等离子体处理装置制造方法及图纸

提供一种能够正确地检测电弧放电的产生的等离子体处理装置。使用等离子体对基板(G)实施处理的等离子体处理装置(10)具备：腔室(11)，其被提供高频电力而在内部产生等离子体；第一微分电路(21)，其对高频电力的行波电压Vf进行时间微分；第二微分电路(23)，其对高频电力的反射波电压Vr进行时间微分；比较器(22)，其计算dVr/dt-dVf/dt，在计算出的该dVr/dt-dVf/dt超过电弧放电检测值的情况下，判断为在腔室(11)内产生了电弧放电而发送信号；以及二极管(25)，其在dVf/dt为负值的情况下，将dVf/dt设为0，使得dVr/dt-dVf/dt变小。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本专利技术涉及一种防止电弧放电的产生的等离子体处理装置。
技术介绍
在使用提供高频电力所产生的等离子体对基板、例如用于制造FPD的玻璃基板、半导体晶圆实施规定处理的等离子体处理装置中，在产生等离子体的处理室内有时产生电弧放电。当电弧放电持续时有可能对处理室内的部件、玻璃基板、半导体晶圆造成损伤，因此，如果检测出电弧放电的产生则需要迅速停止用于生成等离子体的高频电力的提供。当产生电弧放电时高频电力的反射波电压产生峰值，因此通常监视反射波电压，当检测出峰值的产生时切断高频电力的提供。高频电力的提供方式与规定处理的内容相应地存在各种方式，以往，作为提供方式变化的方式，阶梯性地增加所提供的高频电力的方式为主流方式。但是，在阶梯性地增加高频电力时，行波电压也增加，而在该情况下，在通过匹配电路取得行波电压与反射波电压的阻抗匹配之前有时反射波电压产生峰值。因此，为了避免将由行波电压的增加引起的反射波电压的峰值的产生误认为是由电弧放电的产生引起的反射波电压的峰值的产生，通常，在以下式成立的情况下判断为产生了由电弧放电的产生引起的反射波电压的峰值(例如参照专利文献1)。dVr/dt-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，具备被提供高频电力的处理室，使上述处理室内产生等离子体而使用该等离子体对被处理体实施处理，该等离子体处理装置的特征在于，还具备：第一时间微分部，其对施加给上述处理室的高频电力的行波电压进行时间微分；第二时间微分部，其对从上述处理室返回的高频电力的反射波电压进行时间微分；判断部，其计算与上述反射波电压的时间微分值和上述行波电压的时间微分值的差分对应的值，在计算出的该与差分对应的值超过规定的阈值的情况下，判断为在上述处理室内产生了电弧放电；以及微分值变更部，其在上述行波电压的时间微分值为负值的情况下，至少变更上述反射波电压的时间微分值和上述行波电压的时间微分值中的某一个，使得...

【技术特征摘要】
2013.02.27 JP 2013-0371371.一种等离子体处理装置，具备被提供高频电力的处理室，使上述处理室内产生等离子体而使用该等离子体对被处理体实施处理，该等离子体处理装置的特征在于，还具备：第一时间微分部，其对施加给上述处理室的高频电力的行波电压进行时间微分；第二时间微分部，其对从上述处理室返回的高频电力的反射波电压进行时间微分；判断部，其计算与上述反射波电压的时间微分值和上述行波电压的时间微分值的差分对应的值，在计算出的该与差分对应的值超过规定的阈值的情况下，判断为在上述处理室内产生了电弧放电；以及微分值变更部，其在上述行波电压的时间微分值为负值的情况下，至少变更上述反射波电压的时间微分值和上述行波电压的时间微分值中的某一个，使得上述与差分对应的值变得小于规定的阈值。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述判断部具有被输入上述行波电压的时间微分值的第一输入部以及被输入上述反射波电压的时间微分值的第二输入部，上...

【专利技术属性】
技术研发人员：古屋敦城，樋川和志，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP