电感耦合等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够使用金属窗对大型被处理基板进行均匀的等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。该电感耦合等离子体处理装置对矩形形状的基板进行电感耦合等离子体处理，包括：收纳基板的处理室；用于在处理室生成电感耦合等离子体的高频天线；和金属窗，其配置在生成电感耦合等离子体的等离子体生成区域和高频天线之间，与基板对应地设置，金属窗（2）由狭缝（7）分割为多个区域，具有与长边（2b）对应的长边侧区域（202b）和与短边（2a）对应的短边侧区域（202a），狭缝中外侧狭缝（71）具有与短边侧区域对应的短边侧部分（71a）和与长边侧区域对应的长边侧部分（71b），短边侧部分的宽度大于长边侧部分的宽度。

【技术实现步骤摘要】
电感耦合等离子体处理装置
本专利技术涉及对平板显示器(FPD:Flat Panel Display)制造用的玻璃基板等被处理基板实施等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。
技术介绍
在液晶显示装置(IXD)等平板显示器(FPD)制造工序中，存在对玻璃基板进行等离子体蚀刻、成膜处理等的等离子体处理的工序，为了进行这样的等离子体处理，能够使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD装置等各种等离子体处理装置。作为等离子体处理装置，目前多使用电容耦合等离子体处理装置，但最近，具有能够在高真空度下得到高密度的等离子体的很大优点的电感稱合等离子体(Inductively Coupled Plasma:ICP)处理装置受到关注。电感耦合等离子体处理装置在构成收纳被处理基板的处理室的顶壁的电介质窗的上侧配置高频天线，对处理室内供给处理气体并且对该高频天线供给高频电力，由此在处理室内产生电感耦合等离子体，并利用该电感耦合等离子体对被处理基板进行规定的等离子体处理。作为电感耦合等离子体处理装置的高频天线，多用形成平面状的规定图案的平面天线。作为这样的电感耦合等离子体处理装置，例如已知在专利文献I中公开的等离子体处理装置。近来，被处理基板的尺寸正在大型化，例如在IXD用的矩形形状玻璃基板中，短边X长边的长度从约1500mmX约1800mm的尺寸向约2200mmX约2400mm的尺寸、进一步向约2800mm X约3000mm的尺寸显著大型化。伴随着这样的被处理基板的大型化，构成电感耦合等离子体处理装置的顶壁的电介质窗也在大型化，但是电介质窗一般采用石英或陶瓷之类脆的材料，因此不适于大型化。所以，例如如专利文献2所记载的方式，通过分割石英玻璃来应对电介质窗的大型化。然而，面向被处理基板的进一步大型化，利用专利文献2所记载的分割电介质窗的方法，也很难应对大型化。于是，提出了将电介质窗置换为金属窗而增加强度，由此应对被处理基板的大型化的技术(专利文献3)。另外，还提出了一种作为这种金属窗，使用沿着其周方向进行相互电绝缘地分割为两个以上的第一分割，并且沿着与周方向交叉的方向进行相互电绝缘地分割的第二分割的金属窗，对于大型被处理基板，使等离子体分布的控制性良好的技术(专利文献4)。在使用这种金属窗的技术中，金属窗不使磁力线透过，因此具有与使用电介质窗的情况不同的机制。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第3077009号公报专利文献2:日本专利第3609985号公报专利文献3:日本特开2011-29584号公报专利文献4:日本特开2012-227427号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题专利文献3、4的技术虽然能够应对被处理基板的大型化，但由于等离子体产生的机制与电介质窗的情况不同，因此金属窗的大型化存在另外的问题。即，在采用具有这种金属窗的等离子体处理装置的情况下，等离子体的分布受到金属窗的形状、分割方式等影响，有在被处理基板的面内处理速度难以变均匀的问题。特别是，在与矩形基板对应地采用矩形形状的金属窗的情况下，在长边侧和短边侧，窗的宽度不同，存在与窗的宽度较宽的短边侧相比、窗的宽度较窄的长边侧一方的等离子体处理速度变高的倾向。因此，难以进行均匀性闻的等尚子体处理。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够利用金属窗对大型被处理基板进行均匀的等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。用于解决技术问题的技术方案为了解决上述问题，本专利技术的第一方面提供一种对基板实施电感耦合等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置，该电感耦合等离子体处理装置的特征在于，包括:收纳基板的处理室；用于在上述处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和金属窗，其配置在生成上述电感耦合等离子体的等离子体生成区域和上述高频天线之间，与基板对应地设置，其中，上述金属窗由狭缝分割为多个区域，上述狭缝至少其一部分形成为宽度随位置而不同，由此，能够调整由供给至上述高频天线的电流形成在上述处理室的感应电场的分布。在上述第一方面，可以采用如下结构:上述金属窗包括宽度相对较宽的区域和宽度相对较窄的区域，上述狭缝中与上述宽度相对较窄的区域对应的部分的宽度比与上述宽度相对较宽的区域对应的部分的宽度大。另外，能够采用如下结构:上述金属窗包括与上述金属窗的长边对应的长边侧区域和与上述金属窗的短边对应的短边侧区域，上述狭缝包括与上述短边侧区域对应的第一狭缝和与上述长边侧区域对应的第二狭缝，上述第一狭缝的宽度比上述第二狭缝的宽度大。此时，能够采用如下结构:上述第一狭缝形成得与上述短边平行，上述第二狭缝形成得与上述长边平行。能够采用如下结构:上述狭缝包括与呈矩形形状的上述金属窗的外形同心状的矩形狭缝，上述第一狭缝为上述矩形狭缝的短边，上述第二狭缝为上述矩形狭缝的长边。此时，也可以采用如下结构:上述狭缝呈同心状地包括多个上述矩形狭缝，上述矩形狭缝中至少最外侧的矩形狭缝包括上述第一狭缝和上述第二狭缝。上述狭缝也可以包括与上述矩形狭缝交叉的方向的交叉狭缝。能够采用如下结构:上述交叉狭缝为上述矩形狭缝的对角线状。优选上述第一狭缝和上述第二狭缝中的至少一方形成为与高频天线的天线线材平行。能够采用如下的结构:上述高频天线设置成在与上述金属窗对应的面内、上述天线线材在上述金属窗的周方向上回转走线。本专利技术的第二方面提供一种对基板实施电感耦合等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置，该电感耦合等离子体处理装置的特征在于，包括:收纳基板的处理室；用于在上述处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和金属窗，其配置在生成上述电感耦合等离子体的等离子体生成区域和上述高频天线之间，与基板对应地设置，其中，上述金属窗由狭缝分割为多个区域，上述狭缝的至少一部分的宽度可变，使得能够调整由供给至上述高频天线的电流形成在上述处理室的感应电场的分布。在上述第二方面，能够采用如下结构:上述金属窗包括宽度相对较宽的区域和宽度相对较窄的区域，上述狭缝的至少一部分的宽度可变，使得上述狭缝中与上述宽度相对较窄的区域对应的部分的宽度比与上述宽度相对较宽的区域对应的部分的宽度大。另外，能够采用如下结构:上述狭缝中宽度可变的部分具有对上述狭缝的宽度进行调整的盖。此时，优选上述盖与由上述狭缝中宽度可变的部分分割而成的上述金属窗的一方区域导通，与另一方区域绝缘。专利技术效果根据本专利技术，将金属窗以通过狭缝相互绝缘的方式分割为多个区域，使狭缝的至少一部分形成为宽度随位置而不同，对由供给至高频天线的电流形成在处理室内的感应电场的分布进行调整。由此，在大型基板中，例如在长边侧和短边侧窗的宽度不同，即使存在与窗的宽度较宽的短边侧相比、窗的宽度较窄的长边侧一方的等离子体处理速度变高的倾向，也能够利用金属窗进行均匀的等离子体处理。【附图说明】图1是概略地表示本专利技术的第一实施方式的电感耦合等离子体处理装置的截面图。图2是表示本专利技术的第一实施方式的电感耦合等离子体处理装置所使用的金属窗和高频天线的平面图。图3是表示本专利技术的第一实施方式的电感耦合等离子体的生成原理的图。图4是表示金属窗的另一例的平面图。图5是表不闻频天线的另一例的平面图。图6是表示高频天线的又一例的平面图。图7是表示对狭缝宽度和金属窗的宽度对等离子体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对基板实施电感耦合等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置，该电感耦合等离子体处理装置的特征在于，包括：收纳基板的处理室；用于在所述处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和金属窗，其配置在生成所述电感耦合等离子体的等离子体生成区域和所述高频天线之间，与基板对应地设置，所述金属窗由狭缝分割为多个区域，所述狭缝至少其一部分形成为宽度随位置而不同，由此，能够调整由供给至所述高频天线的电流形成在所述处理室的感应电场的分布。

