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本发明提供一种能够形成对多层膜进行蚀刻时使用的掩模的等离子体蚀刻方法。等离子体蚀刻方法为对掺杂有硼的无定形碳进行蚀刻的方法，该方法使用氯气和氧气的混合气体的等离子体，并使载置台(3)的温度为100℃以上。...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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