等离子体蚀刻方法技术

本发明专利技术提供一种能够形成对多层膜进行蚀刻时使用的掩模的等离子体蚀刻方法。等离子体蚀刻方法为对掺杂有硼的无定形碳进行蚀刻的方法，该方法使用氯气和氧气的混合气体的等离子体，并使载置台(3)的温度为100℃以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体蚀刻方法
本专利技术涉及等离子体蚀刻方法。
技术介绍
目前已知使用无定形碳膜作为蚀刻掩模对加工对象进行蚀刻的技术。例如，在专利文献1所记载的方法中，将抗蚀剂层作为掩模对无定形碳膜进行蚀刻，将规定的图案转印到无定形碳膜上，使用该无定形碳膜作为加工对象的掩模。这样的无定形碳膜的蚀刻掩模例如在NAND型闪存器的制造工序中，在对绝缘膜和导电膜交替叠层而成的多层膜形成台阶状的结构时使用(例如，参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007－288119号公报专利文献2：日本特开2009－170661号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题但是，加工对象的蚀刻孔的深度、长径比增大时，更加要求掩模的耐等离子体性，利用通常的厚度的无定形碳膜确保选择比是困难的。因此，为了确保选择比，需要增大无定形碳膜的厚度，但该情况下，用于向无定形碳膜转印图案的抗蚀剂层、无机类的中间层也需要变厚。但是，当抗蚀剂层的厚度变大时，在向抗蚀剂层转印图案的光刻法中会产生LER(lineedgeroughness：线边缘粗糙度)、LWR(linewidthroughness：线宽粗糙度)这样的问本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体蚀刻方法，其利用半导体制造装置对掺杂有硼的无定形碳进行蚀刻，该等离子体蚀刻方法的特征在于：所述半导体制造装置包括：形成处理空间的处理容器；载置被处理体的载置台；产生等离子体激发用的能量的能量产生源；和向所述处理容器内供给处理气体的气体供给部，该等离子体蚀刻方法使用氯气和氧气的混合气体的等离子体，并使所述载置台的温度为100℃以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.06.01 JP 2012-126000;2012.10.22 JP 2012-233131.一种等离子体蚀刻方法，其利用半导体制造装置对掺杂有硼的无定形碳进行蚀刻，该等离子体蚀刻方法的特征在于：所述半导体制造装置包括：形成处理空间的处理容器；载置被处理体的载置台；产生等离子体激发用的能量的能量产生源；和向所述处理容器内供给处理气体的气体供给部，在该等离子体蚀刻方法中，对掺杂有硼的无定形碳使用氯气和氧气的混合气体的等离子体，生成作为含有硼的化合物的三氯化硼，并生成碳与氯结合而得到的四氯化碳，并且将所述载置台的温度设定为100℃以上，所述等离子体蚀刻方法至少包括开始蚀刻的第一步骤和在该第一步骤之后实施的第二步骤，在所述第一步骤中，使从所述气体供给部供给的所述氧气的供给量为第一供给量，在所述第二步骤中，使从所述气体供给部供给的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹田谅平，户村光宏，北村彰规，东堤慎司，大竹浩人，塚本刚史，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP