相互不同的处理气体的循环来层叠反应产物的层而获得薄膜，该成膜装置包括：真空容器；旋转台；第1处理气体供给部；第2处理气体供给部；分离区域...

本发明提供成膜装置和成膜方法。成膜装置在真空容器内利用旋转台使配置在该旋转台的一面侧的基板公转，多次重复依次供给相互不同的处理气体的循环来层叠反应产物的层而获得薄膜，其包括：第1处理气体供给部；第2处理气体供给部；分离区域；主加热机构，...

本发明提供一种成膜方法。在该成膜方法中，向形成有凹部的基板供给含硅气体并使含硅气体吸附于该基板，用氧化气体氧化所吸附的含硅气体，从而在基板上形成氧化硅膜。即使将基板加热至比含硅气体可分解的温度高的温度的情况下，也能利用自用于将含硅气体供...

本发明提供一种硅氧化膜的形成方法及其形成装置。该硅氧化膜的形成方法具备：成膜工序，向收纳有多个被处理体的反应室内供给含氯原子的硅源，并在所述多个被处理体上形成硅氧化膜，其中，在所述成膜工序中，向所述反应室内供给氢气气体并使该反应室内处于...

本发明提供一种等离子体处理装置、生成装置及生成方法、天线结构体，能够使装置结构简单化并且能够防止等离子体的生成效率下降。等离子体处理装置(10)具备：腔室(11)；载置台(12)，其配置在该腔室(11)的内部来载置基板(S)；ICP天线...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在不对基板的基底层造成损伤的情况下良好地将去除对象层去除。在本发明中，基板处理装置（1）用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板（3）供给硫酸与过氧化氢水的混合液而将去除对象层去除，包括：基板处...

即使传感器用基板的能够配置传感器的区域受到限制，也能够高精度地检测基板表面的多个测定区域的气流的风向。为了取得基板的表面的第一和第二测定区域中的上述风向的数据，将传感器用基板以第一朝向和第二朝向载置于上述载置部，其中，上述传感器用基板上...

本发明提供一种等离子体处理装置、生成装置及生成方法、天线结构体，能够使装置结构简单化并且能够防止等离子体的生成效率下降。等离子体处理装置(10)具备：腔室(11)；载置台(12)，其配置于该腔室(11)的内部并载置基板(S)；ICP天线...

一种用于使电介质膜固化的多步系统和方法，其中该系统包括被配置成用于减少电介质膜中的污染物(例如水分)的量的干燥系统。该系统还包括与干燥系统耦合的固化系统，该固化系统被配置成通过紫外(UV)辐射和红外(IR)辐射处理电介质膜来固化该电介质膜。

提供了一种用于在衬底中形成超浅掺杂剂区域的方法。在一个实施方案中，该方法包括沉积直接接触衬底的掺杂剂层，该掺杂剂层包含氧化物、氮化物或氧氮化物，其中掺杂剂层包含选自硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）、铟（In）、铊（Tl）、氮（N）、磷（...

本发明提供一种用于形成含有非晶碳膜的构造的分批处理方法，包括下述工序，即、一边对反应室内进行排气一边进行预备，该预备处理是指将上述反应室内的温度加热到800℃～950℃的预备处理温度，并且向上述反应室内供给从由氮气和氨气组成的气体组中选...

本发明提供一种能够更大程度地减少在启动加注处理中使用的清洗液、缩短干燥处理时间以及延长清洗处理用工具和/或干燥处理用工具的使用寿命的启动加注处理方法以及启动加注处理装置。该启动加注处理装置在启动加注辊（14）的周围沿旋转方向配置有具有清...

本发明描述了生成用于计量的宽处理范围库的方法。例如，方法包括生成第一库，该第一库具有针对第一参数的第一处理范围。生成第二库，该第二库具有针对所述第一参数的第二处理范围。所述第二处理范围与所述第一处理范围重叠。所述第二库被拼接至所述第一库...

本发明的目的在于不使用阴影掩膜板而利用蒸镀法在基板上高效率地分涂形成多个线状薄膜。该蒸镀装置作为基板结构具有：以能够搬入搬出的方式收容处理对象的玻璃基板（S）的处理室（腔室）（10）；在该处理室（10）内保持基板（S）并使其在水平的一个...

本发明提供能够进行期望的共蒸镀的成膜装置、成膜方法、有机发光元件的制造方法和有机发光元件。成膜装置的成膜头包括将有机成膜材料的蒸气向被处理基板（G）喷出的有机成膜材料供给部（4）、和将无机成膜材料的蒸气向被处理基板（G）喷出的无机成膜材...