一种深沟槽刻蚀设备及其方法技术

本发明专利技术提供一种深沟槽刻蚀设备及其方法，其包括提供一种遮挡盘，其中心形成圆形开口，在遮挡盘的圆形开口区域贴上抗等离子体贴纸；对抗等离子体贴纸进行剪裁，使抗等离子体贴纸形成与遮挡盘的圆形开口同心的但比遮挡盘的圆形开口直径小的圆形开口，抗等离子体贴纸突出遮挡盘圆形开口的部分遮蔽遮挡盘的部分圆形开口；将该贴有抗等离子体贴纸的遮挡盘置于晶圆的正上方，使晶圆自遮挡盘的圆形开口露出；对晶圆进行深槽刻蚀。本发明专利技术的方法能较好的解决静电夹盘设备深槽刻蚀工艺中晶圆表面边缘掉硅屑的问题，保证深沟槽刻蚀工艺过程中静电夹盘表面的干净；保证良好的设备状态，保证各种特殊工艺稳定开发。

【技术实现步骤摘要】
一种深沟槽刻蚀设备及其方法
本专利技术是关于半导体制程领域，特别是关于一种半导体晶圆的深沟槽刻蚀设备及其方法。
技术介绍
目前特殊工艺中用到的DSIE（深槽SI腐蚀工艺）工艺时间长、刻蚀深度深（深度可达400um或以上）。由于涂胶工艺的特点限制，导致用于DSIE工艺的晶圆在进行涂胶工艺时，不仅晶圆边缘出现点状的缺胶现象，晶圆侧壁也无法被光刻胶覆盖。这样的晶圆在进行DSIE工艺的过程时，缺胶的位置及周围区域会随着刻蚀时间的增加逐渐被刻蚀，晶圆侧壁也会受到反溅的plasma（等离子体）作用逐渐被刻蚀，以上两种本来不应该被刻蚀的区域被刻蚀直接导致晶圆边缘区域随着刻蚀时间和刻蚀深度的增加出现很多细小的SI屑，这种SI屑在DSIE工艺过程中或者工艺结束后的取片过程中掉到用于吸住晶圆的静电夹盘（E-CHUCK）上，导致后续作业晶圆被放置E-CHUCK上作业时出现轻微的晶圆整体不平整，这种不平整不会触发设备的报警系统，随着刻蚀时间的增加，晶圆各部分受热等方面发生差异，出现晶圆表面糊胶、缺胶的现象，直接导致晶圆报废、影响设备E-CHUCK寿命。以上出现的问题成为某些具有DSIE工艺产品量产的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种深沟槽刻蚀的方法，其包括：步骤一：提供一种遮挡盘，其中心形成圆形开口；步骤二：在遮挡盘的圆形开口区域贴上抗等离子体贴纸；步骤三：对抗等离子体贴纸进行剪裁，使抗等离子体贴纸形成与遮挡盘的圆形开口同心的但比遮挡盘的圆形开口直径小的圆形开口，抗等离子体贴纸突出遮挡盘圆形开口的部分遮蔽遮挡盘的部分圆形开口；步骤四：将该贴有抗等离子体贴纸的遮挡盘置于晶圆的正上方，使晶圆自遮挡盘的圆形开口露出；步骤五：对晶圆进行深槽刻蚀。

【技术特征摘要】
1.一种深沟槽刻蚀的方法，其包括：步骤一：提供一种遮挡盘，其中心形成圆形开口；步骤二：在遮挡盘的圆形开口区域贴上抗等离子体贴纸；步骤三：对抗等离子体贴纸进行剪裁，使抗等离子体贴纸形成与遮挡盘的圆形开口同心的但比遮挡盘的圆形开口直径小的圆形开口，抗等离子体贴纸突出遮挡盘圆形开口的部分遮蔽遮挡盘的部分圆形开口；步骤四：将该贴有抗等离子体贴纸的遮挡盘置于晶圆的正上方，使晶圆自遮挡盘的圆形开口露出；步骤五：对晶圆进行深槽刻蚀。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述遮挡盘为静电夹盘刻蚀设备腔体中自带的环形结构。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述遮挡盘为额外独立设置的环形结构。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：调换所述步骤二与步骤三的顺序,先对抗等离子体贴纸预先裁剪之后,再将裁剪后的抗等离子体贴纸贴在遮挡盘上。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：徐震宇，章安娜，许凌燕，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32