等离子体处理方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

当对多层膜进行蚀刻时，能够抑制弓形并进行蚀刻。使用包含HBr气体和C4F8气体的处理气体，多次执行等离子体蚀刻，由此，进行从SiN层(350)到叠层膜(340)逐渐形成凹部的蚀刻，此时，在规定的时刻，向处理气体中以规定流量比添加含硼气体，由此，在凹部露出的SiN层的侧壁上形成保护膜(352)并进行叠层膜的蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理方法
本专利技术涉及使用掩模对形成在被处理基板上的多层膜进行蚀刻的等离子体处理方法和等离子体处理装置。
技术介绍
3D-NAND闪存等的三维叠层半导体存储器，具备将不同种类的层交替叠层多层而形成的叠层膜(例如，参考下述专利文献1)。该叠层膜上形成有贯通到基底膜的深的凹部(孔或沟道)，该深的凹部的形成使用等离子体蚀刻。对这样的多层膜进行蚀刻的等离子体处理中，对每个构成叠层膜的种类不同的层进行蚀刻，因此，叠层数越多，蚀刻次数越增大，生产率降低。因此，为了对种类不同的层进行蚀刻需要使用包含全部各种气体的处理气体，对叠层膜进行等离子体蚀刻，由此，在一个等离子体蚀刻中遍及不同种类的层形成贯通的凹部。如上述方式对叠层膜进行蚀刻时，在叠层膜上形成用于在叠层膜上形成凹部的开口部被图案化而成的掩模层，将该掩模层作为掩模对叠层膜进行蚀刻。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-266944号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题但是，在这样的叠层膜上，包含利用用于对该叠层膜进行蚀刻的处理气体容易蚀刻的层(例如，氮化硅(SiN)层)。在对具有这样的SiN层的多层膜进行蚀刻的情况下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理方法，其特征在于：在处理室内相对地设置上部电极和下部电极，在所述下部电极上配置被处理基板，对所述下部电极施加27MHz以上60MHz以下的等离子体生成用高频电力并且施加380kHz以上1MHz以下的偏置用高频电力而生成处理气体的等离子体，由此，以被图案化的掩模层作为掩模，对形成在所述被处理基板上的多层膜进行等离子体蚀刻，所述多层膜包括：由相对介电常数不同的第一膜和第二膜交替叠层而成的叠层膜；和形成在该叠层膜上的氮化硅层，将包含由含溴气体、含氯气体、含碘气体中的一种或两种以上组成的气体和氟碳化合物类气体的处理气体导入所述处理室内，执行多次等离子体蚀刻，由此，进行从所述氮化硅层到所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.07.10 JP 2012-154698;2012.07.17 US 61/672,4371.一种等离子体处理方法，其特征在于：在处理室内相对地设置上部电极和下部电极，在所述下部电极上配置被处理基板，对所述下部电极施加27MHz以上60MHz以下的等离子体生成用高频电力并且施加380kHz以上1MHz以下的偏置用高频电力而生成处理气体的等离子体，由此，以被图案化的掩模层作为掩模，对形成在所述被处理基板上的多层膜进行等离子体蚀刻，所述多层膜包括：由相对介电常数不同的第一膜和第二膜交替叠层而成的叠层膜；和形成在该叠层膜上的氮化硅层，将包含由含溴气体、含氯气体、含碘气体中的一种或两种以上组成的气体和氟碳化合物类气体的处理气体导入所述处理室内，执行多次等离子体蚀刻，由此，进行从所述氮化硅层到所述叠层膜逐渐形成凹部的蚀刻处理，此时，在规定的时刻以规定的流量比向所述处理气体添加含硼气体，由此，在所述凹部露出的所述氮化硅层的侧壁上形成保护膜并对所述叠层膜进行蚀刻。2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：所述含硼气体至少在最初的等离子体蚀刻中导入。3.如权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：所述含硼气体从最初的等...

【专利技术属性】
技术研发人员：成重和树，佐藤孝纪，佐藤学，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP