冷却机构和处理系统技术方案

本发明专利技术提供一种冷却机构(10)，其特征在于，该冷却机构(10)包括：多个支承台(54)，其设于形成有下降流的大气输送室(6)，且沿上下方向设为多层；多个支承销(56)，其设于各所述支承台(54)，用于与所述被处理体(W)的背面接触而支承所述被处理体(W)；和折流板(58)，其设于所述支承台(54)，用于利用所述下降流冷却被支承在位于该支承台(54)的下层的支承台(54)上的所述被处理体(W)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】冷却机构和处理系统
本专利技术涉及一种用于冷却半导体晶圆等被处理体的冷却机构和使用该冷却机构的处理系统。
技术介绍
通常，在制造半导体器件时，对半导体晶圆反复进行成膜处理、氧化扩散处理、改性处理、蚀刻处理、退火处理等各种处理。另外，为了有效地进行所述各种处理，已知有例如专利文献I等所公开那样的所谓组合设备型的处理系统。在该处理系统中，处于真空气氛的共用输送室与多个单片式的处理室连结，经由该共用输送室向各处理室输送半导体晶圆并依次进行需要的处理。 在该情况下，所述共用输送室与一个或多个能够选择性地实现真空气氛状态和大气压气氛状态的小容量加载互锁装置连结。另外，为了在真空气氛的所述共用输送室与大致大气压的外部之间输入、输出半导体晶圆，而将所述加载互锁装置内选择性地设定为真空气氛状态或大气压气氛状态，从而在不破坏所述共用输送室内的真空气氛的情况下进行半导体晶圆的输入、输出操作。在此，所述加载互锁装置具有冷却机构、例如冷却板等，该冷却机构用于将因所述处理室内的各种热处理而成为高温状态的半导体晶圆冷却到安全的温度、例如100°C左右，在半导体晶圆冷却到10°c以下的温度后向外部取出该半导体晶圆。 另外，作为用于冷却所述半导体晶圆的方法，还提出了如下提案:使用形成于大气压气氛的输送室的下降流进行冷却(专利文献2等)、或者在大气压气氛的输送室内设置冷却站(专利文献3等)。此外，作为半导体晶圆的冷却机构，还具有这样的提案:设置配置有冷却配管的冷却板(专利文献4)、在冷却板的中央部设置凸状的吸附部而有效地冷却晶圆、特别是晶圆的中央部(专利文献5)。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2007-027378号公报 专利文献2:日本特开2006-253683号公报 专利文献3:日本特表2005-518655号公报 专利文献4:日本特开2002-057092号公报 专利文献5:日本特开平11-330212号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题 然而，最近，为了简化处理系统，而提出了一种仅将用于在大气压气氛中而非真空气氛中对半导体晶圆进行处理的处理室集合而成的处理系统。其中，在本说明书中，对于“大气压气氛”，并非准确指大气的压力，而是与减压的真空气氛相对立的用语，实际上将相对于大气压而言为±0.0lTorr左右的压力范围称作“大气压气氛”。作为在这样的大气压气氛中进行的处理，对应有例如退火处理、氧化扩散处理、改性处理等。 在所述那样的大气压气氛下进行热处理的情况下，不需要用于选择性地实现真空气氛状态和大气压气氛状态的所述加载互锁装置，能够将处理室与大气压气氛的输送室直接连结。在该情况下，为了将晶圆冷却到搬运温度，需要将设于所述加载互锁装置的冷却机构另外独立地设置，但所述专利文献2?4所示那样的冷却机构为复杂的结构，寻求一种结构更简单的冷却机构。 本申请的一专利技术的目的在于提供一种能够在大气输送室内有效地冷却被处理体的冷却机构和使用该冷却机构的处理系统。 用于解决问题的方案 一技术方案提供一种冷却机构，其特征在于， 该冷却机构包括: 多个支承台，其设于形成有下降流的大气输送室，且多个该支承台沿上下方向设为多层， 多个支承销，其设于各所述支承台，用于与所述被处理体的背面相接触而支承所述被处理体；和 折流板，其设于所述支承台，用于利用所述下降流冷却被支承在位于该折流板所设的支承台的下层的支承台上的所述被处理体。 另一技术方案提供一种冷却机构，其特征在于，该冷却机构包括:多个支承台，其设于大气输送室，且沿上下方向设为多层；多个支承销，其设于各所述支承台，用于与所述被处理体的背面接触而支承所述被处理体；冷却部件，其用于冷却所述被处理体的中央部。 另一技术方案提供一种冷却机构，其特征在于，该冷却机构包括:多个支承台，其设于形成有下降流的大气输送室，且多个该支承台沿上下方向设为多层；多个支承销，其设于各所述多支承台，用于与所述被处理体的背面接触而支承所述被处理体；以及侧部冷却部件，其从支承于所述支承台的所述被处理体的侧部放出冷却气体，从而使该冷却气体沿着所述被处理体的表面流动。 另一技术方案提供一种处理系统,其特征在于,该处理系统包括:大气压气氛的大气输送室；多个处理室，其与所述大气输送室连结，用于在大气压气氛下对被处理体进行规定的处理；用于冷却所述被处理体的一技术方案所述的冷却机构；以及输送机构，其用于在所述处理室与所述冷却机构之间输送所述被处理体。 