【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种用于使电介质膜固化的多步系统和方法，其中该系统包括被配置成用于减少电介质膜中的污染物(例如水分)的量的干燥系统。该系统还包括与干燥系统耦合的固化系统，该固化系统被配置成通过紫外(UV)辐射和红外(IR)辐射处理电介质膜来固化该电介质膜。【专利说明】本申请是申请号为200680050790.8、申请日为2006年10月6日、专利技术名称为“用于固化电介质膜的多步系统和方法”的母案申请的分案申请。
本专利技术涉及一种用于处理电介质膜的多步系统和方法，更具体地涉及一种用于干燥和固化电介质膜的原位多步系统和方法。
技术介绍
如半导体领域中的技术人员所知，提高集成电路(IC)的速度和性能的主要限制因素是互连延迟。使互连延迟最小化的一个方法是通过在IC器件中使用低介电常数(低k)材料作为金属导线的绝缘电介质来减小互连电容。因此，近年来，低k材料已经被开发来代替诸如二氧化硅的较高介电常数绝缘材料。具体来说，低k膜正在被用于半导体器件的金属导线之间的层间和层内电介质层。此外，为了进一步减小绝缘材料的介电常数，材料膜形成有多个孔，即多孔低k电介质膜。这样的低...
【技术保护点】
一种处理衬底上的电介质膜的方法，包括：通过下述处理固化所述衬底上的所述电介质膜：将所述电介质膜暴露于红外(IR)辐射，所述红外辐射包括窄波段辐射；和将所述电介质膜暴露于紫外(UV)辐射。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊军，埃里克·M·李，多雷尔·L·托玛，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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