本发明不使工序变得繁杂且即使微细化也不对基底产生恶劣影响，并且以高生产量形成消除了埋入部分的孔隙或接缝的钨膜。在腔室内配置具有孔的晶片，同时或交替供给WCl6气体和H2气体，将晶片加热并使这些气体反应，在孔内形成钨的埋入部(步骤1)，接...

本发明提供立式热处理装置的运转方法和立式热处理装置。该立式热处理装置的运转方法是运转立式热处理装置的方法，该立式热处理装置使被加热机构包围的立式的反应管内成为真空气氛后，向所述反应管内的基板供给成膜用的气体而进行成膜处理，其中，该热处理...

本发明提供一种不使用IC测试器就能够进行探针和半导体器件的接触确认，在接触确认中确认为异常状态的情况下能够判断异常状态的原因的基板检查装置。探针(10)包括具有与形成于晶片(W)的半导体器件(28)的各电极垫(37)接触的多个探针(16...

本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置用于对基板供给处理气体来对基板进行处理，其中，该基板处理装置包括：电极，其以在上述基板保持件的长度方向上延伸的方式设置，以便对上述处理气体供给电力而使上述处理气体活性化；构造物，其以在排列有上述...

本发明涉及成膜装置和成膜方法。该成膜装置向形成为真空气氛的反应容器内交替地供给原料气体和与该原料气体发生反应而生成反应生成物的反应气体，而在该反应容器内的基板上形成薄膜，其特征在于，包括：原料气体供给部，设于原料气体的供给路径的端部，向...

本发明提供氧化硅膜的形成方法和氧化硅膜的形成装置，该氧化硅膜的形成方法是以将氧化硅膜埋入到表面形成有槽的被处理体的所述槽内的方式形成氧化硅膜的方法，其中，该氧化硅膜的形成方法包括：硅膜形成工序，在该硅膜形成工序中，使硅膜形成于所述被处理...

本发明提供成膜方法和成膜装置。在成膜方法中，在真空气氛中形成含有掺杂元素的薄膜，其包括以下工序：吸附工序，自原料气体供给部向成为真空气氛的处理容器内供给原料气体并使该原料气体的原料吸附在基板上；掺杂工序，多次重复自掺杂气体供给部向处理容...

本发明提供一种即使在半导体晶片翘曲的情况下也能够通过吸附保持导体晶片来抑制输送错误等的发生的探针装置。探针装置(100)包括测定部(110)和作为输送单元的装载部(150)。装载部(150)包括载置于装载口(152)的晶片盒(151)、...

提供能够防止由水分导致的发光部的有机化合物劣化的密封结构的形成方法、制造装置、以及有机EL器件结构、其制造方法、及其制造装置。将器件层叠部(12)用通过ALD法形成的氧化铝的第1阻挡膜(18)覆盖，将该第1阻挡膜(18)用通过CVD法形...

本发明提供立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法。该立式热处理装置在将表面形成有凹凸的多个被处理基板在立式的反应容器内保持于基板保持件的状态下，利用加热部进行加热而对所述被处理基板进行成膜处理，该立式热处理装置包括：气体供给部，其用于...

本发明提供能防止氧化物半导体的特性变化且寄生电容较小的半导体器件、其制造方法和其制作装置。在具有自下方层叠栅电极(12)、IGZO膜(40)以及沟道保护膜(17)而成的层叠构造的TFT(10)中，通过将具有反映了栅电极的宽度的光致抗蚀剂...

本发明涉及等离子体处理装置，在利用分布常数线路的多重并联谐振特性截断从处理容器内的高频电极等电部件进入供电线路、信号线等线路上的高频的噪声时，不使对高频噪声的阻抗功能和耐电压特性降低，将谐振频率任意地移位来调整或优化，在滤波器单元中，在...

本发明一种能够抑制氧化物半导体的特性的降低且制造薄膜晶体管的等离子体处理装置等。等离子体处理装置(2)对形成有薄膜晶体管(8)的基板F执行等离子体处理，进行上述等离子体处理的处理容器(31)具备用于载置上层侧的金属膜被蚀刻处理而呈露出了...

本发明在于提供一种能够在薄膜晶体管的制造步骤中抑制腐蚀的发生并且对含有铝的电极进行图案化的等离子体处理装置等。等离子体处理装置(2)对形成有薄膜晶体管(4a、4b)的基板(F)实施等离子体处理，进行上述等离子体处理的处理容器(21)具备...

本发明提供一种非晶体硅膜的成膜方法和成膜装置。该成膜方法包括如下工序：对基底进行加热，使氨基硅烷系气体流经加热后的基底，在基底的表面形成晶种层；对基底进行加热，向加热后的基底的表面的晶种层供给不含氨基的硅烷系气体，使不含氨基的硅烷系气体...

本发明涉及太阳光发电监视方法以及在该方法中使用的太阳光发电监视系统，上述太阳光发电监视方法包括：计算电缆损耗的步骤、计算最大电力点追随损耗的步骤、计算逆变器损耗的步骤、计算系统输出系数的步骤、计算模块温度损耗的步骤、基于上述各步骤中计算...

本发明提供抑制支承销的设置数量的增加并且能够将薄且大型的基板载置在载置台上的基板载置装置等。设置于基板载置装置的载置台(3)具有能够载置具有0.5毫米以下的厚度尺寸的基板(F)的载置面(30)，从下表面侧支承基板(F)的多个支承销(4)...

提供了一种采用包括预处理系统和湿清洗系统的清洗系统(902，1004)清洗基板(6，14，224，932)的方法和系统。为预处理系统选择一个或更多个目标，并且使用计量测量对包括UV计量、基板温度、氧分压强、氧和臭氧分压强和/或总压强的两...

本发明提供一种等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。在蚀刻对象膜上形成孔的等离子体蚀刻方法中，交替地重复在第1条件下将等离子体生成用高频电力施加单元导通而在处理容器内生成至少含有CxFy气体和质量比Ar气体的质量轻的稀有气体的处理气体的等...

本发明提供在与被施加高频电力的电极接触的绝缘物的部分难以产生沿面放电的高频等离子体处理装置以及高频等离子体处理方法。本发明的高频等离子体处理装置，具有与绝缘物(17)接触的电极(13)，对电极(13)施加高频电力，利用由此生成的等离子体...