图案形成方法和基板处理系统技术方案

本发明专利技术提供一种图案形成方法，包括：利用由包含氟化碳(CF)类气体的蚀刻气体生成的等离子体，隔着掩模对基板上的含硅膜进行蚀刻，在该含硅膜上形成规定图案的蚀刻步骤；使用硅化合物气体，利用从氧化性气体或者氮化性气体生成的等离子体，使吸附在所述规定图案的表面的层氧化或者氮化，在上述规定图案的表面形成氧化硅膜或者氮化硅膜的成膜步骤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及图案形成方法和基板处理系统。
技术介绍
通过等离子体蚀刻形成高纵横比的深孔(接触孔)的情况下，随着孔的底部变深，等离子体的自由基达到孔底的量减少，蚀刻速率会降低。随着孔的底部变深，在深度方向上的蚀刻速率会降低，产生比起孔上部的直径孔下方的直径变大的弓形形状(参照图2(b))。此外，蚀刻中不仅是孔的底部，孔的侧壁也会被蚀刻，由此作为孔的上部的直径的CD值(Critical Dimension：临界尺寸)变大，纵横比降低，无法得到所期望的半导体器件特性。但是，膜的成膜有各种各样的方法，例如在专利文献1中公开了通过原子层堆积法ALD(Atomic Layer Deposition)，在器件上形成致密的电介质层，保护器件的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2011-526078号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题但是，在专利文献1中没有假设以修复由蚀刻形成的图案形状为目的进行成膜处理。由此，在专利文本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图案形成方法，其特征在于，包括：利用从包含氟化碳(CF)类气体的蚀刻气体生成的等离子体，隔着掩模对基板上的含硅膜进行蚀刻，在该含硅膜上形成规定图案的蚀刻步骤；和利用从氧化性气体或者氮化性气体生成的等离子体，将使用硅化合物气体吸附在所述规定图案的表面而成的层氧化或者氮化，在所述规定图案的表面形成氧化硅膜或者氮化硅膜的成膜步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.07.11 JP 2012-155359;2012.07.17 US 61/672,3991.一种图案形成方法，其特征在于，包括：
利用从包含氟化碳(CF)类气体的蚀刻气体生成的等离子体，隔
着掩模对基板上的含硅膜进行蚀刻，在该含硅膜上形成规定图案的蚀
刻步骤；和
利用从氧化性气体或者氮化性气体生成的等离子体，将使用硅化
合物气体吸附在所述规定图案的表面而成的层氧化或者氮化，在所述
规定图案的表面形成氧化硅膜或者氮化硅膜的成膜步骤。
2.如权利要求1所述的图案形成方法，其特征在于，
所述成膜步骤包括：
作为所述硅化合物气体供给含硅的前体气体，使该前体气体中包
含的硅(Si)吸附在所述规定图案的表面的吸附步骤；和
供给所述反应性气体，利用由该反应性气体生成的等离子体，使
吸附在所述规定图案的表面而成的层氧化或者氮化，成膜所述氧化硅
膜或者所述氮化硅膜的等离子体处理步骤。
3.如权利要求2所述的图案形成方法，其特征在于，
所述成膜步骤还包括：
在所述吸附步骤后所述等离子体处理步骤前供给吹扫气体，对所
述规定图案的表面进行吹扫的第一排气步骤；和
在所述等离子体处理步骤之后供给吹扫气体，对所述规定图案的
表面进行吹扫的第二排气步骤。
4.如权利要求2所述的图案形成方法，其特征在于：
所述成膜步骤，以将该成膜步骤中包...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保田和宏，清水隆吉，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP