等离子体处理方法技术

本发明专利技术目的在于提供能够在保护基底层的同时去除对含硅膜进行蚀刻时产生的反应产物的等离子体处理方法。提供一种等离子体处理方法，其为使用形成有蚀刻图案的蚀刻掩模对形成于基板上的含硅膜进行处理的等离子体处理方法，其包括去除工序：通过由含有卤素、氢气和碳的第一气体生成的等离子体去除对含硅膜进行蚀刻时产生的反应产物。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理方法
本专利技术涉及等离子体处理方法。
技术介绍
半导体装置的制造工序中，进行通过等离子体蚀刻在半导体晶圆等基板上形成微细图案的操作。此时，存在如下情况：通过等离子体蚀刻，基板上的被蚀刻材料与等离子体蚀刻中所应用的反应气体反应，反应产物主要堆积在蚀刻而得到的图案的侧壁部。该反应产物成为用于阻止等离子体蚀刻时对蚀刻而得到的图案的侧壁部进行蚀刻的保护膜。另一方面，如果以该反应产物残留的状态在后续工序中进行CVD(化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition))膜的形成、布线形成等，则有时反应产物成为微粒的原因、布线故障的原因。因此，必须将主要堆积于图案的侧壁部的反应产物去除。例如，专利文献1中作为反应产物的去除方法，公开了对形成有图案的基板用稀氢氟酸水溶液进行湿蚀刻处理，在包括蚀刻面的整面上覆盖包含OH或H的有机材料膜之后，用氧等离子体进行灰化的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-73840号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，如果对基板用稀氢氟酸水溶液进行湿蚀刻处理，则堆积于蚀刻而成的图案的侧壁部的反应产物被去除，同时形成于基板上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理方法，其为使用形成有蚀刻图案的蚀刻掩模对形成于基板上的含硅膜进行处理的等离子体处理方法，其包括：去除工序：通过由含有卤素、氢气和碳的第一气体生成的等离子体去除对所述含硅膜进行蚀刻时产生的反应产物。

【技术特征摘要】
2013.10.15 JP 2013-2147801.一种等离子体处理方法，其为使用形成有蚀刻图案的蚀刻掩模对形成于基板上的含硅膜进行处理的等离子体处理方法，其包括：蚀刻工序：通过由含有HBr、He和O2的第二气体生成的等离子体对所述含硅膜进行蚀刻，所述第二气体为不含有碳的气体，去除工序：通过第一气体生成的等离子体去除对所述含硅膜进行蚀刻时产生的反应产物进而形成包含碳键的保护膜，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：味上俊一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP