等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置。课题在于改善槽的形状。等离子体蚀刻方法包括：第1工序、第2工序和第3工序。第1工序对在掩膜上形成的具有规定的图案的光致抗蚀膜进行等离子体处理。第2工序沿着被等离子体处理的光致抗蚀膜的图案用等离子体对掩膜进行蚀刻，使形成于掩膜的下层的有机膜露出。第3工序用包含O2、COS和Cl2的混合气体的等离子体对有机膜进行蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置
本专利技术涉及等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置。
技术介绍
已知在利用等离子体的蚀刻工序中在被处理膜上形成槽的情况下，由于槽的侧壁以超过必要的程度被削去，槽的中间的空间鼓起而产生弓形。由于微细化的发展，该弓形的问题明显化而难以按照设计控制槽的宽度。作为其对策，下述专利文献1中公开了向蚀刻气体中添加cos (羰基硫)的技术。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2012 - 204668号公报
技术实现思路
_6] 专利技术要解决的问题 然而，在蚀刻工序中在被处理膜上形成槽的情况下，如果槽的侧壁是垂直的则在槽的底(角部)发生反应产物(沉积物)堆积，对于之后形成的器件的性能带来影响。通过使槽的侧壁带有规定的角度的倾斜(锥形)而容易去除反应产物(沉积物)。另外，产生在之后的使膜堆积在槽的侧壁的工序中膜容易附着等优点。但是，一直以来难以抑制弓形的产生并且形成规定的锥形。 另外，上述专利文献1的技术中，能够某种程度抑制弓形的产生，但是还没有达到能够在槽的侧壁形成规定的锥形。 _9] 用于解决问题的方案 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，在基板上依次形成不含有Si即硅的有机膜、掩膜、抗蚀膜，所述抗蚀膜具有规定的图案，将所述抗蚀膜作为掩模对所述掩膜进行蚀刻而形成掩模，将所述抗蚀膜和掩膜作为掩模，用包含O2即氧气、COS即羰基硫和Cl2即氯气的混合气体的等离子体对所述不含有Si的有机膜进行蚀刻。

【技术特征摘要】
2013.06.28 JP 2013-1371181.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，在基板上依次形成不含有Si即硅的有机膜、掩膜、抗蚀膜，所述抗蚀膜具有规定的图案，将所述抗蚀膜作为掩模对所述掩膜进行蚀刻而形成掩模，将所述抗蚀膜和掩膜作为掩模，用包含O2即氧气、COS即羰基硫和Cl2即氯气的混合气体的等离子体对所述不含有Si的有机膜进行蚀刻。2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，所述COS的流量相对于Cl2的流量的比为0.35?0.5的范围。3.根据权利要求2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，所述COS的流量相对于Cl2的流量的比为0.35?0.45的范围。4.根据权利要求1?3的任一项所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，所述O2的流量相对于COS的流量和Cl2的流量的总计的比为1.5?2.7的范围。5.根据权利要求4所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，所述O2的流量相对于COS的流量和Cl2流量的总计的比为1.7?1.9的范围。6.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，包括: 第I工序:对在掩膜上形成的具有规定的图案的光致抗蚀膜进行等离子体处理； ...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井孝幸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP