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本发明提供一种深沟槽刻蚀设备及其方法，其包括提供一种遮挡盘，其中心形成圆形开口，在遮挡盘的圆形开口区域贴上抗等离子体贴纸；对抗等离子体贴纸进行剪裁，使抗等离子体贴纸形成与遮挡盘的圆形开口同心的但比遮挡盘的圆形开口直径小的圆形开口，抗等离子体...
该专利属于无锡华润上华半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司授权不得商用。

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