专利技术的效果 采用本专利技术的一技术方案的冷却机构和处理系统，利用设置于设为多层的支承台的折流板向被处理体引导下降流，因此能够在大气输送室内有效地冷却被处理体，其中，该支承台设于形成有下降流的大气输送室。 【附图说明】 图1是表不具有本专利技术的一实施方式的冷却机构的处理系统的一例的概略结构图。 图2是表示本专利技术的一实施方式的大气输送室的纵剖视图。 图3是表示本专利技术的一实施方式的输送机构的低温用拾取件的俯视图。 图4是表示本专利技术的一实施方式的输送机构的高温用拾取件的俯视图。 图5是表不本专利技术的一实施方式的冷却机构的第I实施例的放大俯视图。 图6是表不本专利技术的一实施方式的冷却机构的一例的放大侧视图。 图7是表示本专利技术的一实施方式的冷却机构的第2实施例的侧视图。 图8是表示本专利技术的一实施方式的冷却机构的第2实施例的动作说明图。 图9A是表示本专利技术的一实施方式的冷却机构的第3实施例的一部分的图。 图9B是表不本专利技术的一实施方式的冷却机构的第4实施例的一部分的图。 图10是表示本专利技术的一实施方式的冷却机构的第5实施例的一部分的局部剖视图。 图11是表示第5实施例的侧部冷却部件与半导体晶圆之间的位置关系的放大纵首1J视图。 图12是表示图11中的侧部冷却部件的气体出口部的局部放大俯视图。 图13是表示本专利技术的一实施方式的第5实施例的评价结果的图。 【具体实施方式】 以下，根据附图详细说明本专利技术的一实施方式的冷却机构和处理系统的各实施例。 <处理系统> 首先，对具有本专利技术的一实施方式的冷却机构的处理系统进行说明。图1是表示具有本专利技术的一实施方式的冷却机构的处理系统的一例的概略结构图，图2是表示本专利技术的一实施方式的大气输送室的纵剖视图，图3是表不本专利技术的一实施方式的输送机构的低温用拾取件的俯视图(一并记载局部放大侧视图)，图4是表示本专利技术的一实施方式的输送机构的高温用拾取件的俯视图(一并记载检测传感器部分的侧视图)，图5是表示本专利技术的一实施方式的冷却机构的第I实施例的放大俯视图，图6是表不本专利技术的一实施方式的冷却机构的一例的放大侧视图。 首先，如图1所示，该处理系统2主要具有:多个、例如3个用于在大气压气氛下进行热处理的第I?第3大气处理室4A、4B、4C ;矩形的大气压气氛的大气输送室6 ;用于输送被处理体的输送机构8 ;以及用于冷却被处理体的冷却机构10。 在所述3个大气处理室4A?4C内分别设有用于载置作为被处理体的一例的半导体晶圆W的载置台12A、12B、12C，在各大气处理室4A?4C内进行大气压气氛下的处理。该处理也包括在常温程度下进行的处理、在高温下进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种冷却机构，其特征在于，该冷却机构包括：多个支承台，其设于形成有下降流的大气输送室，多个该支承台沿上下方向设为多层；多个支承销，其设于各所述支承台，用于与所述被处理体的背面相接触而支承所述被处理体；和侧部冷却部件，其从支承于所述支承台的所述被处理体的侧部放出冷却气体，且使所述冷却气体沿着所述被处理体的表面流动。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.05.16 JP 2012-112087;2012.12.14 JP 2012-273361.一种冷却机构，其特征在于， 该冷却机构包括: 多个支承台，其设于形成有下降流的大气输送室，多个该支承台沿上下方向设为多层； 多个支承销，其设于各所述支承台，用于与所述被处理体的背面相接触而支承所述被处理体；和 侧部冷却部件，其从支承于所述支承台的所述被处理体的侧部放出冷却气体，且使所述冷却气体沿着所述被处理体的表面流动。2.根据权利要求1所述的冷却机构，其特征在于， 所述侧部冷却部件具有: 冷却气体通路，其供所述冷却气体流动；和 气体出口部，其设在所述冷却气体通路的出口侧且位于所述被处理体的侧方。3.根据权利要求2所述的冷却机构，其特征在于， 所述冷却气体通路沿上下方向延伸且上端形成为用于引入所述下降流的引入口，以将所述下降流用作所述冷却气体。4.根据权利要求3所述的冷却机构，其特征在于， 所述气体出口部具有与所述被处理体相对应地以沿横向延伸的方式形成的多个气体放出口，且设有以分隔各气体放出口的方式沿着所述冷却气体通路内延伸的多个引导分隔板。5.根据权利要求4所述的冷却机构，其特征在于， 所述引导分隔板由垂直部分、曲面部分、水平部分形成。6.根据权利要求4所述的冷却机构，其特征在于， ...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊谷圭太，佐佐木义明，菊岛博人，井富隼人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP