【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供。成膜装置在真空容器内利用旋转台使配置在该旋转台的一面侧的基板公转，多次重复依次供给相互不同的处理气体的循环来层叠反应产物的层而获得薄膜，其包括：第1处理气体供给部；第2处理气体供给部；分离区域；主加热机构，其隔着该旋转台从下方侧对基板进行加热；以及辅助加热机构，其由加热灯构成，用于向由上述主加热机构加热的基板照射基板的吸收波长区域的光而利用辐射热量将该基板直接加热到臭氧气体热分解的温度以上的处理温度，在装置的性能方面容许的旋转台的最高温度是比臭氧气体热分解的温度低的温度，在上述处理温度下，上述第1处理气体吸附于基板，所吸附的第1处理气体被第2处理气体氧化。【专利说明】本申请以2012年7月6日提出申请的日本国特愿2012-152940号作为主张优先权的基础申请，在此主张基于该申请的优先权，并且通过参照而引入其全部内容。
本专利技术涉及一种通过利用旋转台使基板公转、并依次供给相互发生反应的处理气体而在基板的表面上层叠反应产物来形成氧化娃膜的技术。
技术介绍
作为对半导体晶圆(以下称作“晶圆”)等基板进行例如氧化硅膜(SiO2)等薄...
【技术保护点】
一种成膜装置，其在真空容器内利用旋转台使配置在该旋转台的一面侧的基板公转，多次重复依次供给相互不同的处理气体的循环来层叠反应产物的层而获得薄膜，其特征在于，该成膜装置包括：第1处理气体供给部，其为了使含有硅的第1处理气体吸附于上述基板而对上述基板供给第1处理气体；第2处理气体供给部，其在上述旋转台的旋转方向上与该第1处理气体供给部分开地设置，用于供给含有使氧活化而得到的活性种的第2处理气体，以便使吸附于基板的第1处理气体氧化而生成硅氧化物；分离区域，其在上述旋转台的周向上设置在上述第1处理气体供给部与第2处理气体供给部之间，用于避免第1处理气体与第2处理气体混合；主加热机构...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：加藤寿，三浦繁博，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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