等离子体处理装置、生成装置及生成方法、天线结构体制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置、生成装置及生成方法、天线结构体
本专利技术涉及使用ICP(InductiveCouplingPlasma：感应耦合等离子体)天线来生成等离子体的等离子体处理装置、生成装置及生成方法、天线结构体。
技术介绍
在具备腔室以及配置于腔室外的ICP(InductiveCouplingPlasma)天线的等离子体处理装置中，与ICP天线对置的腔室的顶部由电介质、例如包含石英的电介质窗构成。在该等离子体处理装置中，在与高频电源相连接的ICP天线中流过高频电流，该高频电流使ICP天线产生磁力线。所产生的磁力线透过电介质窗在腔室内沿着ICP天线产生磁场。当该磁场在时间上发生变化时产生感应电场，由该感应电场加速的电子与导入到腔室内的处理气体的分子、原子发生碰撞而产生等离子体。感应电场以沿着ICP天线的方式而产生，因此在腔室内等离子体也以沿着ICP天线的方式产生。为了分隔作为减压环境的腔室内部与作为大气压环境的腔室外部，电介质窗需要具有能够确保经得起压力差的刚性的厚度。另外，可以预见到收容于腔室而实施等离子体处理的基板、例如FPD(FlatPanelDisplay：...
【技术保护点】
一种等离子体处理装置，具备：处理室，其收容基板；载置台，其被配置于该处理室的内部来载置上述基板；以及感应耦合天线，其在上述处理室的外部被配置成与上述载置台对置，并与高频电源相连接，该等离子体处理装置的特征在于，具备：窗构件，其构成与上述感应耦合天线对置的上述处理室的一个壁部，该壁部与上述处理室的其它壁部不直接电导通，并且该窗构件存在于上述载置台与上述感应耦合天线之间，由导电体构成；以及导线，其两端与上述窗构件相连接，其中，上述窗构件和上述导线形成闭合回路，上述导线具有至少一个电容器。
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，具备：处理室，其收容基板；载置台，其被配置于该处理室的内部来载置上述基板；以及感应耦合天线，其在上述处理室的外部被配置成与上述载置台对置，并与高频电源相连接，该等离子体处理装置的特征在于，具备：窗构件，其构成与上述感应耦合天线对置的上述处理室的一个壁部，该壁部与上述处理室的其它壁部不直接电导通，并且该窗构件存在于上述载置台与上述感应耦合天线之间，由导电体构成；以及导线，其两端与上述窗构件相连接，其中，上述窗构件和上述导线形成闭合回路，上述导线具有至少一个电容器。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述电容器的静电容量被调整成使上述闭合回路的电抗成为负值。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，根据上述处理室内的等离子体的分布来变更上述导线和上述窗构件的连接位置。4.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，根据上述处理室内的等离子体的分布来变更上述导线和上述窗构件的连接位置。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述窗构件被分割成多个分割片，与上述多个分割片中的至少一个分割片对应地设置上述导线，上述导线的两端连接于对应地设置了上述导线的上述分割片。6.根据权利要求1～4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述窗构件被分割成多个分割片，上述导线的一端与上述多个分割片中的一个分割片相连接，上述导线的另一端与上述多个分割片中的除上述一个分割片以外的其它分割片相连接，上述一个分割片和上述其它分割片经由与上述导线不同的其它导线相连接。7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述感应耦合天线仅与上述一个分割片对置。8.根据权利要求1～4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述导线被卷绕成形成从上述感应耦合天线产生的磁力线所通过的通过面。9.根据权利要求1～4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述电容器为容量可变电容器，根据上述处理室内的等离子体的密度和密度分布中的至少一个来调整上述电容器的静电容量。10.一种等离子体处理装置，具备：处理室，其收容基板；载置台，其被配置于该处理室的内部来载置上述基板；以及感应耦合天线，其在上述处理室的外部被配置成与上述载置台对置，并与高频电源相连接，该等离子体处理装置的特征在于，具备：窗构件，其构成与上述感应耦合天线对置的上述处理室的一个壁部，该壁部与上述处理室的其它壁部不直接电导通，并且该窗构件存在于上述载置台与上述感应耦合天线之间，由导电体构成；以及导线，其两端与上述窗构件相连接，其中，上述窗构件和上述导线形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：山泽阳平，傅宝一树，木村隆文，舆水地盐，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。