本发明涉及简便且有效地除去残留在等离子体处理装置的处理容器内的含Ti反应物的方法。在Low-k膜的蚀刻加工中，紧接在完成了干蚀刻步骤(S2)之后，在将半导体晶片保持在静电吸盘(40)上的状态下，执行具有晶片的干清洁的步骤(步骤S3)。该...

提供一种能够向基板供给稳定的量的处理气体的处理气体产生装置、处理气体产生方法等。处理气体产生装置(3)使自载气供给部(33、331)供给的载气在容纳于原料液罐(31、32)的原料液(8)中鼓泡而产生处理气体，自原料液(8)(液相部)的上...

一种基板处理装置，其一边在真空容器内使载置在旋转台上的圆形的基板公转一边对该基板供给处理气体并进行处理，其中，该基板处理装置包括：凹部，其为了收纳上述基板而形成于上述旋转台的一面侧；加热部，其为了将上述基板加热到600℃以上并进行处理而...

本发明提供一种对由氧化硅构成的区域进行蚀刻的蚀刻方法。一技术方案的蚀刻方法包括以下工序：将具有由氧化硅构成的区域的被处理体暴露在含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中的工序(a)，在该工序(a)中，对该区域进行蚀刻且在该区域上形成含有...

提供一种当将基板的周缘部存在缺口的基板用夹具保持并搬运时，能够高精度地检测基板位置的偏移量，能够容易地修正该偏移量，并且同时确认夹具的状态并进行修正的基板搬运装置。包括：基座；设置成从基座进退自如，保持基板的保持部；当保持部以保持有基板...

本发明提供一种相对于由氮化硅构成的第2区域而对由氧化硅构成的第1区域选择性地进行蚀刻的蚀刻方法和等离子体处理装置。该方法具有工序(a)和工序(b)。在工序(a)中，将被处理体暴露在碳氟化合物气体的等离子体中而在第2区域上形成比形成在第1...

基板液体处理装置包括：保持晶片进行旋转的卡盘(13)；向晶片的背面喷射吹扫气体的背面吹扫喷嘴(15)；和将吹扫气体喷到晶片的背面的周缘吹扫喷嘴(16)。背面吹扫喷嘴具有当俯视时从基板的中心侧延伸到周缘侧的缝隙状的开口部(15a)，该缝隙...

本发明可将基板上的每个位置通过等离子体区域的时间不均抑制得较低，并且可提高所产生的等离子体的均匀性。本发明所揭示的基板处理装置(10)包括：载置台(14)，能够以轴线(X)为中心旋转地设置；气体供给部，对通过载置台(14)的旋转而基板(...

基板处理装置包括：装载部，向该装载部输入基板的输送容器；以及装置控制器，其用于对所述装载部中的操作进行控制。装置控制器具有存储部，该存储部用于根据输送容器的识别符号来存储自外部发送过来的参数值的推移数据。参数值的推移数据是通过将该输送容...

本发明提供涂敷处理方法和涂敷处理装置。在基板上涂敷涂敷液时，将涂敷液的供给量抑制为少量并且在基板面内均匀地涂覆涂敷液。是在晶片上涂敷中粘度抗蚀剂液的方法，使基板以第一转速(超过0rpm不到200rpm)旋转，并且开始对基板的中心部供给涂...

基板处理装置包括：装载部，向该装载部输入输送容器；检测部，其用于对输入到装载部的、盖体被拆卸后的输送容器内的基板的收纳状况进行检测；处理部，其用于对自输入到装载部的输送容器取出的基板进行处理；以及控制部。控制部用于执行第1步骤、第2步骤...

本发明提供半导体器件的制造方法。对多层膜高速且选择性进行蚀刻。在等离子体处理装置的处理容器内隔着掩模对设置于蚀刻停止层上的并且包括具有相互不同的介电常数的交替层叠的第一膜和第二膜的多层膜进行蚀刻。该方法包括：(a)将包含氢、溴化氢和三氟...

本发明提供基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括以下工序：向基板供给处理气体的工序；向所述基板供给分离气体的工序；在第1等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为第1距离的状态下向所述基板供给第1等离子体处理用气体的工序；在第2等离...

本发明提供氮化镓系结晶的生长方法和热处理装置。氮化镓系结晶的生长方法包括以下工序：以350℃～700℃的成膜温度在硅基板上进行含有氮化铝或氧化铝的中间层的成膜；在含有氨或氧的气氛中加热所述硅基板和所述中间层，而使所述中间层所含有的氮化铝...

提供基板液体处理装置和基板液体处理方法。在将规定浓度的药剂的第一水溶液用作处理液来对基板进行液体处理的基板液体处理装置中，能够使用处理液对基板良好地进行处理。在本发明中，将处理液贮存于处理液贮存部，向上述处理液贮存部供给浓度与上述处理液...

本发明提供基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置通过相对于基板的温度独立地控制聚焦环的温度来控制基板的面内处理特性。该基板处理装置包括：载置台(110)，其包括基座(114)，该基座(114)具有用于载置晶圆(W)的基板载置面(11...

提供基板处理装置、基板处理方法、编辑装置以及编辑方法。由用户容易且可靠地设定在人工维护前后要进行的基板处理装置的停止和启动所需的过程。基板处理装置的控制装置具有将用于使基板处理装置从通常运转状态自动地转变为适于人工维护的状态的停止动作命...

本发明提供一种成膜装置，该成膜装置包括：真空容器；旋转台，其配置于该真空容器内，该旋转台用于将基板载置于在旋转台的一面侧设置的载置区域并使基板公转；处理气体供给部，其用于向基板供给热分解温度在1个大气压下为520℃以上的处理气体；以及加...

本发明提供立式热处理装置和热处理方法。一种立式热处理装置，其用于将呈搁板状保持有多张基板的基板保持件输入到被加热机构包围的立式的反应管内并进行热处理，其中，该立式热处理装置包括：气体喷嘴，其以沿所述基板保持件的铅垂方向延伸的方式设于所述...

在本发明中，在基板上形成图案时，在基板上形成至少包括两种聚合物的嵌段共聚物的膜，在溶剂蒸气氛围下对该嵌段共聚物的膜进行加热，使得嵌段共聚物相分离，除去被相分离的嵌段共聚物的膜中的一种聚合物，因此，能够促进嵌段共聚物的聚合物的流动化，能够...