【技术特征摘要】
2013.02.07 JP 2013-0225441.一种对基板实施电感耦合等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置，该电感耦合等离子体处理装置的特征在于，包括: 收纳基板的处理室； 用于在所述处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和金属窗，其配置在生成所述电感耦合等离子体的等离子体生成区域和所述高频天线之间，与基板对应地设置， 所述金属窗由狭缝分割为多个区域，所述狭缝至少其一部分形成为宽度随位置而不同，由此，能够调整由供给至所述高频天线的电流形成在所述处理室的感应电场的分布。2.如权利要求1所述的电感耦合等离子体处理装置，其特征在于: 所述金属窗包括宽度相对较宽的区域和宽度相对较窄的区域，所述狭缝中与所述宽度相对较窄的区域对应的部分的宽度比与所述宽度相对较宽的区域对应的部分的宽度大。3.如权利要求1或2所述的电感耦合等离子体处理装置，其特征在于: 所述金属窗包括与所述金属窗的长边对应的长边侧区域和与所述金属窗的短边对应的短边侧区域，所述狭缝包括与所述短边侧区域对应的第一狭缝和与所述长边侧区域对应的第二狭缝，所述第一狭缝的宽度比所述第二狭缝的宽度大。4.如权利要求3所述的电感耦合等离子体处理装置，其特征在于: 所述第一狭缝形成得 与所述短边平行，所述第二狭缝形成得与所述长边平行。5.如权利要求3或4所述的电感耦合等离子体处理装置，其特征在于: 所述狭缝包括与呈矩形形状的所述金属窗的外形同心状的矩形狭缝，所述第一狭缝为所述矩形狭缝的短边，所述第二狭缝为所述矩形狭缝的长边。6.如权利要求5所述的电感耦合等离子体处理装置，其特征在于: 所述狭缝呈同心状地包括多个所述矩形狭缝，所述矩形狭缝中至少最外侧的矩形狭缝包括所述第一狭...

【专利技术属性】
技术研发人员：山泽阳平，佐佐木和男，古屋敦城，齐藤均，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP