东京毅力科创株式会社专利技术

东京毅力科创株式会社共有7373项专利

  • 提供了一种用于在衬底上形成金属硅化物层的方法。根据一个实施方案,该方法包括:将衬底设置在处理室中;以第一衬底温度将衬底暴露于由包含金属前体的沉积气体生成的等离子体,其中等离子体暴露以自限性过程在衬底上形成共形的含金属层。该方法还包括:以...
  • 分批式立式基板处理装置和基板保持用具
    分批式立式基板处理装置包括:处理室,在高度方向上堆积并保持多个被处理基板的基板保持用具插入在该处理室内;加热装置,其设置在上述处理室的外侧,用于加热上述处理室的内部;多个凸缘部,其设置为自上述处理室的内壁向上述处理室的内部空间沿水平面方...
  • 磁性退火装置
    本发明的磁性退火装置使用卧式的超导磁体作为磁场产生部件,对保持于被处理体保持部件的被处理体进行磁性退火处理,该磁性退火装置包括:收纳容器,其用于收纳磁性退火处理前的上述被处理体;以及被处理体输送机构,其用于将保持于上述收纳容器的上述被处...
  • 本发明提供一种等离子体蚀刻方法,其用于使用等离子体蚀刻装置隔着硬掩模对被处理基板的金属层进行蚀刻,连续交替地多次反复实施以下两个工序:作为所述蚀刻气体,使用由O2气体、CF4气体和HBr气体的混合气体构成的第1蚀刻气体的第1工序;和作为...
  • 磁性退火装置
    在本发明的磁性退火装置中,隔着开闭门形成有用于输送收纳有一组被处理体的收纳容器的收纳容器输送区域和用于输送被处理体的被处理体输送区域,磁性退火装置具有控制部,在收纳容器输送区域内配置有:第1载置台;多个第2载置台;保存部;以及收纳容器输...
  • 本发明提供一种等离子体处理装置,对被处理体实施等离子体处理,其包括:能够抽真空的圆筒状的处理容器;保持多个被处理体向处理容器内插拔的保持单元;向处理容器内供给气体的气体供给单元;和利用等离子体使气体活性化的活性化单元,其中,活性化单元由...
  • 有机器件的制造方法、有机器件的制造装置以及有机器件
    本发明提供一种能够抑制水分浸入到有机EL元件的有机器件的制造方法、有机器件的制造装置以及有机器件。该有机器件的制造方法包括以下工序:输入工序,输入在第1密封层之上形成有中间层的基板,该第1密封层用于将一个或多个隔离壁部和阳极上的有机层密...
  • 微波谐振器处理系统中的等离子体调谐杆
    本发明涉及微波谐振器处理系统中的等离子体调谐杆。等离子体调谐杆系统设有一个或多个微波腔,一个或多个微波腔被配置成在等离子体内和/或邻近等离子体处通过在一个或多个等离子体调谐杆中生成共振微波能量来将期望的电磁(EM)波模式的EM能量耦合至...
  • 本发明提供一种更够高效地且在短时间除去被涂敷在基板上的有机材料膜中的溶剂、并且容易对用于收集溶剂的构件进行更新的干燥装置和干燥处理方法。干燥装置(100)包括能够抽成真空的处理容器(1)、用于在处理容器(1)内支承基板(S)的作为支承构...
  • 基板输送装置、基板处理装置以及基板取出方法
    本发明的基板输送装置、基板处理装置以及基板取出方法提高生产能力。基板输送装置具备基板输送部、基板检测部以及控制装置。基板输送部与能够收容多个基板的盒之间交接基板。基板检测部检测在盒内收容的基板。控制装置控制基板输送部。控制装置具备计算部...
  • 在一实施方式中,提供一种对在表面上暴露有含有Ni和Si的第1层和含有Si和N的第2层的被处理基体中的第2层进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括:(a)在处理容器内准备被处理基体的工序;以及(b)向处理容器内供给不含有氧而含有碳和氟的第1...
  • 干燥装置及干燥处理方法
    本发明提供能够高效地且在短时间内除去被涂敷在基板上的有机材料膜中的溶剂、并且能够在基板的面内进行均匀的干燥处理的干燥装置及干燥处理方法。干燥装置(100)包括能够抽成真空的处理容器(1)、用于在处理容器(1)内支承基板(S)的作为支承构...
  • 自适应配方选择器
    一种处理晶圆的方法使用可以包括一个或更多个测量制程、一个或更多个离子能量控制(IEC)蚀刻工序以及一个或更多个离子能量优化(IEO)蚀刻制程的离子能量(IE)相关多层处理工序以及离子能量控制多输入/多输出(IEC-MIMO)模型和库。I...
  • 描述了用于计量的基于过程变差的模型优化的方法。例如,方法包括确定结构的第一模型。所述第一模型基于第一参数集合。为所述结构确定过程变差数据的集合。基于所述过程变差数据的集合改变所述结构的第一模型,以提供所述结构的第二模型。结构的第二模型基...
  • 本发明能够简便且可靠地防止对开关方式的高频电源进行电力调制时在高频供电线上发生RF电力拖尾现象。该电容耦合型的等离子体处理装置,在真空腔室(10)内使基座(下部电极)(16)与兼作喷头的上部电极(46)相对配置。基座(16)分别经由匹配...
  • 等离子体处理装置
    提供一种能够正确地检测电弧放电的产生的等离子体处理装置。使用等离子体对基板(G)实施处理的等离子体处理装置(10)具备:腔室(11),其被提供高频电力而在内部产生等离子体;第一微分电路(21),其对高频电力的行波电压Vf进行时间微分;第...
  • 本发明提供一种探测装置和晶片装载器。其能够使晶片收纳容器的载置高度应对由搬运机械手进行的自动搬运,且能够与大型的测试头等对应。进行形成于半导体晶片的半导体器件的电检查的探测装置,具备探测器部,其具有载置台、驱动载置台使其上所载置的半导体...
  • 电感耦合等离子体处理装置
    本发明提供能够使用分割型电介质窗对大型被处理基板进行均匀的等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。本发明为对矩形形状的基板实施电感耦合等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置,包括:收纳基板的处理室;用于在处理室内的配置基板的区域生成电感...
  • 有机晶体管的制造方法具备:在基板(1)上层叠形成基底绝缘层(3)的工序;在基底绝缘层(3)上形成源电极(5a)、漏电极(5b)的工序;覆盖源电极(5a)、漏电极(5b)并且与基底绝缘层(3)接触地层叠形成有机半导体层(7)的工序;在有机...
  • 本发明提供一种能够使用金属窗对大型被处理基板进行均匀的等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。该电感耦合等离子体处理装置对矩形形状的基板进行电感耦合等离子体处理,包括:收纳基板的处理室;用于在处理室生成电感耦合等离子体的高频天线;和金属...