电感耦合等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够使用金属窗对大型被处理基板进行均匀的等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。该电感耦合等离子体处理装置对矩形形状的基板进行电感耦合等离子体处理，包括：收纳基板的处理室；用于在处理室生成电感耦合等离子体的高频天线；和金属窗，其配置在生成电感耦合等离子体的等离子体生成区域和高频天线之间，与基板对应地设置，金属窗（2）由狭缝（7）分割为多个区域，具有与长边（2b）对应的长边侧区域（202b）和与短边（2a）对应的短边侧区域（202a），狭缝中外侧狭缝（71）具有与短边侧区域对应的短边侧部分（71a）和与长边侧区域对应的长边侧部分（71b），短边侧部分的宽度大于长边侧部分的宽度。

【技术实现步骤摘要】
电感耦合等离子体处理装置
本专利技术涉及对平板显示器(FPD:Flat Panel Display)制造用的玻璃基板等被处理基板实施等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。
技术介绍
在液晶显示装置(IXD)等平板显示器(FPD)制造工序中，存在对玻璃基板进行等离子体蚀刻、成膜处理等的等离子体处理的工序，为了进行这样的等离子体处理，能够使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD装置等各种等离子体处理装置。作为等离子体处理装置，目前多使用电容耦合等离子体处理装置，但最近，具有能够在高真空度下得到高密度的等离子体的很大优点的电感稱合等离子体(Inductively Coupled Plasma:ICP)处理装置受到关注。电感耦合等离子体处理装置在构成收纳被处理基板的处理室的顶壁的电介质窗的上侧配置高频天线，对处理室内供给处理气体并且对该高频天线供给高频电力，由此在处理室内产生电感耦合等离子体，并利用该电感耦合等离子体对被处理基板进行规定的等离子体处理。作为电感耦合等离子体处理装置的高频天线，多用形成平面状的规定图案的平面天线。作为这样的电感耦合等离子体处理装置，例如已知在专利文献I中公本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对基板实施电感耦合等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置，该电感耦合等离子体处理装置的特征在于，包括：收纳基板的处理室；用于在所述处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和金属窗，其配置在生成所述电感耦合等离子体的等离子体生成区域和所述高频天线之间，与基板对应地设置，所述金属窗由狭缝分割为多个区域，所述狭缝至少其一部分形成为宽度随位置而不同，由此，能够调整由供给至所述高频天线的电流形成在所述处理室的感应电场的分布。

【技术特征摘要】
2013.02.07 JP 2013-0225441.一种对基板实施电感耦合等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置，该电感耦合等离子体处理装置的特征在于，包括: 收纳基板的处理室； 用于在所述处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和金属窗，其配置在生成所述电感耦合等离子体的等离子体生成区域和所述高频天线之间，与基板对应地设置， 所述金属窗由狭缝分割为多个区域，所述狭缝至少其一部分形成为宽度随位置而不同，由此，能够调整由供给至所述高频天线的电流形成在所述处理室的感应电场的分布。2.如权利要求1所述的电感耦合等离子体处理装置，其特征在于: 所述金属窗包括宽度相对较宽的区域和宽度相对较窄的区域，所述狭缝中与所述宽度相对较窄的区域对应的部分的宽度比与所述宽度相对较宽的区域对应的部分的宽度大。3.如权利要求1或2所述的电感耦合等离子体处理装置，其特征在于: 所述金属窗包括与所述金属窗的长边对应的长边侧区域和与所述金属窗的短边对应的短边侧区域，所述狭缝包括与所述短边侧区域对应的第一狭缝和与所述长边侧区域对应的第二狭缝，所述第一狭缝的宽度比所述第二狭缝的宽度大。4.如权利要求3所述的电感耦合等离子体处理装置，其特征在于: 所述第一狭缝形成得 与所述短边平行，所述第二狭缝形成得与所述长边平行。5.如权利要求3或4所述的电感耦合等离子体处理装置，其特征在于: 所述狭缝包括与呈矩形形状的所述金属窗的外形同心状的矩形狭缝，所述第一狭缝为所述矩形狭缝的短边，所述第二狭缝为所述矩形狭缝的长边。6.如权利要求5所述的电感耦合等离子体处理装置，其特征在于: 所述狭缝呈同心状地包括多个所述矩形狭缝，所述矩形狭缝中至少最外侧的矩形狭缝包括所述第一狭...

【专利技术属性】
技术研发人员：山泽阳平，佐佐木和男，古屋敦城，齐藤均，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP