支承体构造及处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供支承体构造及处理装置。该支承体构造用于在处理容器构造(42)内支承被处理体(W)，该处理容器构造(42)在收容有多个上述被处理体(W)的状态下供处理气体从一端朝向另一端流动而进行规定处理，该支承体构造包括顶板部(48)、底部(50)和多个支承支柱(60)，多个支承支柱(60)将上述顶板部和上述底部连结起来，沿着其长度方向形成有用于支承上述被处理体的多个支承部(88)，并且，上述支承部的在上述处理气体的流动方向的下游侧的间距被设定得大于上述支承部的在上述处理气体的流动方向的上游侧的间距。由此，能够提高被处理体的膜厚的面内均匀性。

【技术实现步骤摘要】
支承体构造及处理装置本申请是申请日为2011年6月17日、申请号为201110168452.7、专利技术名称为“支承体构造及处理装置”的申请的分案申请。
本专利技术涉及用于支承半导体晶圆等被处理体的支承体构造及处理装置。
技术介绍
通常，为了制造半导体集成电路，对由硅基板等构成的半导体晶圆进行成膜处理、蚀刻处理、氧化处理、扩散处理、改性处理、自然氧化膜的除去处理等各种处理。这些处理利用逐张处理晶圆的单片式的处理装置、一次处理多张晶圆的分批式的处理装置来进行。例如在利用专利文献1等公开的立式的、所谓的分批式的处理装置进行这些处理的情况下，首先，将半导体晶圆从能够收容多张、例如25张半导体晶圆的晶圆盒移载到立式的晶圆舟皿，并呈多层地将晶圆支承在该晶圆舟皿中。该晶圆舟皿例如也取决于晶圆规格，但能够载置30～150张左右的晶圆。在将上述晶圆舟皿从能够排气的处理容器的下方搬入(加载)到该处理容器内之后，将处理容器内维持为气密状态。然后，控制处理气体的流量、工艺压力、工艺温度等各种工艺条件来实施规定的热处理。在该热处理中，例如以成膜处理为例，作为成膜处理的方法，公知有CVD(ChemicalVaporDeposition)法(专利文献2)、ALD(AtomicLayerDeposition)法。而且，出于提高电路元件的特性的目的，期望也降低半导体集成电路的制造工序中的热过程，因此，即使不将晶圆暴露于那么高的温度下，也能够进行目标处理，因此，也倾向于使用一边间断地供给原料气体等一边以原子级每1层～几层地或者以分子级每1层～几层地反复成膜的ALD法(专利文献3、4等)。专利文献1：日本特开平6－275608号公报专利文献2：日本特开2004－006551号公报专利文献3：日本特开平6－45256号公报专利文献4：日本特开平11－87341号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供能够提高被处理体的膜厚的面内均匀性的支承体构造和处理装置。本专利技术是一种支承体构造，该支承体构造配置在供处理气体从下端朝向上端或者从上端朝向下端流动的处理容器构造内，用于支承多张被处理体，其特征在于，该支承体构造包括顶板部、底部、将顶板部和底部连结起来的多个支承支柱，在各支承支柱上，沿着其长度方向形成有用于支承被处理体的多个支承部，支承支柱的在处理气体的流动方向的下游侧的间距被设定得大于支承支柱的在处理气体的流动方向的上游侧的间距。这样，由于将用于支持被处理体的支承支柱的支承部的间距设定为在处理气体的流动方向的下游侧大于在处理气体的流动方向的上游侧，因此，处理气体易于蔓延到处理气体的下游侧的被处理体之间，能够提高载置在支承体构造的气流的下游侧的被处理体的膜厚的面内均匀性。本专利技术是一种支承体构造，该支承体构造配置在供处理气体从一侧朝向另一侧地沿水平方向流动的处理容器构造内，用于支承多张被处理体，其特征在于，该支承体构造包括顶板部、底部、将顶板部和底部连结起来的多个支承支柱，在各支承支柱上，沿着其长度方向形成有用于支承被处理体的多个支承部，位于上部侧的支承部的间距和位于下部侧的支承部的间距大于位于中央侧的支承部的间距。这样，在供处理气体从一侧朝向另一侧地水平流动的处理容器构造内支承要处理的多个被处理体的支承体构造中，对于支承被处理体的支承部，将位于上部侧的上述支承部的间距和位于下部侧的上述支承部的间距设定为大于位于中央部的上述支承部的间距，因此，能够提高载置在支承体构造的上端部侧和下端部侧的被处理体的膜厚的面内均匀性。本专利技术是一种处理装置，该处理装置用于对多张被处理体实施规定的处理，其特征在于，该处理装置包括：纵长的处理容器构造，其下端部开口，具有能够容纳多张被处理体的大小；盖部，其用于堵塞处理容器构造的下端部开口；支承体构造，其用于支承多张被处理体，并能够插入到处理容器构造内或从处理容器构造内拔出；气体导入部件，其具有用于向处理容器构造内导入气体的气体喷嘴；排气部件，其用于对处理容器构造体内的气氛气体进行排气；加热部件，其用于加热被处理体；处理容器构造供处理气体从下端朝向上端或者从上端朝向下端地流动，支承体构造包括顶板部、底部、将顶板部和底部连结起来的多个支承支柱，在各支承支柱上，沿着其长度方向形成有用于支承被处理体的多个支承部，支承支柱的在处理气体的流动方向的下游侧的间距被设定得大于支承支柱的在处理气体的流动方向的上游侧的间距。本专利技术是一种处理装置，该处理装置用于对多张被处理体实施规定的处理，其特征在于，该处理装置包括：纵长的处理容器构造，其下端部开口，具有能够容纳多张被处理体的大小；盖部，其用于堵塞处理容器构造的下端部开口；支承体构造，其用于支承多张被处理体，并能够插入到处理容器构造内或从处理容器构造内拔出；气体导入部件，其具有用于向处理容器构造内导入气体的气体喷嘴；排气部件，其用于对处理容器构造体内的气氛气体进行排气；加热部件，其用于加热被处理体；处理容器构造供处理气体从一侧朝向另一侧地沿水平方向流动，支承体构造包括顶板部、底部、将顶板部和底部连结起来的多个支承支柱，在各支承支柱上，沿着其长度方向形成有用于支承被处理体的多个支承部，位于上部侧的支承部的间距和位于下部侧的支承部的间距大于位于中央侧的支承部的间距。采用本专利技术的支承体构造和处理装置，能够发挥如下的优良的作用效果。采用本专利技术，由于将用于支持被处理体的支承支柱的支承部的间距设定为在处理气体的流动方向的下游侧大于在处理气体的流动方向的上游侧，因此，处理气体易于蔓延到处理气体的下游侧的被处理体之间，能够提高载置在支承体构造的气流的下游侧的被处理体的膜厚的面内均匀性。采用本专利技术，在供处理气体从一侧朝向另一侧地水平流动的处理容器构造内支承要处理的多个被处理体的支承体构造中，对于用于支承被处理体的支承部，将位于上部侧的上述支承部的间距和位于下部侧的上述支承部的间距设定为大于位于中央部的上述支承部的间距，因此，能够提高载置在支承体构造的上端部侧和下端部侧的被处理体的膜厚的面内均匀性。附图说明图1是表示具有本专利技术的支承体构造的第1实施例的处理装置的内剖视结构图。图2是图1所示的支承体构造的剖视图。图3是表示图1所示的支承体构造的间距形态的主视图。图4用曲线图表示膜厚的面内均匀性的结果。图5是表示具有本专利技术的支承体构造的第2实施例的处理装置的剖视结构图。图6是图5所示的支承体构造的剖视图。图7是表示图5所示的支承体构造的间距形态的主视图。图8用曲线图表示阶梯覆盖率(StepCoverage)的结果。图9是表示比较例的分批式处理装置的一个例子的概略结构图。图10是表示比较例的分批式处理装置的另一个例子的概略结构图。具体实施方式下面，根据附图详细说明本专利技术的支承体构造及处理装置的一实施例。第1实施例图1是表示具有本专利技术的支承体构造的第1实施例的处理装置的内剖视结构图，图2是图1所示的支承体构造的剖视图，图3是表示图1所示的支承体构造的间距形态的主视图。在此，作为处理的一个例子，以进行成膜处理的情况为例来说明。如图所示，该处理装置40作为处理容器构造42具有立式的处理容器44，该处理容器44为圆筒体状，其下端开放，在上下方向上具有规定的长度。该处理容器44例如可以采用耐热性较高的石英。呈多层载置并支承多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种支承体构造，该支承体构造配置在供处理气体从一侧朝向另一侧地沿水平方向流动的处理容器构造内，用于支承多张被处理体，其特征在于，该支承体构造包括顶板部、底部、将顶板部和底部连结起来的多个支承支柱；在各支承支柱上，沿着其长度方向形成有用于支承被处理体的多个支承部；位于上部侧的支承部的间距和位于下部侧的支承部的间距大于位于中央侧的支承部的间距。

【技术特征摘要】
2010.06.18 JP 2010-1391451.一种支承体构造，该支承体构造配置在供处理气体从一侧朝向另一侧地沿水平方向流动的处理容器构造内，用于支承多张被处理体，其特征在于，该支承体构造包括顶板部、底部、将顶板部和底部连结起来的多个支承支柱；在各支承支柱上，沿着其长度方向形成有用于支承被处理体的多个支承部；位于上部侧的支承部的间距和位于下部侧的支承部的间距大于位于中央侧的支承部的间距；在位于最上层的所述支承部的上方形成有垂直方向的宽度比位于所述上部侧的所述支承部的间距宽的第1空间部，在位于最下层的所述支承部的下方形成有垂直方向的宽度比位于所述下部侧的所述支承部的间距宽的第2空间部。2.根据权利要求1所述的支承体构造，其特征在于，上部侧的支承部的间距和下部侧的支承部的间距相同。3.根据权利要求1所述的支承体构造，其特征在于，上部侧的支承部的数量和下部侧的支承部的数量与能够容纳在用于输送被处理体的一个输送箱内的张数相同。4.根据权利要求1所述的支承体构造，其特征在于，上部侧的支承部的数量和下部侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅利伸二，冈田充弘，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP