用于清洗基板的工艺气体的产生制造技术

提供了一种采用包括预处理系统和湿清洗系统的清洗系统(902，1004)清洗基板(6，14，224，932)的方法和系统。为预处理系统选择一个或更多个目标，并且使用计量测量对包括UV计量、基板温度、氧分压强、氧和臭氧分压强和/或总压强的两个或更多个预处理操作变量进行优化以满足预处理目标。基板(6，14，224，932)包括待清洗的层(204，208)以及具有k值的下面的电介质层(212)。包括氧和/或臭氧的预处理气体被传送到基板(6，14，224，932)的表面上并且采用UV装置照射，产生氧自由基。设定预处理工艺中的基板(6，14，224，932)的清洗小于100％，以便确保基板(6，14，224，932)的k值的变化在基板应用的设定范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请总体上涉及半导体处理，并且具体地涉及包括采用工艺气体的预处理工艺以及湿清洗工艺的基板清洗工艺。
技术介绍
在k值处于2.0-2.6范围内的低k电介质的反应离子刻蚀(RIE)图案化工艺中产生高度氟化聚合物。已经证明，紫外(UV)预处理提高了使用兼容清洗溶剂的典型后段制程(BEOL)刻蚀后工艺的聚合物去除能力。在氧存在的情况下UV照射已经被用于湿清洗工艺之前的一种有效的预处理工艺。具有低压范围的氧分压强已经表现为一种有效的方法。低压未(Hg)灯能够执行这个工艺。低压未灯具有两个主发射波长:254nm和185nm。185nm的辐射具有足够的能量来分解氧以形成氧原子，氧原子进而与氧反应以形成臭氧。254nm的辐射被臭氧吸收以产生氧原子。然而，使用185nm的辐射导致在工艺之后膜的k值的不期望的增加。挑战在于:185nm的辐射具有足够的能量来化学地激活并且破坏下面的低k电介质。无臭氧未灯是可用的，(即，仅254nm)，但预处理性能不像臭氧产生未灯(254nm和185nm) 一样好。先前的一些清洗系统使用准分子灯，例如，一个准分子灯将小于190nm的光引导到氧气中，引起臭氧的产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在清洗系统中清洗基板的方法，所述清洗系统包括预处理系统和湿清洗系统，所述预处理系统包括处理室和气体传送子系统，所述方法包括预处理工艺，包括：为所述预处理系统选择两个或更多个目标；选择要被进行优化以实现两个或更多个预处理目标的两个或更多个预处理操作变量；提供具有待清洗的层和下面的电介质层的基板，所述下面的电介质层具有k值；使用所述气体传送子系统将预处理气体传送到所述处理室中的所述基板的表面上；以及采用紫外(UV)装置照射预处理气体，并且产生用于所述基板的预处理的自由基，在预处理第一工艺时间期间完成所述照射，所述UV装置具有一个或更多个波长范围和UV剂量；以及使用所述预处理系统中获得的一个...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊安·J·布朗，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP