基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理装置和基板处理方法。在不对基板的基底层造成损伤的情况下良好地将去除对象层去除。在本发明专利技术中，基板处理装置（1）用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板（3）供给硫酸与过氧化氢水的混合液而将去除对象层去除，包括：基板处理室（16），用于处理基板；基板保持部件（12），设于基板处理室内，用于保持基板；混合液供给部件（13），用于以不会对基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；OH基供给部件（14），用于向基板供给含有OH基的流体，OH基供给部件供给含有在混合液与OH基在基板上混合时不会对基底层造成损伤的量的OH基的流体。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法
本专利技术涉及一种通过硫酸与过氧化氢水的混合液将形成在基板表面的基底层上的去除对象层去除的基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
以往，在制造半导体零件、平板显示器等时，要在半导体晶圆、液晶基板等基板的表面上形成各种布线图案。在基板上形成布线图案时，首先，要在基板的表面上形成由氧化膜、氮化膜等构成的基底层并在基底层的表面上形成规定形状的抗蚀剂层、防反射层等去除对象层。之后，对基板的表面实施曝光等处理，以在保留基底层的情况下将去除对象层去除。之后，通过将基底层的不再需要的部分去除而在基板上形成规定形状的布线图案。在用于将去除对象层自基板的表面去除的基板处理装置中，使用硫酸与过氧化氢水的混合液（SPM（sulfuricacid/hydrogenperoxidemixture：硫酸过氧化氢水））等各种处理药液来将去除对象层去除（例如，参照专利文献1）。专利文献1：日本特开2010－103189号公报在以往的基板处理装置中，在为了谋求布线图案的高密度化而注入高浓度的离子并形成了抗蚀剂层的情况下，由于在作为去除对象层的抗蚀剂层的表面形成有固化膜，因此，在将液温设为高温（例如200℃以上）并提高了过氧化氢水的混合比（例如，硫酸：过氧化氢水=6：1）的状态下向基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液以去除抗蚀剂层。这样，在将硫酸与过氧化氢水的混合液的温度设为高温并提高了过氧化氢水的混合比的情况下，将去除对象层（抗蚀剂层）去除的能力变高，从而能够良好地将去除对象层去除。但是，在以往的基板处理装置中，不仅对去除对象层的去除能力变高，对基底层的去除能力也变高，从而有可能对基底层的表面造成损伤。
技术实现思路
因此，本专利技术的基板处理装置用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液来将去除对象层去除，其中，该基板处理装置包括：基板处理室，其用于处理上述基板；基板保持部件，其设于上述基板处理室内，用于保持上述基板；混合液供给部件，其用于以不会对上述基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由上述基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；以及OH基供给部件，其用于向上述基板供给含有OH基的流体，上述OH基供给部件供给含有在上述混合液与OH基在上述基板上混合时不会对上述基底层造成损伤的量的OH基的流体。另外，基板处理装置构成为：上述OH基供给部件构成为向局部地上述基板的被上述混合液供给部件供给混合液的部分供给上述OH基。另外，基板处理装置构成为：上述OH基供给部件设于与上述基板进行相对移动的上述混合液供给部件的行进方向的上游侧。另外，基板处理装置构成为：上述OH基供给部件构成为向上述基板处理室的整个内部供给上述OH基。另外，基板处理装置构成为：上述OH基供给部件在供给上述OH基的期间减少所供给的OH基的量。另外，基板处理装置构成为：上述OH基供给部件在供给上述OH基的期间降低所供给的OH基的温度。另外，基板处理装置构成为：上述混合液供给部件在供给上述混合液的期间降低在所供给的混合液中含有的过氧化氢水的混合比。另外，基板处理装置构成为：上述混合液供给部件在供给上述混合液的期间降低所供给的混合液的温度。另外，基板处理装置构成为：上述混合液供给部件包括利用非活性气体来使上述混合液液滴化的双流体喷嘴。另外，在本专利技术的基板处理方法中向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液来将去除对象层去除，其中，以不会对上述基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比来向上述基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液，并以在上述混合液与OH基在上述基板上混合时不会对上述基底层造成损伤的量来向上述基板供给含有OH基的流体，以去除上述去除对象层。另外，在基板处理方法中，局部地向上述基板的被供给上述混合液的部分供给上述OH基。另外，在基板处理方法中，使被供给上述混合液的部位相对于上述基板上移动，并向进行移动的、被供给上述混合液的部位的行进方向的上游侧供给上述OH基。另外，在基板处理方法中，向基板处理室的整个内部供给上述OH基。另外，在基板处理方法中，在供给上述OH基的期间减少所供给的OH基的量。另外，在基板处理方法中，在供给上述OH基的期间降低所供给的OH基的温度。另外，在基板处理方法中，在供给上述混合液的期间，降低在所供给的混合液中含有的过氧化氢水的混合比。另外，在基板处理方法中，在供给上述混合液的期间，降低所供给的混合液的温度。另外，在基板处理方法中，以利用非活性气体来使上述混合液液滴化的方式供给上述混合液。在本专利技术中，能够在不对基底层造成损伤的情况下良好地将去除对象层去除。附图说明图1是表示基板处理装置的俯视图。图2是表示基板液处理装置的侧视示意图。图3是该基板处理装置的动作说明图（基板接收工序）。图4是该基板处理装置的动作说明图（液处理工序）。图5是该基板处理装置的动作说明图（冲洗处理工序）。图6是该基板处理装置的动作说明图（干燥处理工序）。图7是该基板处理装置的动作说明图（基板交接工序）。图8是表示其他基板液处理装置的侧视示意图。图9是表示其他基板液处理装置的侧视示意图。图10是表示其他基板液处理装置的侧视示意图。图11是表示其他基板液处理装置的侧视剖视示意图。图12是表示其他基板液处理装置的侧视示意图。图13是表示双流体喷嘴的侧面剖视图。图14是表示该双流体喷嘴的仰视图。图15是表示该双流体喷嘴的俯视剖视图。具体实施方式以下，参照附图说明本专利技术的基板处理装置和基板处理方法的具体构成。如图1所示，基板处理装置1在顶端部形成有输入输出部2。将收纳有多张（例如25张）基板3（此处为半导体晶圆）的承载件4输入到输入输出部2中或自输入输出部2输出。另外，在基板处理装置1的输入输出部2的后部形成有输送部5。输送部5在其前侧配置有基板输送装置7，并在其后侧配置有基板交接台8。在输送部5中，使用基板输送装置7在载置于输入输出部2的任意的承载件4与基板交接台8之间输送基板3。另外，在基板处理装置1的输送部5的后部形成有处理部9。在处理部9在中央配置有沿着前后延伸的基板输送装置10，且在基板输送装置10的左右两侧配置有沿着前后方向排列的基板液处理装置11。在处理部9中，使用基板输送装置10在输送部5的基板交接台8与基板液处理装置11之间输送基板3，并使用基板液处理装置11进行基板3的液处理。如图2所示，基板液处理装置11收纳有：基板保持部件12，其用于保持基板3；混合液供给部件13，其用于向基板3供给硫酸与过氧化氢水的混合液（SPM（sulfuricacid/hydrogenperoxidemixture：硫酸过氧化氢水））来进行基板3的液处理；OH基供给部件14，其用于向供给到基板3上的混合液供给含有OH基的流体（纯水）；以及冲洗液供给部件15，其用于向基板3供给冲洗液（纯水）来进行基板3的冲洗处理。基板保持部件12设有在基板处理室16的内部沿着上下方向延伸的旋转轴17，并在旋转轴17的上端部水平地安装有圆板状的转台18，且在转台18的上表面外周部以在圆周方向上隔开间隔的方式安装有基板保持体19。在转台18（基板3）的外周外侧设有的杯状件20，该杯状件20用于回收被供给到基板3上的混合液、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液来将去除对象层去除，其特征在于，该基板处理装置包括：基板处理室，其用于处理上述基板；基板保持部件，其设于上述基板处理室内，用于保持上述基板；混合液供给部件，其用于以不会对上述基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由上述基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；以及OH基供给部件，其用于向上述基板供给含有OH基的流体，上述OH基供给部件供给含有在上述混合液与OH基在上述基板上混合时不会对上述基底层造成损伤的量的OH基的流体。

【技术特征摘要】
2012.06.22 JP 2012-140599;2012.09.06 JP 2012-19661.一种基板处理装置，其用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液来将去除对象层去除，上述基底层为氧化膜或者氮化膜，其特征在于，该基板处理装置包括：基板处理室，其用于处理上述基板；基板保持部件，其设于上述基板处理室内，用于保持上述基板；混合液供给部件，其用于以不会对上述基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由上述基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；以及OH基供给部件，其用于向上述基板供给含有OH基的流体，上述OH基供给部件供给含有在上述混合液与OH基在上述基板上混合时不会对上述基底层造成损伤的量的OH基的流体，其中，不会对上述基底层造成损伤的混合液温度是100℃～180℃，不会对上述基底层造成损伤的混合液混合比是硫酸：过氧化氢水＝10：1～25：1。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述OH基供给部件构成为局部地向基板的被自上述混合液供给部件供给上述混合液的部分供给上述OH基。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述OH基供给部件设于与上述基板进行相对移动的上述混合液供给部件的行进方向的上游侧。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述OH基供给部件构成为向上述基板处理室的整个内部供给上述OH基。5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述OH基供给部件在供给上述OH基的期间减少所供给的OH基的量。6.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述OH基供给部件在供给上述OH基的期间降低所供给的OH基的温度。7.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述混合液供给部件在供给上述混合液的期间降低在所供给的混合液中含有的过氧化氢水的混合比。8.根据权利要求1至4中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：河野央，伊藤规宏，八谷洋介，野上淳，大石幸太郎，菅野至，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：