基片刻蚀方法技术

本发明专利技术提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤：主刻蚀步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在基片上刻蚀形成图形的基础轮廓；过刻蚀步骤，继续向反应腔室内通入刻蚀气体，并保持激励电源和偏压电源开启，以修饰图形形貌，使其达到工艺要求。本发明专利技术提供的基片刻蚀方法，其可以在整个工艺进行的过程中减少球形颗粒物掉落到基片上的数量，从而可以减少基片图形形貌的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种基片刻蚀方法。
技术介绍
目前，在采用电感耦合等离子体（Inductively Coupled Plasma，以下简称ICP）设备对蓝宝石衬底等基片进行刻蚀主要包括以下步骤：第一稳流步骤（Stable1），用于保证后续的主刻蚀步骤启辉时，通入反应腔室内的气流达到充足、稳定的状态；主刻蚀步骤（Main Etch），用于刻蚀基片，以形成图形的基础轮廓；第二稳流步骤（Stable2），其作用与第一过渡步骤相同；过刻蚀步骤（Over Etch），用于修饰图形形貌，以使其尺寸和形状达到工艺要求。在进行上述工艺的过程中，在反应腔室内会产生大量的刻蚀副产物，这些刻蚀副产物的一部分附着在腔室内壁和零部件表面上，并随着工艺时间的积累越积越厚，在厚度达到一定程度时，沉积的刻蚀副产物因破裂脱落而形成大颗粒（直径一般在10μm以上），这些大颗粒一旦掉落在基片上会形成刻蚀掩膜，导致出现基片刻蚀不充分、基片形貌产生缺陷等问题。此外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：主刻蚀步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在基片上刻蚀形成图形的基础轮廓；过刻蚀步骤，继续向反应腔室内通入刻蚀气体，并保持激励电源和偏压电源开启，以修饰图形形貌，使其达到工艺要求。

【技术特征摘要】
1.一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
主刻蚀步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和
偏压电源，以在基片上刻蚀形成图形的基础轮廓；
过刻蚀步骤，继续向反应腔室内通入刻蚀气体，并保持激励电
源和偏压电源开启，以修饰图形形貌，使其达到工艺要求。
2.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，
在完成所述主刻蚀步骤之后，且在进行过刻蚀步骤之前，还包
括以下步骤：
阻抗过渡步骤，将所述主刻蚀步骤所需的阻抗值，以预定规则
增大至所述过刻蚀步骤所需的阻抗值；
其中，所述阻抗值为用于匹配所述激励电源的输出阻抗与匹配
网络的输入阻抗的匹配器中的可变阻抗元件的预定阻抗值。
3.如权利要求2所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述预定
规则为：每间隔预定时间，以预定幅度增大一次所述阻抗值，且共增
大至少两次。
4.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在完成所
述主刻蚀步骤之后，且在进行过刻蚀步骤之前，还包括以下步骤：
气流过渡步骤，将所述主刻蚀步骤所需的流量值，以预定规则
减小至所述过刻蚀步骤所需的流量值；
其中，所述流量值为向反应腔室通入的刻蚀气体的预定流量值。
5.如权利要求4所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述预定
规则为：每间隔预定时间，以预定幅度减小一次所述流量值，且共减
小至少两次。
6.如权利要求1所述的基片刻蚀方法，其特征在于，在完成所
述主刻蚀步骤之后，且在进行过刻蚀步骤之前，还包括以下步骤：
压力过渡步骤，将所述主刻蚀步骤所需的压力值，以预定规则
减小至所述过刻蚀步骤所需的压力值；
其中，所述压力值为所述反应腔室的腔室压力的预定压力值。
7.如权利要求6所述的基片刻蚀方法，其特征在于，所述预定
规则为：每间隔预定时间...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴鑫，杨盟，高福宝，贾士亮，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11