电感耦合等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够使用分割型电介质窗对大型被处理基板进行均匀的等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。本发明专利技术为对矩形形状的基板实施电感耦合等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置，包括：收纳基板的处理室；用于在处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和配置在生成电感耦等离子体的生成区域与高频天线之间，与基板对应地设置的呈矩形形状的电介质窗，高频天线设置成在与电介质窗对应的面内回转走线，电介质窗由金属制的支承梁分割为多个分割片，多个分割片包括包含长边的第一分割片和包含短边的第二分割片，第二分割片的径向的宽度（a）与上述第一分割片的径向的宽度（b）之比a/b为0.8以上1.2以下的范围。

【技术实现步骤摘要】
电感耦合等离子体处理装置
本专利技术涉及对平板显示器（FPD）制造用的玻璃基板等被处理基板实施等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。
技术介绍
在液晶显示装置（LCD）等平板显示器（FPD）制造工序中，存在对玻璃基板进行等离子体蚀刻、成膜处理等的等离子体处理的工序，为了进行这样的等离子体处理，能够使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD装置等各种等离子体处理装置。作为等离子体处理装置，以往大多使用电容耦合等离子体处理装置，但是，最近，具有能够在高真空度下得到高密度的等离子体的大优点的电感耦合等离子体（InductivelyCoupledPlasma：ICP）处理装置受到关注。电感耦合等离子体处理装置，在构成收容被处理基板的处理室的顶壁的电介质窗的上侧配置高频天线、对处理室内供给处理气体并且对该高频天线供给高频电力，由此在处理室内产生电感耦合等离子体，利用该电感耦合等离子体对被处理基板实施规定的等离子体处理。作为电感耦合等离子体处理装置的高频天线，大多使用平面状的呈规定图案的平面天线。作为这样的电感耦合等离子体处理装置，已知有例如专利文献1中公开的电感耦合等离子体处理装置。近来，被处理基板的尺寸变得大型化，例如在LCD用的矩形玻璃基板中，短边×长边的长度从约1500mm×约1800mm的尺寸向约2200mm×约2400mm的尺寸、进而向约2800mm×约3000mm的尺寸显著地大型化。随着这种被处理基板的大型化，构成电感耦合等离子体处理装置的顶壁的矩形形状的电介质窗也进行大型化，但构成电介质窗的石英或陶瓷等电介质材料较脆，所以不适合大型化。因此，例如，如专利文献2记载的那样，用金属制的支承梁（金属支承梁）将电介质窗分割成四个部分等来应对电介质窗的大型化。另外，由于被处理基板的大型化更加显著地进展，所以探讨进一步增加电介质窗部的分割数，但在使用专利文献2中记载那样的进行直线的分割的方法，将电介质窗每边分割成3个部分例如均等地分割为9个部分的情况下，当高频天线为环状或涡旋状时，划分中央的分割窗的金属支承梁构成与高频天线平行的闭合回路而在金属支承梁产生反电动势，金属支承梁正下方的等离子体变弱。因此，在专利文献3中公开了如下技术：在电介质窗的中央部分用与高频天线交叉的辐射状的金属支承梁分割电介质窗，使得不在金属支承梁构成与高频天线平行的闭合回路。例如如图17所示，在高频天线413呈同心状地形成3个环状天线413a、413b、413c的情况下，在金属支承梁406设置从电介质窗402的中央辐射状地延伸的部分而成为分割成8个部分，由此金属支承梁406不构成与高频天线平行的闭合回路。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许第3077009号公报专利文献2：日本特许第3609985号公报专利文献3：特开2012-227428号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题但是，如图17所示，当金属支承梁406以从电介质窗402的中央辐射状延伸的方式形成时，与矩形形状基板对应地形成为矩形形状的电介质窗402的、包含长边的长边中央分割片402a和包含短边的短边中央分割片402b在径向上的宽度不同，高频天线413的天线的匝数相同，所以感应电场的电场强度因长边中央分割片402a和短边中央分割片402b而不同，难以进行均匀性高的等离子体处理。这样的问题也同样产生于不产生在金属支承梁构成与高频天线平行的闭合回路的问题的、例如用对角线将矩形的电介质窗402分割为4份的情况下。另一方面，专利文献3公开了将金属支承梁作为喷淋框体供给处理气体的情况，但在图17所示的分割方式下存在从金属支承梁供给气体不充分的情况，在该情况下需要在电介质窗402的中央部单独设置呈米字旗（UnionJack）状地配置有气体排出孔的陶瓷制的喷淋部件。在这种情况下，由于陶瓷制的喷淋部件价格高，所以成本上升。另外，由于在处理室内形成凹凸，所以副产物容易附着，而且容易产生其剥落导致的微粒。因此，如图18所示，可以考虑使金属支承梁406自身成为米字旗状将其用作喷淋框体，但由于金属支承梁406集中在电介质窗402的中心，所以在处理室的中央部等离子体密度有可能降低。本专利技术鉴于所述情况，课题在于提供一种能够对大型的被处理基板用分割型的电介质窗进行均匀的等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。另外，课题在于提供一种在对大型的被处理基板使用分割型的电介质窗的情况下，即使将分割电介质窗的金属支承梁用作喷淋框体，中央部的等离子体密度也不会降低的电感耦合等离子体处理装置。用于解决技术问题的技术方案为了解决上述技术问题，本专利技术的第一方案为一种电感耦合等离子体处理装置，其对矩形形状的基板实施电感耦合等离子体处理，上述电感耦合等离子体处理装置的特征在于，包括：收纳基板的处理室；用于在上述处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和配置在生成上述电感耦合等离子体的等离子体生成区域与上述高频天线之间，与基板对应地设置的呈矩形形状的电介质窗，上述高频天线设置成在与上述电介质窗对应的面内回转走线，上述电介质窗由金属制的支承梁分割为多个分割片，上述多个分割片包括包含长边的第一分割片和包含短边的第二分割片，上述第二分割片的径向的宽度a与上述第一分割片的径向的宽度b之比a/b为0.8以上1.2以下的范围。在上述第一方案的电感耦合等离子体处理装置中，能够构成为：在以从上述电介质窗的四角在45°±6°的方向上延伸的线为第一线，以将上述第一线中分别夹着上述短边的2条第一线相交的2个交点连结的、与上述长边平行的线为第二线的情况下，上述电介质窗由沿上述第一线和上述第二线设置的上述金属制的支承梁分割为上述第一分割片和上述第二分割片。另外，上述电介质窗能够构成为：上述电介质窗的上述长边和上述短边分别被分割为三个部分以上，在上述金属制的支承梁不存在沿上述高频天线产生的闭合回路。此时，在以从上述电介质窗的四角在45°±6°的方向上延伸的线为第一线，将上述第一线中分别夹着上述短边的2个第一线相交的2个第一交点连结的、与上述长边平行的线为第二线，以将一对长边分别分割为三个部分的线为第三线，以将一对短边分别分割为三个部分的线为第四线，以上述第一线、上述第三线和上述第四线的交点为第二交点的情况下，上述电介质窗包括：包含上述长边的、形成于上述长边的中央部的2个上述第一分割片，其由上述第二线、从一方的上述长边延伸的2个上述第三线、以及上述第一线的上述第一交点和上述第二交点之间的部分所划分；包含上述短边的、形成于上述短边的中央部的2个上述第二分割片，其由从一方的上述短边延伸的2个上述第四线、以及上述第一线的上述第一交点和上述第二交点之间的部分所划分；和形成于上述电介质窗的角部的4个第三分割片，其由上述第三线和上述第四线所划分，这些分割片由上述金属制的支承梁分割。本专利技术的第二方案为一种电感耦合等离子体处理装置，其对矩形形状的基板实施电感耦合等离子体处理，上述电感耦合等离子体处理装置的特征在于，包括：收纳基板的处理室；用于在上述处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；配置在生成上述电感耦合等离子体的等离子体生成区域与上述高频天线之间，与基板对应地设置的呈矩形形状的电介质窗；和对上述处理室供给用于形成等离子体的处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电感耦合等离子体处理装置，其对矩形形状的基板实施电感耦合等离子体处理，所述电感耦合等离子体处理装置的特征在于，包括：收纳基板的处理室；用于在所述处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和配置在生成所述电感耦合等离子体的等离子体生成区域与所述高频天线之间，与基板对应地设置的呈矩形形状的电介质窗，所述高频天线设置成在与所述电介质窗对应的面内回转走线，所述电介质窗由金属制的支承梁分割为多个分割片，所述多个分割片包括包含长边的第一分割片和包含短边的第二分割片，所述第二分割片的径向的宽度a与所述第一分割片的径向的宽度b之比a/b为0.8以上1.2以下的范围。

【技术特征摘要】
2013.02.18 JP 2013-028765;2013.07.22 JP 2013-151871.一种电感耦合等离子体处理装置，其对矩形形状的基板实施电感耦合等离子体处理，所述电感耦合等离子体处理装置的特征在于，包括：收纳基板的处理室；用于在所述处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和配置在生成所述电感耦合等离子体的等离子体生成区域与所述高频天线之间，与基板对应地设置的呈矩形形状的电介质窗，所述高频天线设置成在与所述电介质窗对应的面内回转走线，所述电介质窗由金属制的支承梁分割为多个分割片，所述多个分割片包括包含长边的第一分割片和包含短边的第二分割片，在以从所述电介质窗的四角在45°±6°的方向上延伸的线为第一线，以将所述第一线中分别夹着所述短边的2条第一线相交的2个交点连结的、与所述长边平行的线为第二线的情况下，所述电介质窗由沿所述第一线和所述第二线设置的所述金属制的支承梁分割为所述第一分割片和所述第二分割片，并且，所述第二分割片的径向的宽度a与所述第一分割片的径向的宽度b之比a/b为0.8以上1.2以下的范围。2.一种电感耦合等离子体处理装置，其对矩形形状的基板实施电感耦合等离子体处理，所述电感耦合等离子体处理装置的特征在于，包括：收纳基板的处理室；用于在所述处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和配置在生成所述电感耦合等离子体的等离子体生成区域与所述高频天线之间，与基板对应地设置的呈矩形形状的电介质窗，所述高频天线设置成在与所述电介质窗对应的面内回转走线，所述电介质窗由金属制的支承梁分割为多个分割片，所述多个分割片包括包含长边的第一分割片和包含短边的第二分割片，所述第二分割片的径向的宽度a与所述第一分割片的径向的宽度b之比a/b为0.8以上1.2以下的范围，所述电介质窗的所述长边和所述短边分别被分割为三个部分以上，在所述金属制的支承梁不存在沿所述高频天线产生的闭合回路，在以从所述电介质窗的四角在45°±6°的方向上延伸的线为第一线，将所述第一线中分别夹着所述短边的2个第一线相交的2个第一交点连结的、与所述长边平行的线为第二线，以将一对长边分别分割为三个部分的线为第三线，以将一对短边分别分割为三个部分的线为第四线，以所述第一线、所述第三线和所述第四线的交点为第二交点的情况下，所述电介质窗包括：包含所述长边的、形成于所述长边的中央部的2个所述第一分割片，其由所述第二线、从一方的所述长边延伸的2个所述第三线、以及所述第一线的所述第一交点和所述第二交点之间的部分所划分；包含所述短边的、形成于所述短边的中央部的2个所述第二分割片，其由从一方的所述短边延伸的2个所述第四线、以及所述第一线的所述第一交点和所述第二交点之间的部分所划分；和形成于所述电介质窗的角部的4个第三分割片，其由所述第三线和所述第四线所划分，这些分割片由所述金属制的支承梁分割。3.一种电感耦合等离子体处理装置，其对矩形形状的基板实施电感耦合等离子体处理，所述电感耦合等离子体处理装置的特征在于，包括：收纳基板的处理室；用于在所述处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；配置在生成所述电感耦合等离子体的等离子体生成区域与所述高频天线之间，与基板对应地设置的呈矩形形状的电介质窗；和对所述处理室供给用于形成等离子体的处理气体的气体供给部，所述高频天线设置成在与所述电介质窗对应的面内回转走线，所述电介质窗由金属制的第一支承梁进行分割为...

【专利技术属性】
技术研发人员：东条利洋，里吉务，佐佐木和男，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP