基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理装置和基板处理方法。在不对基板的基底层造成损伤的情况下良好地将去除对象层去除。在本发明专利技术中，基板处理装置（1）用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板（3）供给硫酸与过氧化氢水的混合液而将去除对象层去除，包括：基板处理室（16），用于处理基板；基板保持部件（12），设于基板处理室内，用于保持基板；混合液供给部件（13），用于以不会对基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；OH基供给部件（14），用于向基板供给含有OH基的流体，OH基供给部件供给含有在混合液与OH基在基板上混合时不会对基底层造成损伤的量的OH基的流体。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法
本专利技术涉及一种通过硫酸与过氧化氢水的混合液将形成在基板表面的基底层上的去除对象层去除的基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
以往，在制造半导体零件、平板显示器等时，要在半导体晶圆、液晶基板等基板的表面上形成各种布线图案。在基板上形成布线图案时，首先，要在基板的表面上形成由氧化膜、氮化膜等构成的基底层并在基底层的表面上形成规定形状的抗蚀剂层、防反射层等去除对象层。之后，对基板的表面实施曝光等处理，以在保留基底层的情况下将去除对象层去除。之后，通过将基底层的不再需要的部分去除而在基板上形成规定形状的布线图案。在用于将去除对象层自基板的表面去除的基板处理装置中，使用硫酸与过氧化氢水的混合液（SPM（sulfuricacid/hydrogenperoxidemixture：硫酸过氧化氢水））等各种处理药液来将去除对象层去除（例如，参照专利文献1）。专利文献1：日本特开2010－103189号公报在以往的基板处理装置中，在为了谋求布线图案的高密度化而注入高浓度的离子并形成了抗蚀剂层的情况下，由于在作为去除对象层的抗蚀剂层的表面形成有固化膜，因此，在将液温设为高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液来将去除对象层去除，其特征在于，该基板处理装置包括：基板处理室，其用于处理上述基板；基板保持部件，其设于上述基板处理室内，用于保持上述基板；混合液供给部件，其用于以不会对上述基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由上述基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；以及OH基供给部件，其用于向上述基板供给含有OH基的流体，上述OH基供给部件供给含有在上述混合液与OH基在上述基板上混合时不会对上述基底层造成损伤的量的OH基的流体。

【技术特征摘要】
2012.06.22 JP 2012-140599;2012.09.06 JP 2012-19661.一种基板处理装置，其用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液来将去除对象层去除，上述基底层为氧化膜或者氮化膜，其特征在于，该基板处理装置包括：基板处理室，其用于处理上述基板；基板保持部件，其设于上述基板处理室内，用于保持上述基板；混合液供给部件，其用于以不会对上述基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由上述基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；以及OH基供给部件，其用于向上述基板供给含有OH基的流体，上述OH基供给部件供给含有在上述混合液与OH基在上述基板上混合时不会对上述基底层造成损伤的量的OH基的流体，其中，不会对上述基底层造成损伤的混合液温度是100℃～180℃，不会对上述基底层造成损伤的混合液混合比是硫酸：过氧化氢水＝10：1～25：1。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述OH基供给部件构成为局部地向基板的被自上述混合液供给部件供给上述混合液的部分供给上述OH基。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述OH基供给部件设于与上述基板进行相对移动的上述混合液供给部件的行进方向的上游侧。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述OH基供给部件构成为向上述基板处理室的整个内部供给上述OH基。5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述OH基供给部件在供给上述OH基的期间减少所供给的OH基的量。6.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述OH基供给部件在供给上述OH基的期间降低所供给的OH基的温度。7.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述混合液供给部件在供给上述混合液的期间降低在所供给的混合液中含有的过氧化氢水的混合比。8.根据权利要求1至4中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：河野央，伊藤规宏，八谷洋介，野上淳，大石幸太郎，菅野至，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：