本发明提供处理液的置换性高、能够稳定地进行处理液的供给的处理液供给装置。在设置于经由排出部(51)向被处理体(W)排出处理液的处理液供给装置(5)的供给泵(6)中，构成处理液的供给路径的一部分的管道(62)具有弹性，引导部(61)限制管...

本发明提供一种探针卡安装方法，其能够使探针卡相对于输送台的装卸容易地进行。在晶片检查装置10中，使输送台(18)移动而使台侧摄像机(28)与配置在测试器(15)一侧的测试器侧摄像机(16)相互相对来确定基准位置，利用台侧摄像机(28)确...

本发明提供支承体构造及处理装置。该支承体构造用于在处理容器构造(42)内支承被处理体(W)，该处理容器构造(42)在收容有多个上述被处理体(W)的状态下供处理气体从一端朝向另一端流动而进行规定处理，该支承体构造包括顶板部(48)、底部(...

本发明提供一种等离子体处理容器和具有该等离子体处理容器的等离子体处理装置。能够极力减轻等离子体处理容器的阳极氧化处理所需的操作时间和成本。在等离子体处理容器中，衬垫(102)插入侧壁(1b)和顶板(1c)的接合部位，其前端到达内侧O型环...

本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在...

本发明提供一种等离子体处理装置以及等离子体处理方法。该等离子体处理装置配置有连接于高频电源的主天线和相对于该主天线电绝缘的(浮置状态的)辅助天线。另外，在俯视观察主天线以及辅助天线时的各自的投影区域彼此不重合。具体而言，相对于主天线而言...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括：真空容器，其具有顶板；旋转台，其以能够旋转的方式设于所述真空容器内；第1处理气体供给部件，其用于供给要吸附于与所述旋转台对置的基板的表面的第1处理气体；等离子体处理用气体供给部件，...

本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。能够抑制基底膜被侵蚀并去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序和剥离处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，向表面具有亲水性的基板供给含有挥发成分并用于在基...

本发明提供向基板供给精确浓度的处理液的基板液处理装置和基板液处理方法。基板液处理装置具备：罐(102)；循环管线(104)；处理部(16)，其经由分支管线(112)连接于循环管线，用于使用在循环管线中流动的处理液来对基板实施液处理；处理...

本发明提供一种等离子蚀刻处理方法以及等离子蚀刻处理装置。该等离子蚀刻处理方法能够在等离子蚀刻处理时容易且适当地进行形状控制。其中，该等离子蚀刻处理方法包括：将半导体基板(W)保持在设于处理容器(12)内的保持台(14)上的工序；用于产生...

本实施方式的等离子体处理方法首先实施蚀刻工序：向等离子体处理空间供给含氟气体，使用含氟气体的等离子体对在硅化镍膜的表面形成有氧化硅膜或氮化硅膜的被处理基板，进行蚀刻(步骤S101)。接着，等离子体处理方法实施还原工序：向等离子体处理空间...

本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高RF偏置功能的控制性，针对微细加工的各种要求条件实现等离子体工艺的最优化。该等离子体处理装置中，从第三高频电源(66)对上部电极(46)(或下部电极(12)施加适于电容耦合的等离...

本发明提供一种能不产生异常放电等而高效率地加热各构成构件的基板处理装置。基板处理装置(10)包括能减压的处理室(11)、设于该处理室(11)内的基座(12)、与该基座(12)相对地设于处理室(11)的顶部的簇射头(27)、配置于基座(1...

本发明提供一种能够容易地抽出测试头的晶片检查装置的维修用台车。晶片检查装置(10)具有多个室(11)配置成4层而成的室站(12)，各个室(11)收纳测试头(15)，在室站(12)的外侧配置维修用台车(27)，该维修用台车(27)包括：具...

本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其有效地除去含金属的附着物。该等离子体处理方法，利用含CxFy气体(其中，x为2以下的整数，y为6以下的整数)且不含氯类气体和氮类气体的处理气体的等离子体，除去附着在配置于处理容器的内部...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。该等离子体处理装置包括：旋转台；喷嘴部，其与基板载置区域相对；天线，其具有直线部位和位于在俯视时与直线部位分开的区域的部位，并且，该天线绕沿上下方向延伸的轴线卷绕，用于使供给有气体的处理区域...

本发明目的在于提供能够在保护基底层的同时去除对含硅膜进行蚀刻时产生的反应产物的等离子体处理方法。提供一种等离子体处理方法，其为使用形成有蚀刻图案的蚀刻掩模对形成于基板上的含硅膜进行处理的等离子体处理方法，其包括去除工序：通过由含有卤素、...

本发明提供一种闸阀装置，其能够确保阀体和处理容器的导通，并且降低阀体和处理容器的损伤，抑制金属颗粒的产生。阀座板(204)为框状，具有与基板搬送用开口(1b1)基本同等大小的开口(204a)。阀座板(204)由金属等导电性材料构成，在由...

本发明提供一种等离子体处理装置，其能够防止处理容器的贯通开口部中的局部的等离子体的产生。在处理容器的贯通开口部的开口底面配置有作为阻抗调整部件的绝缘部件(45)。绝缘部件(45)由相对介电常数在10以下，优选4以下的材料构成，利用绝缘部...

本发明提供一种气泡除去方法、气泡除去装置和脱气装置，该气泡除去方法能够通过从过滤器除去微小气泡来改善过滤器的性能，气泡除去方法包括：对来自供给源的处理液进行脱气，制作高脱气液的步骤(高脱气液制作)；将制作的高脱气液以第一处理液流量从泵装...