本发明公开了向被保持为真空的处理容器(1)内喷射气体并利用绝热膨胀来生成气体团簇、将生成的气体团簇向被处理基板(S)照射的气体团簇照射机构(10)。气体团簇照射机构(10)包括：具有多个气体喷射喷嘴(17)的喷嘴单元(11)；向喷嘴单元...

本发明涉及无尘室的监视装置以及无尘室的监视方法。该装置是用于监视在地板部配置了能够取下的格栅的无尘室的内部的无尘室的监视装置，该装置具备：监视照相机，其拍摄上述格栅；监视部，其根据利用上述监视照相机得到的图像信号来检测取下了上述格栅的开...

本发明提供一种能够良好地使设置于晶片的半导体器件的电极与探针卡的探针抵接而不受探针卡的探针长度的影响的晶片检查用接口。晶片检查用接口(40)，包括：探针卡(43)，其在与晶片(W)相对的相对面具有多个探针(43b)；对探针卡(43)的与...

本发明提供一种能够不在基板的半导体器件的各电极上留下深的针迹，而且能够防止探针的折断、基板的破裂的基板检查装置。基板检查装置(10)维持晶片(W)与探针卡(17)之间的密闭空间(S)的减压状态，并维持探针卡(17)的各探针(15)与形成...

本发明提供能够可靠地防止用于进行电连接的接口部分的结露的半导体检查系统及接口部的结露防止方法。其特征在于，该半导体检查包括：探针机构，其用于使探针与被测量体接触而获得电导通；检测器，其用于向上述被测量体供给检查信号并检测上述被测量体的输...

本发明提供一种图案形成方法，包括：利用由包含氟化碳(CF)类气体的蚀刻气体生成的等离子体，隔着掩模对基板上的含硅膜进行蚀刻，在该含硅膜上形成规定图案的蚀刻步骤；使用硅化合物气体，利用从氧化性气体或者氮化性气体生成的等离子体，使吸附在所述...

本发明提供一种在使用由磁性材料构成的靶进行磁控溅射时能够提高装置的生产率的技术。在本发明中，构成的装置包括：由磁性材料构成的作为靶的圆筒体，其在基板的上方以该圆筒体的中心轴线从所述基板的中心轴线向沿着所述基板的面的方向偏移的方式配置；旋...

当对多层膜进行蚀刻时，能够抑制弓形并进行蚀刻。使用包含HBr气体和C4F8气体的处理气体，多次执行等离子体蚀刻，由此，进行从SiN层(350)到叠层膜(340)逐渐形成凹部的蚀刻，此时，在规定的时刻，向处理气体中以规定流量比添加含硼气体...

提供了一种用于使分层结构图案化的方法，该方法包括：执行光刻以在下层衬底的水平表面上提供显影的预图案层；改变预图案层以形成间隔开的无机材料引导物；对自组装嵌段共聚物层进行铸造和退火以形成横向间隔开的柱状特征物；通过选择性去除自组装嵌段共聚...

本发明涉及硅膜的成膜方法、薄膜的成膜方法以及截面形状的控制方法。硅膜的成膜方法为在具有被处理面的被处理体上形成硅膜的方法，具备：(1)对前述被处理面上供给分子中包含两个以上硅的高阶氨基硅烷系气体，使前述被处理面上吸附硅而形成晶种层的工序...

等离子体处理装置(1)通过使导入至处理容器(2)的处理气体等离子化，从而对收容在处理容器(2)的内部的晶圆(W)进行处理。等离子体处理装置(1)具备中央导入部(55)、周边导入部(61)、流量调整部以及控制部(49)。中央导入部(55)...

本发明提供半导体器件的制造方法。该制造方法包括：(a)在等离子体处理装置的处理容器内准备被处理体的工序，该被处理体具有：包括交替层叠的氧化硅膜和氮化硅膜的多层膜和设置于该多层膜上的掩模；和(b)对多层膜进行蚀刻的工序，在该工序中，将包括...

本发明提供一种按晶片等级进行在衬底的两面具有电极的功率器件的电特性检查的探测装置，在衬底的背面侧电极与吸盘顶部的载置面导体之间实现接触电阻的降低和均匀化。在该探测装置中，用于将半导体晶片W保持在吸盘顶部12上的吸附机构，在吸盘顶部的载置...

本发明提供一种显影方法，用于进行显影，其包括：将曝光后的基板水平地保持在基板保持部上的步骤；从显影液喷嘴向基板的一部分供给显影液形成积液的步骤；使基板旋转的步骤；使上述显影液喷嘴移动，以使得进行旋转的上述基板上的显影液的供给位置沿着该基...

本发明用于适当除去在对被蚀刻膜进行蚀刻时生成的反应生成物。本发明的装置用于处理由于对被处理基体所含有的被蚀刻层进行蚀刻而沉积的反应生成物。该装置包括处理容器、隔板、等离子体源、载置台、第1处理气体供给部及第2处理气体供给部。处理容器划分...

本发明提供一种在基板上形成金属氧化膜时、使基板间金属氧化膜的电阻值稳定的处理装置和处理方法。在能够进行等离子体溅射处理的真空容器(2)内部配置有由用于吸收氧的构件构成的靶(31a)和由金属构成的靶(31b)，将基板(S)搬入真空容器(2...

一种方法，在该方法中，针对层叠于晶圆上的氧化硅膜层，以形成于该氧化硅膜上的硅掩模作为掩模对该氧化硅膜层进行等离子体蚀刻处理，利用含CF气体的等离子体对氧化硅膜层(3)进行蚀刻处理，接着，利用含Si气体的等离子体在掩模上沉积含Si物质，之...

本发明提供一种冷却机构(10)，其特征在于，该冷却机构(10)包括：多个支承台(54)，其设于形成有下降流的大气输送室(6)，且沿上下方向设为多层；多个支承销(56)，其设于各所述支承台(54)，用于与所述被处理体(W)的背面接触而支承...

在一实施方式中，提供一种用于蚀刻含有多晶硅的被蚀刻层的方法。该方法包括：(a)准备被处理基体的工序，该被处理基体具有被蚀刻层和设在该被蚀刻层上的掩模；(b)使用该掩模蚀刻被蚀刻层的工序。掩模具有：第1掩模部，其由多晶硅构成；第2掩模部，...

本发明提供一种即使具有分割型的金属窗也能够在处理室的内部生成均匀的等离子体的感应耦合等离子体处理装置。该感应耦合等离子体处理装置包括：主体容器(1)；和具有导电性的矩形形状的金属窗(2)，其将主体容器划分为：收纳被处理体(G)并对所收纳...